--> -->

ГОСТ 24459-80
Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

ГОСТ 24459-80

Группа Э02

     
     
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР


МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
И ЭЛЕМЕНТОВ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

Основные параметры

Integrated circuits for storages and their elements.
Basic parameters

Дата введения 1982-01-01



Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 декабря 1980 г. N 5776 срок введения установлен с 01.01.82

ВЗАМЕН ГОСТ 19420-74 (в части запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств) и ГОСТ 17447-72 (в части пп.3 и 4)

ПЕРЕИЗДАНИЕ. Март 1987 г.

1. Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств: оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства, программируемые маской; постоянные запоминающие устройства с однократным электрическим программированием; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов.

Стандарт устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров:

для запоминающих устройств - число информационных слов, число разрядов в информационном слове, время выборки, удельную потребляемую мощность;

для запоминающих устройств на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах - частоту сдвигающих импульсов (тактовую частоту);

для усилителей воспроизведения - максимальное среднее время задержки распространения и минимальное входное напряжение срабатывания усилителя;

для формирователей разрядного и адресного токов - максимальное среднее время задержки распространения и максимальный выходной импульсный ток.

2. Допускаемые сочетания значений* числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове оперативных запоминающих устройств, ассоциативных запоминающих устройств, а также внешних запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должны соответствовать указанным в табл.1.
________________
* В табл.1-7 отмечены знаком "+", для вновь разрабатываемых микросхем знаком "х".

Таблица 1

Число разрядов в
информа-
ционном
слове

Число информационных слов

2

4

8

16

64

256

1ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

4ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

8ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

16ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

32ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

64ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

256ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

512ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

1024ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

4096ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

8192ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

16384ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

1




+

+

+

х

х


х

х

х

х

х

х

х

х

х

2

+


+










х

х

х

х

х


4


+

+

+

+

х

х

х

х

х

х

х

х

х

х

х



8


+

+


+

х

х

х

х

х









16







х

х












Примечание. В табл.1 и 2 ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры=1024.

3. Допускаемые сочетания значений числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове постоянных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств с однократным электрическим программированием и постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием должны соответствовать указанным в табл.2.

Таблица 2

Число разрядов в информационном слове

Число информационных слов

32

256

512

1ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

2ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

4ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

8ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

16ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

32ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

64ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

128ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

256ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

512ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

1


+


+


x








2



+











4


x

+

x

x

x

x

x

x

х

x

x

x

8

+

x

x

x

x

x

x

x

x

x

x



16






x

x

x

х

x




32






x

x








4. Допускаемые сочетания значений времени выборки оперативных запоминающих устройств и времени поиска информации ассоциативных запоминающих устройств в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл.3.

Таблица 3

Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем

Время выборки, нс
Время поиска информации, нс

2,5

4,0

6,3

10

16

25

40

63

100

160

250

400

630

1000

На основе эмиттерно-связанной логики

х

х

х

х

х

х

х








На основе транзисторно-транзисторной логики. На основе интегральной инжекционной логики




х

х

х

х

х

х

+

+

+

+


На основе ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры-канальных структур "металл-диэлектрик-полупроводник"




х

х

х

х

х

х

х

х

+

+

+

На основе комплементарных структур "металл-диэлектрик-полупроводник"




х

х

х

х

х

х

х

х

х

+

+


5. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающих устройств и постоянных запоминающих устройств с однократным электрическим программированием в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл.4.

Таблица 4

Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем

Время выборки, нс

2,5

4,0

6,3

10

16

25

40

63

100

160

250

400

630

1000

На основе эмиттерно-связанной логики

х

х

х

х

х

х

+








На основе транзисторно-транзисторной логики. На основе интегральной инжекционной логики






х

х

х

х

+

+

+



На основе ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры-канальных структур "металл-диэлектрик-полупроводник"






х

х

х

х

х

х

+

+

+

На основе комплементарных структур "металл-диэлектрик-полупроводник"






х

х

х

х

х

х

+

+

+


6. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл.5.

Таблица 5

Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем

Время выборки, нс

63

100

160

250

400

630

1000

1600

2500

4000

На аморфных структурах

х

х

х

х

+






На основе структур "металл-диэлектрик-полупро- водник" с лавинной инжекцией заряда


х

х

х

х

+

+




На основе структур "металл-нитрид-окисел-полу- проводник"



х

х

х

х

х

+

+

+


7. Удельная потребляемая мощность запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств должна выбираться из ряда: 0,0001; 0,00016; 0,00025; 0,00040; 0,00063; 0,0010; 0,0016; 0,0025; 0,0040; 0,0063; 0,010; 0,016; 0,025; 0,040; 0,063; 0,10; 0,16; 0,25; 0,40; 0,63; 1,0; 1,6; 2,5; 4,0; 6,3; 10 мВт/бит.

8. Частота сдвигающих импульсов (тактовая частота) для запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,00; 2,50; 5,00; 10,00; 25,00 МГц.

9. Допускаемые сочетания значений основных параметров усилителей воспроизведения должны соответствовать указанным в табл.6.

Таблица 6

Максимальное среднее время задержки распространения, нс

Минимальное входное напряжение срабатывания усилителя, мВ

1,25

5,00

12,5

20,0

25

х




40

х


+

+

63


+




10. Допускаемые сочетания значений основных параметров формирователей разрядного и адресного токов должны соответствовать указанным в табл.7.

Таблица 7


Максимальное среднее время задержки распространения, нс

Максимальный выходной импульсный ток, мА

80

200

315

500

1250

16




х


25



х


х

40


х

+



63

х



+


100




+



11. Допускаемое отклонение электрических параметров от значений, указанных в табл.3-7 и п.7, должно находиться в пределах ±20%.


Copyright © 2024