ГОСТ 28111-89
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
МИКРОСБОРКИ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ
Термины и определения
Bubble memory device. Terms and definitions
МКС 01.040.31
31.200
ОКСТУ 6301
Дата введения 1990-07-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТЧИКИ
Э.С.Зиборов (руководитель темы); В.Н.Зубков; Г.Д.Пучкова; В.П.Сушков; Н.П.Самров; Э.И.Багдасарьянц; В.Г.Таширов; П.И.Набокин
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 24.04.89 N 1058
3. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
4. Срок первой проверки - 1994 г.
5. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
Обозначение НТД, на который дана ссылка | Номер пункта |
ГОСТ 19693-74 | Вводная часть |
ГОСТ 25492-82 | 1 |
6. ПЕРЕИЗДАНИЕ
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области микросборок на цилиндрических магнитных доменах.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
Настоящий стандарт должен применяться совместно с ГОСТ 19693.
1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл.1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл.1 в качестве справочных и обозначены пометой "Ндп".
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе "Определение" поставлен прочерк.
2.4. В табл.1 приведены в качестве справочных буквенные обозначения к ряду терминов.
2.5. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском языке.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском и английском языках приведены в табл.2-3.
4. Термины и определения общих понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении.
5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
Таблица 1
Термин | Определение |
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯОБЩИЕ ПОНЯТИЯ | |
1. Магнитоэлектронное изделие на цилиндрических магнитных доменах | Магнитоэлектронное изделие, в котором для хранения и обработки информации используются цилиндрические магнитные домены |
2. Цилиндрический магнитный домен | Домен цилиндрической формы, намагниченность которого параллельна и противоположна направлению намагниченности окружающего магнитного материала |
3. Жесткий цилиндрический магнитный домен | Цилиндрический магнитный домен, имеющий сложную структуру доменной границы и большую поверхностную плотность энергии границы, более высокое поле коллапса и меньшую подвижность |
4. Несквозной цилиндрический магнитный домен | Цилиндрический магнитный домен, доменная граница которого выходит только на одну из поверхностей магнитного слоя или не выходит ни на одну из поверхностей |
5. Информационный цилиндрический магнитный домен | Цилиндрический магнитный домен, используемый как носитель информации |
6. Неинформационный цилиндрический магнитный домен | Цилиндрический магнитный домен, не используемый как носитель информации |
7. Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах | По ГОСТ 25492 |
8. Микросборка на цилиндрических магнитных доменах | Конструктивно законченные и неремонтируемые магнитоэлектронные изделия на ЦМД или его составная часть, определяющая назначение и принципы функционирования изделия |
9. ЦМД-накопитель | Микросборка ЦМД или совокупность микросборок ЦМД и электронное обрамление, обеспечивающие информационную емкость запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах |
10. ЦМД-сигнал | Двоичный сигнал, представленный наличием или отсутствием цилиндрического магнитного домена |
11. ЦМД-материал | Магнитоодноосный материал, в котором существуют цилиндрические магнитные домены |
12. ЦМД-пластина | Пластина из ЦМД-материала или пластина, состоящая из немагнитной подложки с выращенным на ней ЦМД-материалом |
13. Монокристаллическая пленка феррита-граната | ЦМД-материал в виде слоя монокристаллического феррита со структурой граната |
14. Дефект МПФГ | Дефект поверхности или магнитный дефект монокристаллической пленки феррита-граната |
15. Дефект поверхности МПФГ | Неоднородность поверхности монокристаллической пленки феррита-граната, видимая в оптический микроскоп при заданных увеличении и апертуре объектива, кроме частиц на поверхности |
16. Магнитный дефект МПФГ | Область локального изменения свойств монокристаллической пленки феррита-граната, вызванного неоднородностью ее структуры, характеризующаяся локальным увеличением коэрцитивной силы или несанкционированными зарождением, уничтожением или изменением скорости движения ЦМД |
17. Подложка МПФГ | Немагнитная пластина, на которой выращивается монокристаллическая пленка феррита-граната |
18. Решетка ЦМД | Упорядоченная совокупность ЦМД в виде правильной плоской решетки |
19. Напряженность магнитного поля зарождения ЦМД | Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая зарождению цилиндрического магнитного домена |
20. Напряженность магнитного поля коллапса ЦМД | Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая исчезновению цилиндрического магнитного домена |
21. Напряженность магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД | Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая переходу цилиндрического магнитного домена в полосовой домен |
ПАРАМЕТРЫ ЦМД-МАТЕРИАЛА | |
22. Характеристическая длина ЦМД-материала | Отношение поверхностной плотности энергии доменной границы к объемной плотности магнитостатической энергии ЦМД-материала |
23. Фактор качества ЦМД-материала | Отношение напряженности поля одноосной магнитной анизотропии ЦМД-материала к намагниченности технического насыщения |
24. Динамическая коэрцитивная сила | Параметр, равный критическому значению |
25. Скорость насыщения доменной границы | Скорость доменной границы, существенно не изменяющаяся при увеличении напряженности продвигающего доменную границу поля |
26. Область устойчивости ЦМД | Параметр, равный разности напряженностей магнитного поля коллапса ЦМД и магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД |
27. Равновесная ширина полосового домена | Средняя ширина полосового домена, соответствующая абсолютному минимуму энергии размагниченной монокристаллической пленки феррита-граната |
28. Угол отклонение оси легкого намагничивания МПФГ | Угол между осью легкого намагничивания и нормалью к поверхности монокристаллической пленки феррита-граната |
29. Номинальный диаметр ЦМД | Диаметр цилиндрического магнитного домена в середине области устойчивости ЦМД |
30. Толщина МПФГ | - |
КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
31. ЦМД-кристалл | Часть ЦМД-пластины с нанесенной на нее схемой управления цилиндрическими магнитными доменами |
32. Плата микросборки ЦМД | Часть конструкции микросборки ЦМД, предназначенная для закрепления одного или нескольких ЦМД-кристаллов и соединения их с выводами микросборки ЦМД |
33. Корпус микросборки ЦМД | Часть конструкции микросборки ЦМД, предназначенная для защиты от внешнего воздействия, экранирования от внешних магнитных полей и замыкания магнитного поля смещения микросборки ЦМД |
34. Система постоянных магнитов микросборки ЦМД | Часть конструкции микросборки ЦМД, являющаяся источником поля смещения |
35. Растекатель микросборки ЦМД | Часть системы постоянных магнитов микросборки ЦМД, выполненная из магнитомягкого материала, предназначенная для повышения однородности поля смещения |
36. Катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД | Система катушек микросборки ЦМД, при пропускании через которые токов заданной формы осуществляется продвижение цилиндрических магнитных доменов |
37. Вывод микросборки ЦМД | Элемент конструкции микросборки ЦМД, предназначенный для ее электрического соединения с внешними электрическими цепями и механического крепления |
38. Контактная площадка ЦМД-кристалла | Металлизированный участок на ЦМД-кристалле, служащий для присоединения выводов ЦМД-кристалла, а также для контроля исправности его электрических цепей |
39. Вывод ЦМД-кристалла | Элемент конструкции микросборки ЦМД, соединенный с контактной площадкой ЦМД-кристалла и предназначенный для электрического соединения ЦМД-кристалла и платы микросборки ЦМД |
40. Ферромагнитная аппликация | Пленочная аппликация из ферромагнитного материала, нанесенная на поверхность ЦМД-материала, предназначенная для создания магнитостатической ловушки. |
41. Токовая аппликация | Пленочная проводниковая аппликация, нанесенная на поверхность ЦМД-материала, предназначенная для создания магнитостатической ловушки |
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
42. Схема управления ЦМД | Совокупность аппликаций или локальных изменений структуры ЦМД-материала или их комбинированная совокупность, служащие для осуществления функциональных операций с цилиндрическими магнитными доменами при воздействии полей и токов |
43. Функциональный узел ЦМД-кристалла | Часть схемы управления ЦМД, предназначенная для реализации определенной функции |
44. Схема продвижения ЦМД | Часть схемы управления ЦМД, определяющая траекторию продвижения цилиндрического магнитного домена |
45. Элемент продвижения ЦМД | Токовая аппликация или локальное изменение структуры ЦМД-материала, предназначенные для перемещения цилиндрических магнитных доменов по схеме продвижения |
46. Элемент сопряжения схемы продвижения ЦМД | Аппликация или локальное изменение структуры ЦМД-материала, предназначенные для соединения прямолинейных участков схемы продвижения цилиндрических магнитных доменов при изменении их направления продвижения |
47. Магнитостатическая ловушка | Локализованная зона ЦМД-кристалла с меньшим значением напряженности магнитного поля смещения, вызванная существованием магнитных полей, параллельных и противоположно направленных полю смещения, и служащая для удержания цилиндрических магнитных доменов |
48. Генератор ЦМД | Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для зарождения цилиндрических магнитных доменов |
49. Узел считывания микросборки ЦМД | Функциональный узел ЦМД-кристалла, осуществляющий подготовку ЦМД-сигнала к регистрации и преобразование его в электрический выходной сигнал микросборки ЦМД |
50. Детектор ЦМД | Часть узла считывания микросборки ЦМД, предназначенная для формирования выходного сигнала микросборки ЦМД |
51. Рабочий детектор ЦМД | Часть детектора ЦМД, предназначенная для выделения ЦМД-сигнала и преобразования его в электрический сигнал |
52. Компенсационный детектор ЦМД | Часть детектора ЦМД, предназначенная для компенсации электрического сигнала, наводимого в рабочем детекторе ЦМД вращающимся магнитным полем |
53. Расширитель ЦМД | Часть узла считывания микросборки ЦМД, осуществляющая растягивание цилиндрического магнитного домена в полосовой домен с целью увеличения выходного сигнала микросборки ЦМД |
54. Аннигилятор ЦМД | Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для уничтожения цилиндрических магнитных доменов |
55. Регистр хранения информации микросборки ЦМД | Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для накопления и хранения цилиндрических магнитных доменов |
56. Регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД | Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для связи элементов управления цилиндрическими магнитными доменами с регистрами хранения информации при записи и считывании информации |
57. Регистр ввода информации микросборки ЦМД | Часть регистра ввода-вывода информации микросборки ЦМД или самостоятельный регистр, осуществляющий передачу информации от генератора ЦМД в регистры хранения информации микросборки ЦМД |
58. Регистр вывода информации микросборки ЦМД | Часть регистра ввода-вывода информации микросборки ЦМД или самостоятельный регистр, осуществляющий передачу информации из регистров хранения к узлу считывания микросборки ЦМД |
59. Репликатор ЦМД | Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для деления цилиндрического магнитного домена на два, а также для ввода цилиндрического магнитного домена в регистр хранения и вывода из него |
60. Переключатель ввода-вывода ЦМД | Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для ввода информации в виде наличия или отсутствия цилиндрического магнитного домена в регистры хранения информации микросборки ЦМД и вывода информации из них |
61. Переключатель вывода ЦМД | Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для вывода информации из регистров хранения в регистр вывода или регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
62. Переключатель ввода ЦМД | Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для перевода информации из регистра ввода или регистра ввода-вывода в регистр хранения информации микросборки ЦМД |
63. Обменный переключатель ЦМД | Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для обмена информацией между регистром хранения и регистром ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
64. Реверсивный переключатель ввода-вывода ЦМД | Функциональный узел ЦМД-кристалла, осуществляющий функции переключателя ввода или переключателя вывода ЦМД при изменении направления вращающегося магнитного поля |
65. Защитный массив ЦМД-кристалла | Совокупность ферромагнитных аппликаций и (или) локальных изменений структуры ЦМД-кристалла, охватывающих рабочую зону ЦМД-кристалла для ее экранирования и вывода неинформационных ЦМД |
ОРГАНИЗАЦИЯ МИКРОСБОРОК ЦМД | |
66. Последовательная структура микросборки ЦМД | Организация микросборки ЦМД в виде одного автономного регистра хранения информации микросборки ЦМД |
67. Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД | Организация микросборки ЦМД в виде совокупности регистров хранения информации микросборки ЦМД, объединенных регистром или регистрами ввода и вывода информации микросборки ЦМД |
68. Структура микросборки ЦМД с замкнутым регистром ввода-вывода | Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой регистры хранения объединены одним замкнутым регистром ввода и вывода информации микросборки ЦМД |
69. Структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода-вывода | Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой регистры хранения объединены раздельными регистрами ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
70. Структура микросборки ЦМД с обменным переключателем | Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода и вывода и с переключателем обменного типа в регистре ввода информации микросборки ЦМД |
71. Структура микросборки ЦМД с блочным реплицированием | Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой совокупность регистров хранения информации микросборки ЦМД разделена на определенное число блоков |
ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
72. Вращающееся магнитное поле микросборки ЦМД | Магнитное поле, вектор напряженности которого вращается в плоскости ЦМД-кристалла, служащее для продвижения цилиндрических магнитных доменов |
73. Магнитное поле смещения микросборки ЦМД | Постоянное магнитное поле, создаваемое системой постоянных магнитов микросборки ЦМД, перпендикулярное к плоскости ЦМД-кристалла |
74. Поле управления ЦМД | Переменное магнитное поле, возникающее в ЦМД-кристалле при подаче импульсов тока в элементы управления и осуществляющее функциональные операции с цилиндрическими магнитными доменами при наличии вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
75. Страница данных микросборки ЦМД | Последовательность информационных ЦМД, определяемая количеством регистров хранения информации микросборки ЦМД и выводимая из регистров хранения в одном такте вращающегося магнитного поля |
76. Дефектный регистр хранения информации микросборки ЦМД | Регистр хранения информации микросборки ЦМД, имеющий технологический дефект и неспособный накапливать и хранить цилиндрические магнитные домены |
77. Резервные регистры хранения информации микросборки ЦМД | Избыточные регистры хранения информации микросборки ЦМД, предусматриваемые при проектировании ЦМД-кристалла, за счет которых обеспечивается, при наличии дефектных регистров, номинальная информационная емкость микросборки ЦМД |
78. Служебные регистры хранения информации микросборки ЦМД | Избыточные регистры хранения информации микросборки ЦМД, предусматриваемые при проектировании ЦМД-кристалла, используемые по усмотрению потребителя для обнаружения и исправления ошибок и хранения карты дефектных регистров |
79. Карта дефектных регистров хранения информации | Перечень номеров дефектных регистров хранения информации микросборки ЦМД |
80. Режим "старт-стоп" микросборки ЦМД | Режим работы и контроля микросборки ЦМД, при котором вращающееся магнитное поле останавливается в определенной фазе, с которой в дальнейшем оно возобновляется. |
81. Удерживающее поле микросборки ЦМД | Проекция поля смещения в плоскости ЦМД-кристалла, получаемая наклоном ЦМД-кристалла к плоскости постоянных магнитов и служащая для сохранения информации при отключении питания микросборки ЦМД |
ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЕ РАБОТУ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
82. Электронное обрамление ЗУ на ЦМД | Система функциональных электронных блоков, обеспечивающая функционирование микросборок ЦМД и ЦМД-накопителей и их совместимость с внешними устройствами |
83. Линейное обрамление ЦМД-накопителя | Часть электронного обрамления ЗУ на ЦМД, обеспечивающая формирование токов управления функциональными узлами ЦМД-кристалла и усиление выходных сигналов микросборки ЦМД |
84. Контроллер ЗУ на ЦМД | Часть электронного обрамления ЗУ на ЦМД, обеспечивающая заданные режимы работы запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах и организацию связи с интерфейсом внешних систем |
ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСБОРОК ЦМД | |
85. Одноуровневое исполнение ЦМД-кристалла | Исполнение ЦМД-кристалла, при котором функциональные узлы и коммутационную разводку изготавливают из пермаллоевого слоя на одном уровне |
86. Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла | - |
87. Планарное исполнение ЦМД-кристалла | Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла, при котором все магнитопленочные элементы располагаются в одном уровне |
88. Непланарное исполнение ЦМД-кристалла | Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла, при котором часть магнитопленочных элементов приподнята над токовыми элементами управления |
89. Квазипланарное исполнение ЦМД-кристалла | Многоуровневое построение ЦМД-кристалла, при котором геометрический рельеф топологического элемента сглаживается диэлектрическим слоем более чем на половину толщины элемента |
ПАРАМЕТРЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
90. Время считывания страницы данных микросборки ЦМД | Интервал времени, в течение которого все цилиндрические магнитные домены страницы данных проходят через детектор ЦМД |
91. Выходное напряжение высокого уровня микросборки ЦМД | Значение напряжения высокого уровня на выходе микросборки ЦМД при считывании информации |
92. Выходное напряжение низкого уровня микросборки ЦМД | Значение напряжения низкого уровня на выходе микросборки ЦМД при считывании информации |
93. Среднее время выборки микросборки ЦМД | Время выборки первого бита средней страницы данных микросборки ЦМД |
94. Период вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД | Интервал времени, за который вектор вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД делает поворот на 360° |
95. Рабочая частота микросборки ЦМД | Частота вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
96. Потребляемая мощность микросборки ЦМД | Средняя мощность, потребляемая микросборкой ЦМД при наиболее характерном режиме обращения к микросборке ЦМД |
97. Область устойчивой работы микросборки ЦМД | Совокупность значений параметров микросборки ЦМД в допустимых пределах их изменений, обеспечивающая функционирование микросборки ЦМД |
98. Рабочий диапазон температур микросборки ЦМД | Диапазон температур окружающей среды или на корпусе микросборки ЦМД, при котором обеспечиваются требуемые характеристики микросборки ЦМД |
99. Диапазон температур хранения информации микросборки ЦМД | Диапазон температур, пребывание в котором микросборки ЦМД с записанной информацией и отключенным питанием не вызывает потерь информации |
ПАРАМЕТРЫ РЕЖИМА ЭКСПЛУАТАЦИИ И ИЗМЕРЕНИЙ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
100. Ток управления микросборки ЦМД | Амплитуда импульса тока, проходящего через катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
101. Ток генератора ЦМД | Амплитуда импульса тока генератора ЦМД при зарождении цилиндрического магнитного домена |
102. Ток переключателя ввода ЦМД | Амплитуда импульса тока переключателя ввода ЦМД при переводе цилиндрических магнитных доменов из регистра ввода в регистр хранения |
103. Ток переключателя вывода ЦМД | Амплитуда импульса тока переключателя вывода ЦМД при переводе цилиндрических магнитных доменов из регистров хранения в регистр вывода |
104. Ток обменного переключателя ЦМД | Амплитуда импульса тока обменного переключателя ЦМД при одновременном переводе цилиндрического магнитного домена из регистра ввода-вывода в регистры хранения и из регистров хранения в регистр ввода-вывода |
105. Ток репликатора ЦМД | Амплитуда импульса тока репликатора ЦМД при делении цилиндрического магнитного домена с последующим выводом информации |
106. Ток детектора ЦМД | Амплитуда импульса тока, проходящего через детектор ЦМД при считывании ЦМД-сигнала, представленного наличием цилиндрического магнитного домена |
107. Длительность импульса тока генератора ЦМД | - |
108. Длительность импульса тока переключателя ввода ЦМД | - |
109. Длительность импульса тока переключателя вывода ЦМД | - |
110. Длительность импульса тока обменного переключателя ЦМД | - |
111. Длительность импульса тока репликатора ЦМД | - |
112. Время задержки импульса тока генератора ЦМД | - |
113. Время задержки импульса тока переключателя ввода ЦМД | - |
114. Время задержки импульса тока переключателя вывода ЦМД | - |
115. Время задержки импульса тока обменного переключателя ЦМД | - |
116. Время задержки импульса тока репликатора ЦМД | - |
117. Сопротивление генератора ЦМД | - |
118. Сопротивление переключателя ввода ЦМД | - |
119. Сопротивление переключателя вывода ЦМД | - |
120. Сопротивление переключателя ввода-вывода ЦМД | - |
121. Сопротивление обменного переключателя ЦМД | - |
122. Сопротивление детектора ЦМД | - |
123. Разность сопротивлений детекторов ЦМД | Разность сопротивлений рабочего и компенсационного детекторов ЦМД |
124. Сопротивление катушек вращающегося поля микросборки ЦМД | - |
125. Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД | - |
126. Фазовый сдвиг токов катушек вращающегося поля микросборки ЦМД | - |
127. Чувствительность детектора ЦМД | Отношение выходного напряжения высокого уровня микросборки ЦМД к току детектора ЦМД |
напряженности внешнего переменного магнитного поля 
, при превышении которого амплитуда смещения доменной границы описывается зависимостью 
, где 
- константа, не зависящая от 
, 
*
** 
, 
, 
, 
__________________
* Длительность импульсов токов определяют на уровне 0,5 максимальной амплитуды.
** Время задержки импульсов токов отсчитывают от начала положительной полуволны тока катушки вращающегося магнитного поля.
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 2
Термин | Номер термина |
Аннигилятор | 54 |
Аннигилятор ЦМД | 54 |
Аппликация токовая | 41 |
Аппликация ферромагнитная | 40 |
Время выборки среднее | 93 |
Время выборки микросборки ЦМД среднее | 93 |
Время задержки импульса тока ввода | 113 |
Время задержки импульса тока вывода | 114 |
Время задержки импульса тока генератора | 112 |
Время задержки импульса тока генератора микросборки ЦМД | 112 |
Время задержки импульса тока обменного переключателя | 115 |
Время задержки импульса тока обменного переключателя ЦМД | 115 |
Время задержки импульса тока переключателя ввода ЦМД | 113 |
Время задержки импульса тока переключателя вывода ЦМД | 114 |
Время задержки импульса тока репликатора | 116 |
Время задержки импульса тока репликатора ЦМД | 116 |
Время задержки импульса тока репликации | 116 |
Время считывания страницы | 90 |
Время считывания страницы данных микросборки ЦМД | 90 |
Вывод микросборки ЦМД | 37 |
Вывод ЦМД-кристалла | 39 |
Генератор ЦМД | 48 |
Детектор ЦМД | 50 |
Детектор ЦМД компенсационный | 52 |
Детектор ЦМД рабочий | 51 |
Дефект МПФГ | 14 |
Дефект МПФГ магнитный | 16 |
Дефект поверхности МПФГ | 15 |
Диаметр ЦМД номинальный | 29 |
Диапазон температур микросборки ЦМД рабочий | 98 |
Диапазон температур рабочий | 98 |
Диапазон температур хранения информации | 99 |
Диапазон температур хранения информации микросборки ЦМД | 99 |
Длина ЦМД-материала характеристическая | 22 |
Длительность импульса тока генератора | 106 |
Длительность импульса тока генератора ЦМД | 106 |
Длительность импульса тока ввода | 108 |
Длительность импульса тока вывода | 109 |
Длительность импульса тока обмена информации | 110 |
Длительность импульса тока обменного переключателя | 110 |
Длительность импульса тока обменного переключателя ЦМД | 110 |
Длительность импульса тока переключателя ввода ЦМД | 108 |
Длительность импульса тока переключателя вывода ЦМД | 109 |
Длительность импульса тока репликатора | 111 |
Длительность импульса тока репликатора ЦМД | 111 |
Домен магнитный цилиндрический | 2 |
Домен магнитный цилиндрический жесткий | 3 |
Домен магнитный цилиндрический информационный | 5 |
Домен магнитный цилиндрический неинформационный | 6 |
Домен магнитный цилиндрический несквозной | 4 |
ЗУ на ЦМД | 7 |
Изделие на цилиндрических магнитных доменах магнитоэлектронное | 1 |
Изделие на ЦМД магнитоэлектронное | 1 |
Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля | 125 |
Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД | 125 |
Индуктивность узла управления | 125 |
Исполнение ЦМД-кристалла квазипланарное | 89 |
Исполнение ЦМД-кристалла многоуровневое | 86 |
Исполнение ЦМД-кристалла непланарное | 88 |
Исполнение ЦМД-кристалла одноуровневое | 85 |
Исполнение ЦМД-кристалла планарное | 87 |
Канал продвижения | 44 |
Карта дефектных регистров | 79 |
Карта дефектных регистров хранения информации | 79 |
Катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД | 36 |
Катушки вращающегося поля | 36 |
Катушки управления | 36 |
Контроллер ЗУ на ЦМД | 84 |
Контроллер | 84 |
Корпус | 33 |
Корпус микросборки ЦМД | 33 |
Ловушка магнитостатическая | 47 |
Массив защитный | 65 |
Массив ЦМД-кристалла защитный | 65 |
Микросборка на цилиндрических магнитных доменах | 8 |
Микросборка ЗУ ЦМД | 8 |
Микросборка ЦМД | 8 |
Мощность микросборки ЦМД потребляемая | 96 |
Мощность потребляемая | 96 |
МПФГ | 13 |
МСЛ | 47 |
Напряжение высокого уровня выходное | 91 |
Напряжение высокого уровня микросборки ЦМД выходное | 91 |
Напряжение низкого уровня выходное | 92 |
Напряжение низкого уровня микросборки ЦМД выходное | 92 |
Напряженность поля зарождения | 19 |
Напряженность магнитного поля зарождения ЦМД | 19 |
Напряженность магнитного поля коллапса ЦМД | 20 |
Напряженность магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД | 21 |
Напряженность поля коллапса | 20 |
Напряженность поля неустойчивости | 21 |
Область устойчивой работы микросборки ЦМД | 97 |
Область устойчивости ЦМД | 26 |
Обрамление ближайшее | 83 |
Обрамление ЗУ на ЦМД электронное | 82 |
Обрамление линейное | 83 |
Обрамление ЦМД-накопителя линейное | 83 |
Обрамление электронное | 82 |
Переключатель ввода | 62 |
Переключатель ввода-вывода | 60 |
Переключатель ввода-вывода реверсивный | 64 |
Переключатель ввода-вывода ЦМД | 60 |
Переключатель ввода-вывода ЦМД реверсивный | 64 |
Переключатель ввода ЦМД | 62 |
Переключатель вывода | 61 |
Переключатель вывода ЦМД | 61 |
Переключатель обменный | 63 |
Переключатель ЦМД обменный | 63 |
Период вращающегося магнитного поля | 94 |
Период вращающегося магнитного поля микроосборки ЦМД | 94 |
Петля мажорная | 56 |
Петля минорная | 55 |
Плата | 32 |
Плата микросборки ЦМД | 32 |
Пленка доменосодержащая | 13 |
Пленка феррита-граната монокристаллическая | 13 |
Площадка контактная | 38 |
Площадка ЦМД-кристалла контактная | 38 |
Подложка МПФГ | 17 |
Поле магнитное вращающееся | 72 |
Поле микросборки ЦМД магнитное вращающееся | 72 |
Поле микросборки ЦМД удерживающее | 81 |
Поле смещения | 73 |
Поле смещения микросборки ЦМД магнитное | 73 |
Поле удерживающее | 81 |
Поле управления ЦМД | 74 |
Разность сопротивлений детекторов | 123 |
Разность сопротивлений детекторов ЦМД | 123 |
Растекатель | 35 |
Растекатель микросборки ЦМД | 35 |
Расширитель | 53 |
Расширитель ЦМД | 53 |
Регистр ввода | 57 |
Регистр ввода-вывода | 56 |
Регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД | 56 |
Регистр ввода информации микросборки ЦМД | 57 |
Регистр вывода | 58 |
Регистр вывода информации микросборки ЦМД | 58 |
Регистр дефектный | 76 |
Регистр хранения | 55 |
Регистр хранения информации микросборки ЦМД | 55 |
Регистр хранения информации микросборки ЦМД дефектный | 76 |
Регистры резервные | 77 |
Регистры служебные | 78 |
Регистры хранения информации микросборки ЦМД резервные | 77 |
Регистры хранения информации микросборки ЦМД служебные | 78 |
Режим "старт-стоп" | 80 |
Режим "старт-стоп" микросборки ЦМД | 80 |
Репликатор | 59 |
Репликатор ЦМД | 59 |
Решетка ЦМД | 18 |
Сдвиг токов катушек вращающегося поля микросборки ЦМД фазовый | 126 |
Сдвиг фазовый | 126 |
Сила коэрцитивная динамическая | 24 |
Система постоянных магнитов | 34 |
Система постоянных магнитов микросборки ЦМД | 34 |
Скорость насыщения доменной границы | 25 |
Сопротивление генератора | 117 |
Сопротивление генератора ЦМД | 117 |
Сопротивление детектора | 122 |
Сопротивление детектора ЦМД | 122 |
Сопротивление катушек вращающегося магнитного поля | 124 |
Сопротивление катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД | 124 |
Сопротивление обменного переключателя | 121 |
Сопротивление обменного переключателя ЦМД | 121 |
Сопротивление переключателя ввода | 118 |
Сопротивление переключателя ввода-вывода | 117 |
Сопротивление переключателя ввода-вывода ЦМД | 117 |
Сопротивление переключателя ввода ЦМД | 118 |
Сопротивление переключателя вывода | 119 |
Сопротивление переключателя вывода ЦМД | 119 |
Страница данных | 75 |
Страница данных микросборки ЦМД | 75 |
Структура микросборки ЦМД последовательная | 66 |
Структура микросборки ЦМД последовательно-параллельная | 67 |
Структура микросборки ЦМД с блочным реплицированием | 71 |
Структура микросборки ЦМД с замкнутым регистром ввода-вывода | 68 |
Структура микросборки ЦМД с обменным переключателем | 70 |
Структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода-вывода | 69 |
Структура последовательная | 66 |
Структура последовательно-параллельная | 67 |
Структура с блочным реплицированием | 71 |
Структура с замкнутым регистром ввода-вывода | 68 |
Структура с обменным переключателем | 70 |
Структура с раздельными регистрами ввода-вывода | 69 |
Схема продвижения | 44 |
Схема продвижения ЦМД | 44 |
Схема управления | 42 |
Схема управления ЦМД | 42 |
Ток ввода | 102 |
Ток вывода | 103 |
Ток генератора | 101 |
Ток генератора ЦМД | 101 |
Ток детектора | 106 |
Ток детектора ЦМД | 106 |
Ток обменного переключателя | 104 |
Ток обменного переключателя ЦМД | 104 |
Ток переключателя ввода ЦМД | 102 |
Ток переключателя вывода ЦМД | 103 |
Ток репликатора | 105 |
Ток репликатора ЦМД | 105 |
Ток управления | 100 |
Ток управления микросборки ЦМД | 100 |
Толщина МПФГ | 30 |
Трансфер ввода | 63 |
Трансфер ввода-вывода | 61 |
Трансфер вывода | 62 |
Угол отклонения оси легкого намагничивания МПФГ | 28 |
Узел считывания | 49 |
Узел считывания микросборки ЦМД | 49 |
Узел функциональный | 43 |
Узел ЦМД-кристалла функциональный | 43 |
Узел чипа функциональный | 43 |
Устройство на цилиндрических магнитных доменах запоминающее | 7 |
Фактор качества | 23 |
Фактор качества ЦМД-материала | 23 |
ЦМД | 2 |
ЦМД жесткий | 3 |
ЦМД информационный | 5 |
ЦМД-кристалл | 31 |
ЦМД неинформационный | 6 |
ЦМД несквозной | 4 |
ЦМД-материал | 11 |
ЦМД-накопитель | 9 |
ЦМД-пластина | 12 |
ЦМД-сигнал | 10 |
Частота микросборки ЦМД рабочая | 95 |
Частота рабочая | 95 |
Чип | 31 |
Чувствительность детектора ЦМД | 127 |
Ширина полосового домена равновесная | 27 |
Элемент продвижения | 45 |
Элемент продвижения ЦМД | 45 |
Элемент сопряжения | 46 |
Элемент сопряжения схемы продвижения ЦМД | 46 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 3
Термин | Номер термина |
A map of defective loop | 76 |
Bias magnetic field | 73 |
Bubble chip | 31 |
Bubble collaps field intensity | 20 |
Bubble detector | 50 |
Bubble generator | 48 |
Bubble margin | 26 |
Bubble material | 11 |
Bubble memory | 7 |
Bubble memory controller | 84 |
Bubble memory device | 8 |
Bubble propagation path | 44 |
Bubble replicator | 59 |
Bubble signal | 10 |
Bubble storage loop | 55 |
Chip | 31 |
Hard bubble | 3 |
Magnetic bubble | 2 |
Major loop | 56 |
Minor loop | 55 |
Propagation element | 45 |
Read gate | 61 |
Redundant gate | 77 |
Replicate gate | 59 |
Rotating magnetic field | 72 |
Strip domain width | 27 |
Swap gate | 63 |
Transfer in | 62 |
Transfer out | 61 |
Write gate | 62 |
X'Y coils | 36 |
ПРИЛОЖЕНИЕ (справочное). ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ, НЕОБХОДИМЫЕ ДЛЯ ПОНИМАНИЯ ТЕКСТА СТАНДАРТА
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
Таблица 4
Термин | Определение |
1. Магнитоэлектронное изделие | Изделие, состоящее из конструктивных элементов, функционирующих на основе использования физических явлений магнитной природы |
2. Средняя страница | Страница данных, хранящаяся в регистрах хранения, время выборки, которой равно половине суммы времени выборки первой и последней страницы данных |
3. Магнитоодноосный материал | Магнитный материал, имеющий единственную ось легкого намагничивания |
4. Полосовая доменная структура | Упорядоченная совокупность полосовых доменов |
5. Подвижность доменной границы | Отношение приращения скорости перемещения доменной границы к приращению напряженности продвигающего ее магнитного поля |
6. Блоховская граница | Доменная граница, в которой разворот вектора намагниченности происходит в плоскости, параллельной плоскости доменной границы |
7. Неелевская граница | Доменная граница, в которой разворот вектора намагниченности происходит в плоскости, перпендикулярной плоскости доменной границы |
8. Вертикальная блоховская линия | Переходной неелевский участок доменной границы, разделяющий блоховские участки доменной границы с противоположными направлениям разворота вектора намагничивания |
9. Напряженность поля одноосной магнитной анизотропии | Отношение удвоенной константы одноосной магнитной анизотропии к намагниченности технического насыщения |
10. Эффективная напряженность поля одноосной магнитной анизотропии | Разность напряженности поля одноосной магнитной анизотропии и намагниченности технического насыщения |