ГОСТ 24459-80
Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

ГОСТ 24459-80

Группа Э02

     
     
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР


МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
И ЭЛЕМЕНТОВ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

Основные параметры

Integrated circuits for storages and their elements.
Basic parameters

Дата введения 1982-01-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 декабря 1980 г. N 5776 срок введения установлен с 01.01.82

ВЗАМЕН ГОСТ 19420-74 (в части запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств) и ГОСТ 17447-72 (в части пп.3 и 4)

ПЕРЕИЗДАНИЕ. Март 1987 г.

1. Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств: оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства, программируемые маской; постоянные запоминающие устройства с однократным электрическим программированием; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов.

Стандарт устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров:

для запоминающих устройств - число информационных слов, число разрядов в информационном слове, время выборки, удельную потребляемую мощность;

для запоминающих устройств на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах - частоту сдвигающих импульсов (тактовую частоту);

для усилителей воспроизведения - максимальное среднее время задержки распространения и минимальное входное напряжение срабатывания усилителя;

для формирователей разрядного и адресного токов - максимальное среднее время задержки распространения и максимальный выходной импульсный ток.

2. Допускаемые сочетания значений* числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове оперативных запоминающих устройств, ассоциативных запоминающих устройств, а также внешних запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должны соответствовать указанным в табл.1.
________________
* В табл.1-7 отмечены знаком "+", для вновь разрабатываемых микросхем знаком "х".

Таблица 1

Число разрядов в информа- ционном слове

Число информационных слов

2

4

8

16

64

256

1

4

8

16

32

64

256

512

1024

4096

8192

16384

1

+

+

+

х

х

х

х

х

х

х

х

х

х

х

2

+

+

х

х

х

х

х

4

+

+

+

+

х

х

х

х

х

х

х

х

х

х

х

8

+

+

+

х

х

х

х

х

16

х

х

Примечание. В табл.1 и 2 =1024.

3. Допускаемые сочетания значений числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове постоянных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств с однократным электрическим программированием и постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием должны соответствовать указанным в табл.2.

Таблица 2

Число разрядов в информационном слове

Число информационных слов

32

256

512

1

2

4

8

16

32

64

128

256

512

1

+

+

x

2

+

4

x

+

x

x

x

x

x

x

х

x

x

x

8

+

x

x

x

x

x

x

x

x

x

x

16

x

x

x

х

x

32

x

x

4. Допускаемые сочетания значений времени выборки оперативных запоминающих устройств и времени поиска информации ассоциативных запоминающих устройств в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл.3.

Таблица 3

Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем

Время выборки, нс Время поиска информации, нс

2,5

4,0

6,3

10

16

25

40

63

100

160

250

400

630

1000

На основе эмиттерно-связанной логики

х

х

х

х

х

х

х

На основе транзисторно-транзисторной логики. На основе интегральной инжекционной логики

х

х

х

х

х

х

+

+

+

+

На основе -канальных структур "металл-диэлектрик-полупроводник"

х

х

х

х

х

х

х

х

+

+

+

На основе комплементарных структур "металл-диэлектрик-полупроводник"

х

х

х

х

х

х

х

х

х

+

+

5. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающих устройств и постоянных запоминающих устройств с однократным электрическим программированием в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл.4.

Таблица 4

Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем

Время выборки, нс

2,5

4,0

6,3

10

16

25

40

63

100

160

250

400

630

1000

На основе эмиттерно-связанной логики

х

х

х

х

х

х

+

На основе транзисторно-транзисторной логики. На основе интегральной инжекционной логики

х

х

х

х

+

+

+

На основе -канальных структур "металл-диэлектрик-полупроводник"

х

х

х

х

х

х

+

+

+

На основе комплементарных структур "металл-диэлектрик-полупроводник"

х

х

х

х

х

х

+

+

+

6. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл.5.

Таблица 5

Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем	Время выборки, нс
	63	100	160	250	400	630	1000	1600	2500	4000
На аморфных структурах	х	х	х	х	+
На основе структур "металл-диэлектрик-полупро- водник" с лавинной инжекцией заряда		х	х	х	х	+	+
На основе структур "металл-нитрид-окисел-полу- проводник"			х	х	х	х	х	+	+	+

7. Удельная потребляемая мощность запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств должна выбираться из ряда: 0,0001; 0,00016; 0,00025; 0,00040; 0,00063; 0,0010; 0,0016; 0,0025; 0,0040; 0,0063; 0,010; 0,016; 0,025; 0,040; 0,063; 0,10; 0,16; 0,25; 0,40; 0,63; 1,0; 1,6; 2,5; 4,0; 6,3; 10 мВт/бит.

8. Частота сдвигающих импульсов (тактовая частота) для запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,00; 2,50; 5,00; 10,00; 25,00 МГц.

9. Допускаемые сочетания значений основных параметров усилителей воспроизведения должны соответствовать указанным в табл.6.

Таблица 6

Максимальное среднее время задержки распространения, нс	Минимальное входное напряжение срабатывания усилителя, мВ
	1,25	5,00	12,5	20,0
25	х
40	х		+	+
63		+

10. Допускаемые сочетания значений основных параметров формирователей разрядного и адресного токов должны соответствовать указанным в табл.7.

Таблица 7

Максимальное среднее время задержки распространения, нс	Максимальный выходной импульсный ток, мА
	80	200	315	500	1250
16				х
25			х		х
40		х	+
63	х			+
100				+

11. Допускаемое отклонение электрических параметров от значений, указанных в табл.3-7 и п.7, должно находиться в пределах ±20%.