ГОСТ 24352-80 - Излучатели полупроводниковые. Основные параметры

ГОСТ 24352-80
Группа Э02

ОКП 621000

Дата введения 1982-01-01

1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 06.08.80 N 4074

2. Срок проверки 1991 г., периодичность - 5 лет.

3. ВЗАМЕН ГОСТ 17465-72* в части пп.13, 14, 15.

4. ПЕРЕИЗДАНИЕ (апрель 1988 г.) с Изменением N 1, утвержденным в январе 1988 г. (ИУС 4-88).

1. Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров.

2. Допускаемые сочетания значений основных параметров инфракрасных излучающих диодов должны соответствовать указанным в таблице.

Мощность излучения
, мВт

Постоянный прямой ток и (или) импульсный прямой ток , мА

100

200

300

500

1000

2000

3000

5000

10000

20000

0,01

0,02

0,06

0,10

0,15

0,20

0,40

0,60

0,80

1,00

1,50

2,00

3,00

4,00

5,00

6,00

10,00

20,00

30,00

40,00

60,00

80,00

100,00

200,00

350,00

500,00

800,00

1000,00

Примечание. Для излучающих диодов, конструктивно сопряженных с компонентами волоконно-оптических систем передачи, приводят мощность излучения на выходе оптического волокна с диаметром сердцевины 200 мкм и числовой апертурой 0,27-0,3.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

3. Угол излучения светоизлучающих диодов должен выбираться из ряда: 10; 15; 25; 40; 60; 90; 125; 180°.

4. Значение силы света при постоянном прямом токе 10 мА должно составлять не менее 0,1 мкд.

ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры

ГОСТ 24352-80
Излучатели полупроводниковые. Основные параметры