--> -->
  1. Главная
  3. Общероссийский классификатор стандартов
  4. Электроника
  5. Полупроводниковые приборы
  6. Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. ...

ГОСТ 19834.5-80
Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения

ГОСТ 19834.5-80

Группа Э29

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНФРАКРАСНЫЕ ИЗЛУЧАЮЩИЕ

Метод измерения временных параметров импульса излучения

Semiconductor emitting infra-red diodes.
Method for measuring of radiation pulse switching times



ОКП 621000

Дата введения 1982-01-01

ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11.12.80 N 5774

Ограничение срока действия снято Постановлением Госстандарта от 30.07.92 N 824

ИЗДАНИЕ (апрель 2000 г. ) с Изменениями N 1, 2, утвержденными в декабре 1983 г., сентябре 1986 г. (ИУС 3-84, 12-86)


Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды (далее - излучатели), в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2), времени спада ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2), времени задержки при включении ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2), времени задержки при выключении ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2).

Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 19834.0-75.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3788-82 в части измерения параметров импульса излучения (см. приложение).

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

1. ПРИНЦИП, УСЛОВИЯ И РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЯ

1. ПРИНЦИП, УСЛОВИЯ И РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЯ

1.1. Измерение временных параметров основано на преобразовании импульса излучения от излучателя в импульс электрического тока с последующим определением временных интервалов между заданными отсчетными уровнями импульсов.

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

1.2. Режим измерения (амплитуда импульса тока, длительность импульса тока, частота следования импульса тока) должен соответствовать установленному в стандартах или технических условиях (далее - ТУ) на излучатели конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. N 2).

1.3. Условия измерения - по ГОСТ 19834.0-75.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

2. АППАРАТУРА

2.1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1.

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2)


G1 - генератор импульсов тока; R1 - согласующий и токозадающий резистор; X1, Х2 - контакты подключения
излучателя; D - излучатель; В - фотоприемник; R2 - резистор нагрузки; G2 - регулируемый генератор
постоянного напряжения; Р - измеритель временных интервалов (осциллограф)

Черт.1


(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

2.2. (Исключен, Изм. N 2).

2.3. Генератор импульсов тока G1 должен обеспечивать импульсы прямоугольной или трапецеидальной формы на согласованной нагрузке 50 Ом.

Спад импульса тока на согласованной нагрузке не должен превышать 5% значения амплитуды импульса.

Выброс на вершине импульса тока на согласованной нагрузке не должен превышать 10% амплитуды импульса.

Длительность импульса входного тока должна превышать не менее чем в 5 раз максимальное значение времени нарастания (спада) импульса излучения, установленное в стандартах или ТУ на излучатели конкретных типов.

Частоту следования входных импульсов тока ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) следует выбирать из условия

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2),


где ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - максимальное значение времени нарастания (спада) импульса излучения, установленное в стандартах или ТУ на излучатели конкретных типов, с.

2.4. Сопротивление резистора R1 должно быть равно выходному сопротивлению генератора.

Допускаемое отклонение сопротивления резистора R1 должно быть в пределах +5%.

Допускается отсутствие резистора R1 в измерительной схеме, если входное сопротивление измерителя временных интервалов Р (осциллографа) равно 50 Ом.

2.5. Измеритель временных интервалов Р должен обеспечивать измерение амплитуды импульса тока с погрешностью в пределах ±10%.

При измерении времени задержки при включении ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) и при выключении ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) измеритель временных интервалов Р должен обеспечивать одновременное отображение импульса тока через излучатель и импульса напряжения с выхода фотоприемника.

2.6. Значение сопротивления нагрузки R2 выбирают с учетом емкости фотоприемника ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) и входной емкости измерителя временных интервалов ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2)

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2),


где ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - минимальное время нарастания (спада) импульса излучения излучателя, указанное в стандартах или ТУ на излучатели конкретных типов, с.

Для согласования фотоприемника с низким входным сопротивлением измерителя временных интервалов допускается включать между фотоприемником и измерителем временных интервалов усилитель импульсов тока (трансимпедансный усилитель).

2.3-2.6. (Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

2.7. (Исключен, Изм. N 2).

2.8. В качестве фотоприемного устройства при измерении времени задержки импульса излучения следует применять ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) фотодиоды, лавинные фотодиоды, импульсные фотоэлементы и другие фотоприемные устройства, время задержки которых не больше, чем у перечисленных.

Допускается использование оптических систем для получения необходимой концентрации мощности излучения на фотоприемнике.

2.9. Время нарастания (спада) переходной характеристики измерительного тракта ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2), с, не должно превышать значения, удовлетворяющего условию

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2),


где ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - погрешность измерителя временных интервалов, %;

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - минимальное время нарастания (спада) импульса излучения, установленное в стандартах или ТУ на излучатели конкретных типов, с.

Время нарастания (спада) переходной характеристики измерительного тракта ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2), с, определяют прямым измерением или вычисляют по формуле

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2),


где ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - время нарастания (спада) импульса тока на согласованной нагрузке, с;

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - время нарастания (спада) переходной характеристики измерителя временных интервалов, с;

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - время нарастания (спада) переходной характеристики фотоприемника, с;

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - время нарастания (спада) переходной характеристики усилителя импульсов тока, с.

2.8, 2.9. (Измененная редакция, Изм. N 2).

3. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ

3.1. Измерительную установку подготавливают к работе в соответствии с эксплуатационной документацией.

(Измененная редакция. Изм. N 2).

3.1а Подключают излучатель к измерительной установке.

(Введен дополнительно, Изм. N 2).

3.2. Генератором импульсов тока G1 задают ток через излучатель в соответствии со стандартами или ТУ на излучатели конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

3.3. Измерителем временных интервалов измеряют интервалы времени, в течение которых выходное напряжение фотоприемного устройства изменяется от уровня 0,1 до уровня 0,9 максимального значения при нарастании и от уровня 0,9 до уровня 0,1 при спаде импульса (черт.2а).

3.4. Измерителем временных интервалов измеряют интервалы времени, в течение которых происходит задержка выходного напряжения фотоприемного устройства относительно импульса тока через излучатель при включении на уровне 0,1 и при выключении на уровне 0,9 (черт.2б)

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2)


ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - время нарастания импульса излучения; ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - время спада импульса излучения;
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - время задержки импульса излучения при включении на уровне 0,1;
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - время задержки импульса излучения при выключении на уровне 0,9

Черт.2

3.3, 3.4. (Измененная редакция, Изм. N 2).

4. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙ

4.1. Если время нарастания (спада) переходной характеристики измерительного тракта превышает 0,3 измеренного по п.3.3 интервала времени, то время нарастания (спада) импульса излучения ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2), с, вычисляют по формуле

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2),


где ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2) - измеренное значение времени нарастания (спада) импульса излучения, с.

4.2. При ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2)0,3 измеренного времени нарастания или спада импульса излучения отсчитанное значение принимается за действительное.

4.1, 4.2. (Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

4.3. (Исключен, Изм. N 2).

5. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЙ

5.1. Погрешность измерения параметров импульса излучения должна быть в пределах ±15% с доверительной вероятностью ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2)=0,997.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

5.2. (Исключен, Изм. N 2).

ПРИЛОЖЕНИЕ (справочное). ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 19834.5-80 СТ СЭВ 3788-82

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное


ГОСТ 19834.5-80 соответствует разд.7 СТ СЭВ 3788-82.

ПРИЛОЖЕНИЕ (Введено дополнительно, Изм. N 1).



Copyright © 2024
Карта сайта