--> -->

ГОСТ 24613.8-83
Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции

ГОСТ 24613.8-83

Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ И ОПТОПАРЫ

Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции

Optoelectronic integrated microcircuits and optocouplers. Methods for measuring critical change rate of dielectric voltage


ОКП 62 3000

Дата введения 1984-07-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 21 июня 1983 г. N 2607 срок действия установлен с 01.07.84 до 01.07.89*
_________________
* Ограничение срока действия снято по протоколу N 3-93 Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС N 5/6, 1993 год). - Примечание изготовителя базы данных.


ВЗАМЕН ГОСТ 22440.4-77

ПЕРЕИЗДАНИЕ. Май 1984 г.


Настоящий стандарт распространяется на оптоэлектронные интегральные микросхемы и оптопары, в том числе переключатели логических сигналов (далее - приборы), и устанавливает два метода измерения критической скорости изменения напряжения изоляции: прямой и косвенный.

Косвенный метод применяют при наличии вывода от входа встроенной микросхемы, входящей в состав проверяемого прибора.

Общие условия при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 24613.0-81.

1. ПРЯМОЙ МЕТОД

1. ПРЯМОЙ МЕТОД

1.1. Принцип и условия измерения

1.1.1. Критическая скорость изменения напряжения изоляции - скорость, при которой еще не происходит срабатывание прибора.

1.1.2. Температурный режим, значения постоянных напряжений, амплитуда и длительность фронта импульса напряжения изоляции должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях.

1.2. Аппаратура

1.2.1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1.

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции


ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - генератор входного сигнала; ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - проверяемый прибор; ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - генератор импульсного напряжения; ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - измеритель выходного сигнала; ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - источник постоянного напряжения

Черт.1

1.2.2. Генератор входного сигнала ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции должен обеспечивать задание и поддержание на входе проверяемого прибора входного сигнала постоянного тока или напряжения, значение уровня которого должно соответствовать установленному в стандартах или технических условиях на приборы конкретных типов. Погрешность задания входного сигнала должна быть в пределах ±5%.

1.2.3. Генератор импульсного напряжения ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции должен обеспечивать задание линейно-нарастающего или экспоненциально-нарастающего напряжения, значение которого должно соответствовать установленному в стандартах или технических условиях на приборы конкретных типов. Погрешность задания и поддержания амплитуды напряжения и задания фронта импульса, определяемого на уровнях 0,1 и 0,9, должна быть в пределах ±10%.

1.2.4. Измеритель выходного сигнала ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции должен обеспечивать измерение уровней выходного сигнала с погрешностью в пределах ±5% и иметь входное сопротивление ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции, отвечающее условию ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции, где ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - выходное сопротивление проверяемого прибора.

Примечание. Измеритель ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции допускается заменить устройством регистрации низкого и высокого уровня с теми же требованиями к погрешности и выходному сопротивлению.

1.2.5. Источник постоянного напряжения ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции должен обеспечивать задание напряжения питания проверяемого прибора в соответствии с требованиями, установленными в стандартах или технических условиях на приборы конкретных типов. Погрешность задания и поддержания напряжения питания должна быть в пределах ±3%.

1.3. Подготовка и проведение измерений

1.3.1. К измерительной установке подключают проверяемый прибор.

1.3.2. Устанавливают заданные значения: напряжения питания от источника ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции, входного сигнала от генератора ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции и амплитуды импульса напряжения изоляции от генератора ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции.

1.3.3. Уменьшая длительность фронта входного импульса от генератора ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции, добиваются экстремального значения длительности фронта, при котором не происходит срабатывание проверяемого прибора.

1.4. Обработка результатов измерения

1.4.1. Критическую скорость изменения напряжения изоляции ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции определяют по формуле

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции,

где ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - амплитуда импульса напряжения изоляции;

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - длительность фронта импульса напряжения изоляции;

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - коэффициент, учитывающий форму импульса напряжения изоляции и равный ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции0,8 - для линейно-нарастающего импульса, ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции2,2 - для экспоненциально-нарастающего импульса.

1.5. Показатели точности измерений

1.5.1. Погрешность измерения критической скорости изменения напряжения изоляции должна быть в пределах ±15% с доверительной вероятностью 0,997.

1.5.2. Погрешность измерения критической скорости изменения напряжения изоляции ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции определяют по формуле

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции,

где ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - составляющая погрешности, обусловленная влиянием неточности задания напряжения режима измерения на проверяемом приборе, %;

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - составляющая погрешности, обусловленная влиянием неточности задания амплитуды импульса на входе проверяемого прибора, %;

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - составляющая погрешности, обусловленная неточностью измерения длительности фронта, %.

2. КОСВЕННЫЙ МЕТОД

2.1. Принцип и условия измерения

2.1.1. Критическую скорость изменения напряжения изоляции определяют на основе результатов измерения проходной емкости ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции и порогового входного тока ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции микросхемы.

2.1.2. Пороговый входной ток измеряют на входе встроенной микросхемы.

2.1.3. Температурный режим и значения напряжений должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на приборы конкретных типов.

2.2. Аппаратура

2.2.1. Измерения порогового входного тока следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.2.

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции


ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - регулируемый источник постоянного напряжения; ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - измеритель тока; ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - проверяемый прибор; ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - измеритель постоянного напряжения

Черт.2

2.2.2. Регулируемый источник постоянного напряжения ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции должен иметь пределы регулировки в соответствии с требованиями для низкого и высокого уровня, установленными в стандартах или технических условиях на приборы конкретных типов.

2.2.3. Измеритель тока ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции должен обеспечивать измерение входного тока с погрешностью в пределах ±3%.

2.2.4. Измеритель постоянного напряжения ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции должен соответствовать требованиям п.1.2.4.

2.3. Подготовка и проведение измерений

2.3.1. Измеряют проходную емкость по ГОСТ 24613.1-81.

2.3.2. Измеряют пороговый ток. Для этого проверяемый прибор подключают к измерительной установке, приведенной на черт.2, и устанавливают значения напряжения питания микросхемы, указанные в стандартах или технических условиях на приборы конкретных типов.

2.3.3. От источника ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции подают напряжение, увеличивая его до максимального значения, при котором не происходит срабатывание прибора ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции. Значение тока ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции регистрируют по измерителю ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции.

2.4. Значение критической скорости изменения напряжения ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции изоляции определяют по формуле

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции,

где ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - пороговый входной ток микросхемы, А;

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - проходная емкость, Ф.

2.5. Показатели точности измерений

2.5.1. Погрешность измерения критической скорости изменения напряжения изоляции должна быть в пределах ±15% с доверительной вероятностью 0,997.

2.5.2. Погрешность измерения критической скорости изменения напряжения изоляции ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции определяют по формуле

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции,

где ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - составляющая погрешности, обусловленная влиянием неточности задания напряжения;

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - составляющая погрешности, обусловленная влиянием неточности задания тока на входе проверяемого прибора, %;

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции - составляющая погрешности, обусловленная влиянием неточности измерения проходной емкости, %.



Copyright © 2024