ГОСТ 27299-87
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Semiconductor optoelectronic devices.
Terms, definitions and letter symbols of parameters
МКС 01.040.31
31.080
ОКСТУ 6201
Дата введения 1988-07-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТЧИКИ:
В.Н.Алмазова (руководитель темы), Ж.А.Крайтман
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 23.04.87 N 1383
3. Срок первой проверки 1998 г.
Периодичность проверки 10 лет
4. Стандарт соответствует СТ СЭВ 3787-82 в части разд.1 и 3.
5. ВЗАМЕН ГОСТ 22274-80, ГОСТ 23562-79, ГОСТ 24403-80
6. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
Обозначение НТД, на который дана ссылка | Номер пункта |
ГОСТ 7601-78 | 1 |
7. ПЕРЕИЗДАНИЕ
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
1. Стандартизованные термины, буквенные обозначения и определения приведены в табл.1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл.1 в качестве справочных и обозначены пометой "Ндп" .
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе "Определение" поставлен прочерк.
2.4. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском языке.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском и английском языках приведены в табл.2 и 3.
4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
Таблица 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечест- венное | между- народное | ||
ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ | |||
1. Поток излучения |
|
| По ГОСТ 7601 |
2. Мощность излучения полупроводникового излучателя |
|
| Суммарный поток излучения на выходе полупроводникового излучателя |
3. Сила излучения |
|
| По ГОСТ 7601 |
4. Энергетическая яркость |
|
| По ГОСТ 7601 |
5. Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя | - | - | Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси |
6. Угол излучения полупроводникового излучателя |
|
| Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения |
7. Длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя |
|
| Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя |
8. Ширина спектра излучения полупроводникового излучателя |
|
| Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине ее максимального значения |
9. Длительность импульса излучения полупроводникового излучателя |
| - | Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя больше или равна половине ее максимального значения |
10. Оптическая ось полупроводникового излучателя | - | - | Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя |
11. Геометрическая ось полупроводникового излучателя | - | - | Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя |
12. Угол расхождения |
|
| Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя |
13. Постоянный прямой ток полупроводникового излучателя |
|
| Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении |
14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя |
|
| Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса |
15. Средний прямой ток полупроводникового излучателя |
|
| Среднее за период значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель |
16. Постоянный обратный ток полупроводникового излучателя |
|
| Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в обратном направлении при заданном обратном напряжении |
17. Постоянное прямое напряжение полупроводникового излучателя |
|
| Значение постоянного напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном постоянном прямом токе |
18. Импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя |
|
| Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе |
19. Постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя |
|
| Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении |
20. Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя |
| - | Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на полупроводниковом излучателе |
21. Напряжение пробоя полупроводникового излучателя |
|
| Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение |
22. Общая емкость полупроводникового излучателя |
|
| Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте |
23. Емкость перехода полупроводникового излучателя |
|
| Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя без емкости корпуса при заданных напряжении смещения и частоте |
24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя |
|
| Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе |
25. Средняя рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя |
|
| Среднее за период значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при протекании тока в прямом и обратном направлениях |
26. Импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя |
|
| Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при подаче импульсов с заданной длительностью и скважностью |
27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя |
|
| Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90% своего максимального значения |
28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя |
|
| Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения |
29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя |
|
| Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов |
30. Световой поток |
|
| По ГОСТ 7601 |
31. Тепловое сопротивление полупроводникового излучателя |
|
| Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме |
32. Температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя |
|
| Отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды |
ПАРАМЕТРЫ ОПТОПАР, ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ КОММУТАТОРОВ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ | |||
33. Входное напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
| Значение напряжения на входе оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) в заданном режиме. |
34. Напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
| Значение напряжения, приложенного между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя), при котором обеспечивается ее электрическая прочность |
35. Постоянное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) | - | - | - |
36. Повторяющееся импульсное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатороа, оптоэлектронного переключателя) |
|
| Напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) с заданной длительностью и частотой повторения импульсов |
37. Неповторяющееся импульсное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
| - |
38. Входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
| Значение тока, протекающего во входной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
39. Импульсный входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
| Наибольшее мгновенное значение тока, протекающего во входной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя), при котором обеспечиваются заданные параметры |
40. Сопротивление изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
| Значение активного сопротивления между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
41. Проходная емкость оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
| Значение емкости между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
42. Критическая скорость изменения напряжения изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
| - | Наибольшее значение скорости изменения напряжения изоляции, при которой не происходит срабатывания оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
43. Выходное остаточное напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
| Значение напряжения на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в открытом состоянии |
44. Коммутируемое напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
| - | Значение напряжения, подключаемого к нагрузке оптопары (оптоэлектронного коммутатора) выходным ключевым элементом |
45. Ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
| Значение тока, протекающего в выходной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в заданном режиме в закрытом состоянии |
46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
| Интервал времени между 10% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов |
47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
| Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения |
48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
| Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10% значения входного сигнала и 90% значения выходного сигнала |
49. Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
| Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10% своего максимального значения |
50. Время сохранения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
| Интервал времени между 90% значения входного сигнала и 90% выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по спаду импульсов |
51. Время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
| Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала |
52. Обратное входное напряжение оптопары |
|
| Значение напряжения на входе оптопары, приложенное в обратном направлении |
53. Обратное выходное напряжение оптопары |
| - | Наибольшее значение напряжения, приложенного в обратном направлении к выходу оптопары в закрытом состоянии фотоприемного элемента |
54. Фотоэлектродвижущая сила диодной оптопары |
| - | Электродвижущая сила на выходе диодной оптопары в вентильном режиме работы фотоприемного элемента при заданном входном токе |
55. Прямое выходное напряжение в закрытом состоянии тиристорной оптопары |
| - | Значение напряжения на выходе тиристорной оптопары, находящейся в закрытом состоянии |
56. Ток включения тиристорной оптопары |
|
| Входной ток тиристорной оптопары обеспечивающий включение фотоприемного элемента |
57. Ток выключения тиристорной оптопары |
|
| Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента |
58. Ток удержания тиристорной оптопары |
| - | Наименьшее значение тока, протекающего в выходной цепи тиристорной оптопары, необходимого для поддержания фотоприемного элемента в открытом состоянии при входном токе, равном нулю |
59. Выходной ток оптопары |
|
| Значение тока, протекающего в цепи нагрузки оптопары в заданном режиме |
60. Импульсный выходной ток оптопары |
| - | Наибольшее мгновенное значение выходного тока оптопары |
61. Темновое выходное сопротивление резисторной оптопары |
|
| Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения |
62. Световое выходное сопротивление резисторной оптопары |
|
| Значение сопротивления фотоприемного элемента при воздействии на него потока излучения заданного значения |
63. Коэффициент передачи по току оптопары |
|
| Отношение разности выходного тока и тока утечки на выходе оптопары к вызвавшему его входному току |
64. Рассеиваемая мощность оптопары |
| - | Наибольшее значение мощности, которую способна рассеять оптопара в заданном режиме при длительной работе |
65. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары |
| - | Скорость нарастания выходного напряжения, которое не вызывает переключения фотоприемного элемента тиристорной оптопары из закрытого состояния в открытое при входном токе, равном нулю |
66. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары |
| - | Наибольшая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары |
67. Критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары |
| - | Наибольшая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары, которое непосредственно после нагрузки током в противоположном направлении не вызывает переключения фотоприемного элемента из закрытого состояния в открытое |
68. Время выключения тиристорной оптопары |
| - | Наименьший интервал времени между моментом, когда выходной ток тиристорной оптопары понизится до нулевого значения, и моментом, в который подача прямого выходного напряжения в закрытом состоянии с заданной скоростью нарастания не приводит к переключению фотоприемного элемента из закрытого состояния в открытое |
69. Коммутируемый ток оптоэлектронного коммутатора |
| - | Значение тока, протекающего в выходной цепи оптоэлектронного коммутатора в открытом состоянии |
70. Выходное сопротивление в открытом состоянии оптоэлектронного коммутатора |
| - | - |
71. Выходная емкость оптоэлектронного переключателя |
|
| Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме |
72. Выходное напряжение высокого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
| - |
73. Выходное напряжение низкого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
| - |
74. Напряжение питания оптоэлектронного переключателя |
|
| Значение напряжения источника питания, обеспечивающего работу оптоэлектронного переключателя в заданном режиме |
75. Выходной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
| Значение выходного тока при выходном напряжении высокого уровня оптоэлектронного переключателя |
76. Выходной ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
| Значение выходного тока при выходном напряжении низкого уровня оптоэлектронного переключателя |
77. Пороговый входной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
| Наименьшее значение входного тока высокого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое |
78. Пороговый входной ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
| Наибольшее значение входного тока низкого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое |
79. Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя |
|
| Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении высокого уровня |
80. Ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя |
|
| Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении низкого уровня |
81. Динамический ток потребления оптоэлектронного переключателя |
| - | Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания в режиме переключения |
82. Емкость нагрузки оптоэлектронного переключателя |
| - | Значение суммарной емкости внешних цепей, подключенных к выходу оптоэлектронного переключателя |
83. Время задержки включения оптоэлектронного переключателя |
|
| Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения |
84. Время задержки выключения оптоэлектронного переключателя |
|
| Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения |
85. Время задержки распространения сигнала при включении оптоэлектронного переключателя |
|
| Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения |
86. Время задержки распространения сигнала при выключении оптоэлектронного переключателя |
|
| Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения |
87. Время перехода при включении оптоэлектронного переключателя |
|
| Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптоэлектронного переключателя переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения |
88. Время перехода при выключении оптоэлектронного переключателя |
|
| Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптоэлектронного переключателя переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения |
89. Коэффициент разветвления по выходу оптоэлектронного переключателя |
|
| Число единичных нагрузок, которые можно одновременно подключать к выходу оптоэлектронного переключателя |
, 
, 
, 
, 
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 2
Термин | Номер термина |
Время включения | 48 |
Время включения оптопары | 48 |
Время включения оптоэлектронного коммутатора | 48 |
Время выключения | 51 |
Время выключения оптопары | 51 |
Время выключения оптоэлектронного коммутатора | 51 |
Время выключения тиристорной оптопары | 68 |
Время задержки | 46 |
Время задержки включения | 83 |
Время задержки включения оптоэлектронного переключателя | 83 |
Время задержки выключения | 84 |
Время задержки выключения оптоэлектронного переключателя | 84 |
Время задержки оптопары | 46 |
Время задержки оптоэлектронного коммутатора | 46 |
Время задержки при включении | 29 |
Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя | 29 |
Время задержки распространения сигнала при включении | 85 |
Время задержки распространения сигнала при включении оптоэлектронного переключателя | 85 |
Время задержки распространения сигнала при выключении | 86 |
Время задержки распространения сигнала при выключении оптоэлектронного переключателя | 86 |
Время нарастания | 47 |
Время нарастания выходного сигнала оптопары | 47 |
Время нарастания выходного сигнала оптоэлектронного коммутатора | 47 |
Время нарастания импульса | 27 |
Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя | 27 |
Время перехода при включении | 87 |
Время перехода при включении оптоэлектронного переключателя | 87 |
Время перехода при выключении | 88 |
Время перехода при выключении оптоэлектронного переключателя | 88 |
Время сохранения | 50 |
Время сохранения оптопары | 50 |
Время сохранения оптоэлектронного коммутатора | 50 |
Время спада | 49 |
Время спада выходного сигнала оптопары | 49 |
Время спада выходного сигнала оптоэлектронного коммутатора | 49 |
Время спада импульса | 28 |
Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя | 28 |
Диаграмма направленности излучения | 5 |
Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя | 5 |
Длина волны излучения | 7 |
Длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя | 7 |
Длительность импульса излучения | 9 |
Длительность импульса излучения полупроводникового излучателя | 9 |
Емкость выходная | 71 |
Емкость общая | 22 |
Емкость оптоэлектронного переключателя выходная | 71 |
Емкость нагрузки | 82 |
Емкость нагрузки оптоэлектронного переключателя | 82 |
Емкость оптопары проходная | 41 |
Емкость оптоэлектронного коммутатора проходная | 41 |
Емкость оптоэлектронного переключателя проходная | 41 |
Емкость перехода | 23 |
Емкость перехода полупроводникового излучателя | 23 |
Емкость полупроводникового излучателя общая | 22 |
Емкость проходная | 41 |
Коэффициент передачи по току | 63 |
Коэффициент передачи по току оптопары | 63 |
Коэффициент прямого напряжения температурный | 32 |
Коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя температурный | 32 |
Коэффициент разветвления | 89 |
Коэффициент разветвления по выходу оптоэлектронного переключателя | 89 |
Мощность излучения | 2 |
Мощность излучения полупроводникового излучателя | 2 |
Мощность оптопары рассеиваемая | 64 |
Мощность полупроводникового излучателя рассеиваемая импульсная | 26 |
Мощность полупроводникового излучателя рассеиваемая средняя | 25 |
Мощность рассеиваемая | 64 |
Мощность рассеиваемая импульсная | 26 |
Мощность рассеиваемая средняя | 25 |
Напряжение в закрытом состоянии выходное прямое | 55 |
Напряжение в закрытом состоянии тиристорной оптопары выходное прямое | 55 |
Напряжение входное | 33 |
Напряжение входное обратное | 52 |
Напряжение высокого уровня выходное | 72 |
Напряжение высокого уровня оптоэлектронного переключателя выходное | 72 |
Напряжение выходное обратное | 53 |
Напряжение изоляции | 34 |
Напряжение изоляции импульсное неповторяющееся | 37 |
Напряжение изоляции импульсное повторяющееся | 36 |
Напряжение изоляции оптопары | 34 |
Напряжение изоляции оптопары импульсное неповторяющееся | 37 |
Напряжение изоляции оптопары импульсное повторяющееся | 36 |
Напряжение изоляции оптопары постоянное | 35 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора | 34 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора импульсное неповторяющееся | 37 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора импульсное повторяющееся | 36 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора постоянное | 35 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя | 34 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя импульсное неповторяющееся | 37 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя импульсное повторяющееся | 36 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя постоянное | 35 |
Напряжение изоляции постоянное | 35 |
Напряжение коммутируемое | 44 |
Напряжение низкого уровня выходное | 73 |
Напряжение низкого уровня оптоэлектронного переключателя выходное | 73 |
Напряжение обратное импульсное | 20 |
Напряжение обратное постоянное | 19 |
Напряжение оптопары входное | 33 |
Напряжение оптопары входное обратное | 52 |
Напряжение оптопары выходное обратное | 53 |
Напряжение оптопары коммутируемое | 44 |
Напряжение оптопары остаточное выходное | 43 |
Напряжение оптоэлектронного коммутатора входное | 33 |
Напряжение оптоэлектронного коммутатора коммутируемое | 44 |
Напряжение оптоэлектронного коммутатора остаточное выходное | 43 |
Напряжение оптоэлектронного переключателя входное | 33 |
Напряжение остаточное выходное | 43 |
Напряжение питания | 74 |
Напряжение питания оптоэлектронного переключателя | 74 |
Напряжение полупроводникового излучателя обратное импульсное | 20 |
Напряжение полупроводникового излучателя обратное постоянное | 19 |
Напряжение полупроводникового излучателя прямое импульсное | 18 |
Напряжение полупроводникового излучателя прямое постоянное | 17 |
Напряжение пробоя | 21 |
Напряжение пробоя полупроводникового излучателя | 21 |
Напряжение прямое импульсное | 18 |
Напряжение прямое постоянное | 17 |
Напряжение развязки | 34 |
Ось геометрическая | 11 |
Ось оптическая | 10 |
Ось полупроводникового излучателя геометрическая | 11 |
Ось полупроводникового излучателя оптическая | 10 |
Поток излучения | 1 |
Поток световой | 30 |
Сила диодной оптопары фотоэлектродвижущая | 54 |
Сила излучения | 3 |
Скорость изменения напряжения изоляции критическая | 42 |
Скорость изменения напряжения изоляции оптопары критическая | 42 |
Скорость изменения напряжения изоляции оптоэлектронного коммутатора критическая | 42 |
Скорость изменения напряжения изоляции оптоэлектронного переключателя критическая | 42 |
Скорость нарастания коммутируемого напряжения критическая | 67 |
Скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары критическая | 67 |
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии | 65 |
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии критическая | 66 |
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары | 65 |
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары критическая | 66 |
Сопротивление в открытом состоянии выходное | 70 |
Сопротивление в открытом состоянии оптоэлектронного коммутатора выходное | 70 |
Сопротивление динамическое | 24 |
Сопротивление изоляции | 40 |
Сопротивление изоляции оптопары | 40 |
Сопротивление изоляции оптоэлектронного коммутатора | 40 |
Сопротивление изоляции оптоэлектронного переключателя | 40 |
Сопротивление полупроводникового излучателя динамическое | 24 |
Сопротивление полупроводникового излучателя тепловое | 31 |
Сопротивление развязки | 40 |
Сопротивление резисторной оптопары выходное световое | 62 |
Сопротивление резисторной оптопары выходное темновое | 61 |
Сопротивление световое | 62 |
Сопротивление темновое | 61 |
Сопротивление тепловое | 31 |
Ток включения | 56 |
Ток включения тиристорной оптопары | 56 |
Ток входной | 38 |
Ток входной импульсный | 39 |
Ток выключения | 57 |
Ток выключения тиристорной оптопары | 57 |
Ток высокого уровня входной пороговый | 77 |
Ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя входной пороговый | 77 |
Ток высокого уровня выходной | 75 |
Ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя выходной | 75 |
Ток выходной | 59 |
Ток выходной импульсный | 60 |
Ток коммутируемый | 69 |
Ток низкого уровня входной пороговый | 78 |
Ток низкого уровня выходной | 76 |
Ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя входной пороговый | 78 |
Ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя выходной | 76 |
Ток обратный постоянный | 16 |
Ток оптопары входной | 38 |
Ток оптопары входной импульсный | 39 |
Ток оптопары выходной | 59 |
Ток оптопары выходной импульсный | 60 |
Ток оптоэлектронного коммутатора входной | 38 |
Ток оптоэлектронного коммутатора входной импульсный | 39 |
Ток оптоэлектронного коммутатора коммутируемый | 69 |
Ток оптоэлектронного переключателя входной | 38 |
Ток оптоэлектронного переключателя входной импульсный | 39 |
Ток полупроводникового излучателя обратный постоянный | 16 |
Ток полупроводникового излучателя прямой импульсный | 14 |
Ток полупроводникового излучателя прямой постоянный | 13 |
Ток полупроводникового излучателя прямой средний | 15 |
Ток потребления динамический | 81 |
Ток потребления оптоэлектронного переключателя динамический | 81 |
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного | 79 |
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя | 80 |
Ток прямой импульсный | 14 |
Ток прямой постоянный | 13 |
Ток прямой средний | 15 |
Ток удержания | 58 |
Ток удержания тиристорной оптопары | 58 |
Ток утечки | 45 |
Ток утечки на выходе оптопары | 45 |
Ток утечки на выходе оптоэлектронного коммутатора | 45 |
Угол излучения | 6 |
Угол излучения полупроводникового излучателя | 6 |
Угол расхождения | 12 |
Фото-э.д.с. | 54 |
Ширина спектра | 8 |
Ширина спектра излучения полупроводникового излучателя | 8 |
Яркость энергетическая | 4 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 3
Термин | Номер термина |
Average forward current | 15 |
Average power dissipation | 25 |
Breakdown voltage | 21 |
Capacitance of load | 82 |
Commutation current | 69 |
Continuous (direct) forward current | 13 |
Continuous (direct) forward voltage | 17 |
Current consumption at high-level of output voltage | 79 |
Current consumption at low-level of output voltage | 80 |
Current transfer ratio | 63 |
Dark resistance | 61 |
Delay time | 46 |
Dynamic resistance | 24 |
Fall time | 28, 49 |
Fan-out | 89 |
Forward voltage temperature coefficient | 32 |
Half-intensity beam | 6 |
High-level output current | 75 |
High-level output voltage | 72 |
High-level threshold input current | 77 |
Holding current | 58 |
Input current | 38 |
Input maximum current | 39 |
Input reverse voltage | 52 |
Input-to-output capacitance | 41 |
Input voltage | 33 |
Isolation resistance between input and output | 40 |
Leakage current | 45 |
Low-level output current | 76 |
Low-level output voltage | 73 |
Low-level threshold input current | 78 |
Luminous flux | 30 |
Maximum peak forward voltage | 18 |
Maximum peak power | 26 |
Mechanical axis | 11 |
Non-repetitive peak isolation voltage | 37 |
Optical axis | 10 |
Output capacitance | 71 |
Output current | 59 |
Output maximum peak current | 60 |
Output rest voltage | 43 |
Output reverse voltage | 53 |
Peak emission wavelength | 7 |
Peak forward current | 14 |
Peak reverse voltage | 20 |
Propagation delay time high to low output | 85 |
Radiance | 4 |
Radiant flux | 1 |
Radiant intensity | 3 |
Radiant power | 2 |
Radiation diagram | 5 |
Rate of rise of state voltage | 65 |
Repetitive peak isolation voltage | 36 |
Resistance under illumination | 62 |
Reverse continuous current | 16 |
Reverse continuous voltage | 19 |
Rise time | 27, 47 |
Spectral radiation bandwidth | 8 |
Squinting angle | 12 |
Storage time | 50 |
Supply voltage | 74 |
Total capacitance | 22 |
Total thermal resistance | 31 |
Turn-off current | 57 |
Turn-off delay time | 84 |
Turn-off time | 51 |
Turn-off transition time | 88 |
Turn-on current | 56 |
Turn-on delay time | 29, 83 |
Turn-on time | 48 |
Turn-on transition time | 87 |