ГОСТ 24613.18-77
Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции

ГОСТ 24613.18-77*
(СТ СЭВ 3790-82)

Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ И ОПТОПАРЫ

Методы измерения сопротивления изоляции

Optoelectronic integrated microcircuits and optocouplers. Methods for measuring isolation resistance


ОКП 623000

Дата введения 1979-01-01

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 15 декабря 1977 г. N 2883 срок введения установлен с 01.01.79

ПРОВЕРЕН в 1983 г. Постановлением Госстандарта от 30.12.83 N 6592 срок действия продлен до 01.01.89**
________________
** Ограничение срока действия снято по протоколу N 3-93 Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС N 5/6, 1993 год). - Примечание изготовителя базы данных.

* ПЕРЕИЗДАНИЕ (май 1984 г.) с Изменениями N 1, 2, утвержденными в ноябре 1981 г., декабре 1983 г. (ИУС 2-82, 4-84).


Настоящий стандарт распространяется на оптопары и оптоэлектронные интегральные микросхемы (далее - приборы) и устанавливает метод измерения сопротивления изоляции.

Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 24613.0-81.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3790-82 в части измерения сопротивления изоляции (см. справочное приложение).

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

1. КОСВЕННЫЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ

1. КОСВЕННЫЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ

1.1. Принцип измерения сопротивления изоляции основан на измерении тока, протекающего через измеряемый прибор под воздействием напряжения, приложенного между объединенными входными и объединенными выходными контактами измеряемого прибора, и определении отношения напряжения к току.

При наличии у измеряемых приборов контактов, к которым подводится напряжение питания выходных цепей прибора, эти контакты должны быть объединены с выходными контактами прибора.

1.2. Значение напряжения, приложенного к измеряемому прибору, следует выбирать из ряда: 10, 50, 100, 500, 1000, 1500 В. Выбирают ближайшее наименьшее значение по отношению к рабочему напряжению изоляции измеряемого прибора.

Время приложения напряжения должно быть равно 60 с или времени, указанному в стандартах или технических условиях на приборы конкретных типов.

1.1, 1.2. (Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

1.3. Относительная влажность при измерении - не более 60%.

(Введен дополнительно, Изм. N 2).

2. АППАРАТУРА

2.1. Измерения проводят на установке, структурная схема которой представлена на черт.1.

ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2)


ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) - источник постоянного напряжения; ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) - защитное сопротивление; ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) - измеритель постоянного напряжения; ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) - измеритель постоянного тока; ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) - выводы прибора; ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) - проверяемый прибор.

Черт.1

(Измененная редакция, Изм. N 2).

2.2. Генератор постоянного напряжения должен обеспечивать задание и поддержание напряжения с относительной погрешностью в пределах ±5%.

2.3. Измеритель напряжения ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) и измеритель тока ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) должны обеспечивать измерения с погрешностью в пределах ±3%.

2.4. Значение сопротивления резистора ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) выбирают так, чтобы при пробое не превышался максимальный допустимый ток источника. Резистор ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) допускается заменить схемой защиты.

2.3, 2.4. (Введены дополнительно, Изм. N 2).

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

3.1. До подключения измеряемого прибора к измерительной установке с помощью генератора постоянного напряжения устанавливают требуемое значение напряжения измерения ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2). Измерителем постоянного тока определяют значение тока утечки ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2).

3.2. Отключают генератор постоянного напряжения, устанавливают измеряемый прибор в измерительную схему.

3.1, 3.2. (Измененная редакция, Изм. N 1).

3.3. Подают напряжение и через 60 с с помощью измерителя постоянного тока определяют ток утечки ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2).

(Измененная редакция, Изм. N 2).

3.4. Сопротивление изоляции ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) определяют по формуле

ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2).

Если ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2), то ток утечки ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) при обработке результатов можно не учитывать.

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

4. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЙ

4.1. Относительная погрешность измерения сопротивления изоляции должна быть в пределах ±15% с доверительной вероятностью ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2)0,997.

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

5. МЕТОД НЕПОСРЕДСТВЕННОГО ИЗМЕРЕНИЯ

5.1. Принцип, условия и режим измерений

5.1.1. Принцип измерения основан на непосредственном измерении сопротивления между объединенными входными и объединенными выходными выводами прибора при приложении между ними заданного напряжения.

5.1.2. Режим измерения - по п.1.2.

5.1.3. Условия измерения - по п.1.3.

5.2. Аппаратура

5.2.1. Измерения проводят на установке, структурная схема которой приведена на черт.2.

ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2)


ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) - защитный резистор; ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) - выводы прибора; ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) - проверяемый прибор; ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) - измеритель напряжения; ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) - измеритель сопротивления.

Черт.2

5.2.2. Измеритель напряжения и защитный резистор - по пп.2.3, 2.4.

5.2.3. Измеритель сопротивления ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) должен обеспечивать измерение сопротивления изоляции с погрешностью, установленной в стандартах или технических условиях на приборы конкретных типов.

5.3. Проведение измерений

5.3.1. Прибор подключают к измерительной установке, устанавливают значение напряжения изоляции в соответствии со стандартами или техническими условиями на приборы конкретных типов и измеряют сопротивление изоляции, учитывая сопротивление измерителя ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2) за счет тока утечки.

5.4. Показатели точности измерений

5.4.1. Погрешность измерения сопротивления изоляции должна быть в пределах ±15% с доверительной вероятностью ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2)0,99.

Разд.5. (Введен дополнительно, Изм. N 2).

ПРИЛОЖЕНИЕ (справочное). Информационные данные о соответствии ГОСТ 24613.18-77 СТ СЭВ 3790-82

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное

ГОСТ 24613.18-77 соответствует разд.2 СТ СЭВ 3790-82.

(Введено дополнительно, Изм. N 2).



Copyright © 2024