ГОСТ 20003-74
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
МКС 01.040.31
31.080.30
ОКСТУ 6201
Дата введения 1975-07-01
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. N 1799 дата введения установлена 01.07.75
ИЗДАНИЕ с Изменениями N 1, 2, утвержденными в августе 1982 г., июне 1985 г. (ИУС 12-82, 9-85).
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770-80.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.
Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены "Ндп".
Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.
В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе "Определение" поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины - курсивом.
Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупроводникового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс, уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время включения стабилитрона ; время включения биполярного транзистора ; время включения полевого транзистора .
Термин | Буквенное обозначение | Определение | ||
отечест- венное | междуна- родное | |||
1. Обратный ток коллектора | Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | |||
E. Collector cut-off current | ||||
F. Courant du collecteur | ||||
2. Обратный ток эмиттера | Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора | |||
E. Emitter cut-off current | ||||
F. Courant | ||||
3. Обратный ток коллектор-эмиттер |
| - | Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер | |
D. Kollektor-Emitter-Reststrom | ||||
E. Collector-emitter cut-off current | ||||
F. Courant du | ||||
________________ | ||||
4. Обратный ток базы | Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база | |||
E. Base cut-off current | ||||
F. Courant de la base | ||||
5. Критический ток биполярного транзистора | - | Значение тока коллектора, при достижении которого значение падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор-эмиттер | ||
6. Граничное напряжение биполярного транзистора | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера | |||
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора | |||
E. Saturation collector-emitter voltage | ||||
F. Tension de saturation | ||||
8. Напряжение насыщения база-эмиттер | Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора | |||
E. Saturation baseemitter voltage | ||||
F. Tension de saturation | ||||
9. Плавающее напряжение эмиттер-база | Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю | |||
F. Tension flottante | ||||
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора | Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база | |||
11. Пробивное напряжение эмиттер-база | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю | |||
Е. Breakdown emitter-base voltage | ||||
F. Tension de claquage | ||||
12. Пробивное напряжение коллектор-база | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю | |||
Е. Breakdown collector-base voltage | ||||
F. Tension de claquage collecteur-base | ||||
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер |
| - | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора | |
Е. Breakdown collector-emitter voltage | ||||
F. Tension de claquage | ||||
________________ | ||||
14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала | * | Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора | ||
Е. Small-signal value of the short-circuit input impedance | ||||
F. Valeur de , sortie en court-circuit pour de petits signaux | ||||
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала | * | Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току | ||
Е. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio | ||||
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, en circuit ouvert de petits signaux | ||||
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала | * | Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току | ||
Е. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio | ||||
F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux | ||||
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте | Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте | |||
D. Betrag der | ||||
Е. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio | ||||
F. Module du rapport de transfert direct du courant | ||||
18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала | * | Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току | ||
Е. Small-signal value of the open-circuit output admittance | ||||
F. Valeur de l'admittance de sortie, en circuit ouvert pour de petits signaux | ||||
19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала | Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером | |||
Е. Static value of the input resistance | ||||
F. Valeur statique de la | ||||
20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером | |||
Е. Static value of the forward current transfer ratio | ||||
F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant | ||||
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала | * | Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе | ||
Е. Small-signal value of the short-circuit input admittance | ||||
F. Valeur de l'admittance , sortie en court-circuit pour de petits signaux | ||||
22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала | * | Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе | ||
Е. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance | ||||
F. Valeur de l'admittance de transfert inverse, en court-circuit pour de petits signaux | ||||
23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала | * | Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе | ||
Е. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance | ||||
F. Valeur de l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux | ||||
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора | Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером | |||
D. Betrag des | ||||
Е. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance | ||||
F. Module de l'admittance de transfert direct | ||||
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала | * | Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе | ||
Е. Small-signal value of the short-circuit output admittance | ||||
F. Valeur de l'admittance de sortie, en court-circuit pour de petits signaux | ||||
26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер | |||
D. Statische in Emitterschaltung | ||||
Е. Static value of the forward transconductance | ||||
F. Pente statique de transfert direct | ||||
27. Входная емкость биполярного транзистора | * | Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала | ||
Е. Input capacitance | ||||
F. | ||||
28. Выходная емкость биполярного транзистора | * | Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала | ||
Е. Output capacitance | ||||
F. de sortie | ||||
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора | * | * | Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала | |
Е. Feedback capacitance | ||||
F. de couplage | ||||
29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением | |||
Е. Cut-off frequency | ||||
F. de conpure | ||||
30. Граничная частота коэффициента передачи тока | Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. | |||
31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора | Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора | |||
Е. Maximum frequency of oscillation | ||||
F. maximale d'oscillation | ||||
32. Коэффициент шума биполярного транзистора | Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала | |||
Е. Noise figure | ||||
F. Facteur de bruit | ||||
32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора | Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума | |||
Е. Minimal noise figure | ||||
F. Facteur de bruit minimum | ||||
32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора | Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным | |||
F. Tension de bruit | ||||
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора | Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения | |||
Ндп. Степень насыщения | ||||
Е. Saturation coefficient | ||||
F. Coefficient de saturation | ||||
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора | Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения | |||
Е. Power gain | ||||
F. Gain en puissance | ||||
34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора | Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума | |||
Е. Optimal power gain | ||||
F. Gain de puissance optimum | ||||
35. Коэффициент полезного действия коллектора | Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания | |||
Е. Collector efficiency | ||||
F. du collocteur | ||||
36. Время задержки для биполярного транзистора | Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды | |||
F. Retard la croissance | ||||
37. Время нарастания для биполярного транзистора | Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10% его амплитуды, до значения, соответствующего 90% его амплитуды | |||
F. Temps de croissance | ||||
38. Время рассасывания для биполярного транзистора | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня | |||
F. Retard | ||||
39. Время спада для биполярного транзистора | Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90% его амплитуды, до значения, соответствующего 10% его амплитуды | |||
Е. Fall time | ||||
F. Temps de | ||||
40. Время включения биполярного транзистора | Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания | |||
D. Einschaltzeit | ||||
Е. Turn-on time | ||||
F. Temps total | ||||
41. Время выключения биполярного транзистора | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10% его амплитудного значения | |||
F. Temps total de coupure | ||||
42. Сопротивление базы биполярного транзистора | Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер | |||
D. Basisbahnwiderstand | ||||
Е. Base intrinsic resistance | ||||
F. de base | ||||
43. Емкость эмиттерного перехода | Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи | |||
Е. Emitter capacitance | ||||
F. | ||||
44. Емкость коллекторного перехода | Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи | |||
Е. Collector capacitance | ||||
F. collecteur | ||||
45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора | Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода | |||
D. | ||||
Е. Collector-base time constant | ||||
46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора | * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |
47. Коэффициент обратной передачи напряжения | * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |
48. Коэффициент прямой передачи напряжения | * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |
49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора | * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |
50. Постоянный ток коллектора | Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход | |||
D. Kollektorgleichstrom | ||||
Е. Collector (d.с.) current | ||||
F. Courant continu de collecteur | ||||
51. Постоянный ток эмиттера | Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход | |||
D. Emittergleichstrom | ||||
Е. Emitter (d.с.) current | ||||
F. Courant continu d'emetteur | ||||
52. Постоянный ток базы | Постоянный ток, протекающий через базовый вывод | |||
D. Basisgleichstrom | ||||
Е. Base (d.с.) current | ||||
F. Courant continu de base | ||||
53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения | - | |||
Е. Saturation collector current | ||||
F. Courant de saturation collecteur | ||||
54. Постоянный ток базы в режиме насыщения | - | |||
Е. Saturation base current | ||||
F. Courant de saturation base | ||||
55. Импульсный ток коллектора | - | Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса | ||
56. Импульсный ток эмиттера | - | Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса | ||
57. Постоянное напряжение эмиттер-база |
|
| Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы | |
D. Emitter-Basis-Spannung | ||||
Е. Emitter-base (d.с.) voltage | ||||
F. Tension continue | ||||
58. Постоянное напряжение коллектор-база |
|
| Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы | |
D. Kollektor-Basis-Spannung | ||||
Е. Collector-base (d.с.) voltage | ||||
F. Tension continue collecteur-base | ||||
59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер |
|
| Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера | |
D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) | ||||
Е. Collector-emitter (d.с.) voltage | ||||
F. Tension continue | ||||
________________ | ||||
60. Выходная мощность биполярного транзистора | Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте | |||
D. Ausgangsleistung | ||||
Е. Output power | ||||
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе | |||
D. Gesamtverlustleistung | ||||
Е. Total input power (d.c.) to all electrodes | ||||
F. Puissance totale de toutes les | ||||
62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора | Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе | |||
D. Mittlere Verlustleistung | ||||
Е. Total input power (average) to all electrodes | ||||
F. Puissance totale (moyenne) de toutes les | ||||
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | - | |||
D. Impulsverlustleistung | ||||
F. Peak power dissipation | ||||
F. Puissance | ||||
64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора | |||
D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung | ||||
Е. Collector (d.c.) power dissipation | ||||
F. Puissance (continue) au collecteur | ||||
65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора | Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора | |||
D. Mittlere Kollektorverlustleistung | ||||
Е. Collector (average) power dissipation | ||||
F. Ruissance (moyenne) au collecteur | ||||
65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора | Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. | |||
65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора | Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд | |||
65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора | Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд | |||
Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам** | ||||
66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора | - | |||
D. Maximal Kollektorgleichstrom | ||||
Е. Maximum collector (d.с.) current | ||||
F. Courant continu de collecteur maximal | ||||
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера | - | |||
D. Maximal Emittergleichstrom | ||||
Е. Maximum emitter (d.с.) current | ||||
F. Courant continu d'emetteur maximal | ||||
68. Максимально допустимый постоянный ток базы | - | |||
D. Maximal Basisgleichstrom | ||||
Е. Maximum base (d.с.) current | ||||
F. Courant continu de base maximal | ||||
69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора | - | |||
D. Maximal Kollektorimpulsstrom | ||||
Е. Maximum peak collector current | ||||
F. Courant de de collecteur maximal | ||||
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера | - | |||
D. Maximal Emitterimpulsstrom | ||||
Е. Maximum peak emitter current | ||||
F. Courant de d'emetteur maximal | ||||
71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения | - | |||
Е. Maximum saturation collector current | ||||
F. Courant de saturation collecteur maximal | ||||
72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения | - | |||
Е. Maximum saturation base current | ||||
F. Courant de saturation base maximal | ||||
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база | - | |||
D. Maximal Emitter-Basis-Gleichspannung | ||||
Е. Maximum emitter-base (d.c.) voltage | ||||
F. Tension continue maximale | ||||
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база | - | |||
D. Maximal Kollektor-Basic-Gleichspannung | ||||
Е. Maximum collector-base (d.c.) voltage | ||||
F. Tension continue collecteur-base maximale | ||||
75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер | - | |||
D. Maximal Kollektor-Emitter- Gleichspannung | ||||
Е. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage | ||||
F. Tension continue maximale | ||||
76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер | - | |||
D. Maximal Kollektor-Emitter-Impulsspannung | ||||
E. Maximum peak collector-emitter voltage | ||||
F. Tension de | ||||
77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база | - | |||
D. Maximal Kollektor-Basis-Impulsspannung | ||||
E. Maximum peak collector-base voltage | ||||
F. Tension de collector-base maximale | ||||
78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | - | |||
D. Maximal Kollektorverlustleistung | ||||
E. Maximum collector power dissipation (d.c.) | ||||
F. Puissance au collecteur (continue) maximale | ||||
79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора | - | - | ||
E. Maximum collector power dissipation (average) | ||||
F. Puissance au collecteur (moyenne) maximale | ||||
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | - | |||
D. Maximal Impulsverlustleistung | ||||
E. Maximum peak power dissipation | ||||
F. Puissance maximale |
________________
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Время включения биполярного транзистора | 40 |
Время выключения биполярного транзистора | 41 |
Время задержки для биполярного транзистора | 36 |
Время нарастания для биполярного транзистора | 37 |
Время рассасывания для биполярного транзистора | 38 |
Время спада для биполярного транзистора | 39 |
Емкость биполярного транзистора входная | 27 |
Емкость биполярного транзистора выходная | 28 |
Емкость коллекторного перехода | 44 |
Емкость обратной связи биполярного транзистора | 28а |
Емкость эмиттерного перехода | 43 |
Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора | 65в |
Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора | 65б |
Коэффициент насыщения биполярного транзистора | 33 |
Коэффициент обратной передачи напряжения | 47 |
Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала | 15 |
Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора | 46 |
Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора | 49 |
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала | 16 |
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора статический | 20 |
Коэффициент полезного действия коллектора | 35 |
Коэффициент прямой передачи напряжения | 48 |
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора | 34 |
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный | 34а |
Коэффициент шума биполярного транзистора | 32 |
Коэффициент шума биполярного транзистора минимальный | 32а |
Крутизна передаточной характеристики статическая | 26 |
Крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером статическая | 26 |
Крутизна характеристики статическая | 26 |
Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте | 17 |
Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора | 24 |
Мощность биполярного транзистора выходная | 60 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная | 63 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая | 80 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная | 61 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая средняя | 62 |
Мощность в пике огибающей биполярного транзистора выходная | 65а |
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная | 64 |
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая | 78 |
Мощность коллектора рассеиваемая средняя | 65 |
Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая | 79 |
Напряжение биполярного транзистора граничное | 6 |
Напряжение коллектор-база импульсное максимально допустимое | 77 |
Напряжение коллектор-база постоянное | 58 |
Напряжение коллектор-база постоянное максимально допустимое | 74 |
Напряжение коллектор-база пробивное | 12 |
Напряжение коллектор-эмиттер импульсное максимально допустимое | 76 |
Напряжение коллектор-эмиттер постоянное | 59 |
Напряжение коллектор-эмиттер постоянное максимально допустимое | 75 |
Напряжение коллектор-эмиттер пробивное | 13 |
Напряжение насыщения база-эмиттер | 8 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 7 |
Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера | 6 |
Напряжение смыкания биполярного транзистора | 10 |
Напряжение шума биполярного транзистора эквивалентное | 32б |
Напряжение эмиттер-база плавающее | 9 |
Напряжение эмиттер-база постоянное | 57 |
Напряжение эмиттер-база постоянное максимально допустимое | 73 |
Напряжение эмиттер-база пробивное | 11 |
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора | 45 |
Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная входная | 21 |
Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная выходная | 18, 25 |
Проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная | 22 |
Проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная | 23 |
Сопротивление базы биполярного транзистора | 42 |
Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером входное | 19 |
Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала входное | 14 |
Степень насыщения | 33 |
Ток базы обратный | 4 |
Ток базы постоянный | 52 |
Ток базы постоянный в режиме насыщения | 54 |
Ток базы постоянный в режиме насыщения максимально допустимый | 72 |
Ток базы постоянный максимально допустимый | 68 |
Ток биполярного транзистора критический | 5 |
Ток коллектора закрытого транзистора | 3 |
Ток коллектора импульсный | 55 |
Ток коллектора импульсный максимально допустимый | 69 |
Ток коллектора начальный | 3 |
Ток коллектора обратный | 1 |
Ток коллектора постоянный | 50 |
Ток коллектора постоянный в режиме насыщения | 53 |
Ток коллектора постоянный в режиме насыщения максимально допустимый | 71 |
Ток коллектора постоянный максимально допустимый | 66 |
Ток коллектор-эмиттер обратный | 3 |
Ток эмиттера импульсный | 56 |
Ток эмиттера импульсный максимально допустимый | 70 |
Ток эмиттера обратный | 2 |
Ток эмиттера постоянный | 51 |
Ток эмиттера постоянный максимально допустимый | 67 |
Частота генерации биполярного транзистора максимальная | 31 |
Частота коэффициента передачи тока граничная | 30 |
Частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора предельная | 29 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Abfallzeit | 39 |
Anstiegszeit | 37 |
Aquivalente Rauschspannung | 32б |
28 | |
Ausgangsleistung | 60 |
Ausgangsreflexionsfaktor | 49 |
Ausschaltzeit | 41 |
Basisbahnwiderstand | 42 |
Basis-Emitter-Reststrom | 4 |
Basis-Emitter- | 8 |
Basisgleichstrom | 52 |
Betrag der in Emitterschaltung bei HF | 17 |
Betrag des | 24 |
27 | |
Eingangsreflexionsfaktor | 46 |
Einschaltzeit | 40 |
Emitter-Basis-Durchbruchspannung | 11 |
Emitter-Basis-Spannung | 57 |
Emittergleichstrom | 51 |
Emitterrestrom (bei offenem Kollektor) | 2 |
Gesamtverlustleistung | 61 |
Gleichstrom-KoIlektorverlustleistung | 64 |
in Emitterschaltung | 20 |
Grenzfrequenz der | 29 |
45 | |
Impulsverlustleistung | 63 |
Innerer | 65a |
der Emittersperrschicht | 43 |
der Kollektorsperrschicht | 44 |
Kleinsignalausgangsleitwert | 18 |
Kleinsignaleingangswiderstand | 14 |
| 15 |
16 | |
Kollektor-Basis-Durchbruchspannung | 12 |
Kollektor-Basis-Spannung | 58 |
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) | 13 |
Kollektor-Emitter-Reststrom | 3 |
Kollektor-Emitter- | 7 |
Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) | 59 |
Kollektorgleichstrom | 50 |
Kollektorreststrom (bei offenen Emitter) | 1 |
Kollektorwirkungsgrad | 35 |
Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert | 25 |
Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert | 21 |
Komplexer | 22 |
Komplexer | 23 |
34 | |
Maximal Emitter-Basis-Gleichspannung | 73 |
Maximal Impulsverlustleistung | 80 |
Maximal Kollektor-Basis-Gleichspannung | 74 |
Maximal Kollektor-Basis-Impulsspannung | 77 |
Maximal Kollektor-Emitter-Gleichspannung | 75 |
Maximal Kollektor-Emitter-Impulsspannung | 76 |
Maximal Kollektorverlustleistung | 78 |
Maximal Basisgleichstrom | 68 |
Maximal Emittergleichstrom | 67 |
Maximal Emitterimpulsstrom | 70 |
Maximal Kollektorgleichstrom | 66 |
Maximal Kollektorimpulsstrom | 69 |
Minimale Rauschzahl | 32a |
Mittlere Kollektorverlustleistung | 65 |
Mittlere Verlustleistung | 62 |
Optimale | 34a |
Rauschzahl | 32 |
28a | |
47 | |
48 | |
Speicherzeit | 38 |
Statische in Emitterschaltung | 26 |
Ubergangsfrequenz der (Transitfrequenz) | 30 |
36 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Base cut-off current | 4 |
Base (d.с.) current | 52 |
Base intrinsic resistance | 42 |
Breakdown collector-base voltage | 12 |
Breakdown collector-emitter voltage | 13 |
Breakdown emitter-base voltage | 11 |
Carrier storage time | 38 |
Collector (average) power dissipation | 65 |
Collector-base (d.c.) voltage | 58 |
Collector-base time constant | 45 |
Collector capacitance | 44 |
Collector cut-off current | 1 |
Collector (d.c.) current | 50 |
Collector (d.c.) power dissipation | 64 |
Collector efficiency | 35 |
Collector-emitter cut-off current | 3 |
Collector-emitter (d.c.) voltage | 59 |
Cut-off frequency | 29 |
Delay time | 36 |
Emitter-base (d.c.) voltage | 57 |
Emitter capacitance | 43 |
Emitter cut-off current | 2 |
Emitter (d.c.) current | 51 |
Equivalent noise voltage | 32б |
Fall time | 39 |
Feedback capacitance | 28a |
Fifth order intermodulation products factor | 65a |
Floating emitter-base voltage | 9 |
Input capacitance | 27 |
Maximum base (d.c.) current | 68 |
Maximum collector-base (d.c.) voltage | 74 |
Maximum collector (d.c.) current | 66 |
Maximum collector-emitter (d.c.) voltage | 75 |
Maximum collector power dissipation (average) | 79 |
Maximum collector power dissipation (d.c.) | 78 |
Maximum emitter-base (d.c.) voltage | 73 |
Maximum emitter (d.c.) current | 67 |
Maximum frequency of oscillation | 31 |
Maximum peak collector-base voltage | 77 |
Maximum peak collector current | 69 |
Maximum peak collector-emitter voltage | 76 |
Maximum peak emitter current | 70 |
Maximum peak power dissipation | 80 |
Maximum saturation base current | 72 |
Maximum saturation collector current | 71 |
Minimal noise figure | 32a |
Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio | 17 |
Modulus of the short-circuit forward transfer admittance | 24 |
Noise figure | 32 |
Optimal power gain | 34a |
Output capacitance | 28 |
Output power | 60 |
Peak envelope power | 65a |
Peak power dissipation | 63 |
Power gain | 34 |
Punch-through (penetration) voltage | 10 |
Rise time | 37 |
Saturation base current | 54 |
Saturation base-emitter voltage | 8 |
Saturation coefficient | 33 |
Saturation collector current | 53 |
Saturation collector-emitter voltage | 7 |
Small-signal value of the open-circuit output admittance | 18 |
Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio | 15 |
Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio | 16 |
Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance | 23 |
Small-signal value of the short-circuit input admittance | 21 |
Small-signal value of the short-circuit input impedance | 14 |
Small-signal value of the short-circuit output admittance | 25 |
Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance | 22 |
Static value of the forward current transfer ratio | 20 |
Static value of the forward transconductance | 26 |
Static value of the input resistance | 19 |
Third order intermodulation products factor | 65б |
Total input power (average) to all electrodes | 62 |
Total input power (d.c.) to all electrodes | 61 |
Transition frequency | 30 |
Turn-off time | 41 |
Turn-on time | 40 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
collecteur | 44 |
43 | |
de couplage | 28a |
27 | |
de sortie | 28 |
Coefficient de saturation | 33 |
Courant continu de base | 52 |
Courant continu de base maximal | 68 |
Courant continu de collecteur | 50 |
Courant continu de collecteur maximal | 66 |
Courant continu | 51 |
Courant continu maximal | 67 |
Courant de de collecteur maximal | 69 |
Courant de maximal | 70 |
Courant de saturation base | 54 |
Courant de saturation base maximal | 72 |
Courant de saturation collecteur | 53 |
Courant de saturation collecteur maximal | 71 |
Courant de la base | 4 |
Courant | 2 |
Courant du collecteur | 1 |
Courant | 3 |
du collecteur | 35 |
Facteur de bruit | 32 |
Facteur de bruit minimum | 32a |
de coupure | 29 |
de transition | 30 |
maximale d'escillation | 31 |
Gain de puissance optimum | 34a |
Gain en puissance | 34 |
Module de l'admittance de transfert direct | 24 |
Module de rapport de transfert direct du courant | 17 |
Pente statique de transfert direct | 26 |
Retard la croissance | 36 |
Retard | 38 |
de base | 42 |
Puissage au collecteur (continue) maximale | 78 |
Puissance au collecteur (moyenne) maximale | 79 |
Puissance (continue) au collecteur | 64 |
Puissance | 63 |
Puissance maximale | 80 |
Puissance (moyenne) au collecteur | 65 |
Puissance totale (continue) de toutes les | 61 |
Puissance totale (moyenne) de toutes les | 62 |
Temps de croissance | 37 |
Temps de | 39 |
Temps total de coupure | 41 |
Temps total | 40 |
Tension continue collecteur-base | 58 |
Tension continue collecteur-base maximale | 74 |
Tension continue | 59 |
Tension continue maximale | 75 |
Tension continue | 57 |
Tension continue maximale | 73 |
Tension de bruit | 32б |
Tension de claquage collecteur-base | 12 |
Tension de claquage | 13 |
Tension de claquage | 11 |
Tension de collecteur-base maximale | 77 |
Tension de maximale | 76 |
Tension de (tension de persage) | 10 |
Tension de saturation | 8 |
Tension de saturation | 7 |
Tension flottante | 9 |
Valeur de l'admittance , sortie en court-circuit pour de petits signaux | 21 |
Valeur de l'admittance de sortie, en circuit ouvert pour de petits signaux | 18 |
Valeur de l'admittance de sortie, en courant-citcuit pour de petits signaux | 25 |
Valeur Ie l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux | 23 |
Valeur de l'admittance de transfert inverse, en court-circuit pour de petits signaux | 22 |
Valeur de , sortie en court-circuit pour de petits signaux | 14 |
Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux | 16 |
Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, en circuit ouvert de petits signaux | 15 |
Valeur statique de la | 19 |
Valeur statique du rapport de transfert direct du courant | 20 |
(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).
ПРИЛОЖЕНИЕ. (Исключено, Изм. N 1).