--> -->

ГОСТ 19656.4-74
Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования

ГОСТ 19656.4-74*(СТ СЭВ 3408-81)

Группа Э29

     
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ СМЕСИТЕЛЬНЫЕ

Методы измерения потерь преобразования

Semiconductor microwave mixer diodes.
Methods of measuring conversion losses


Дата введения 1975-07-01



Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 марта 1974 г. N 753 срок введения установлен с 01.07.75

Проверен в 1987 г. Постановлением Госстандарта СССР от 20.04.87 N 1330 срок действия продлен до 01.07.92**
________________
** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 02.09.91 N 1413 (ИУС N 12, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.

* ПЕРЕИЗДАНИЕ (апрель 1988 г.) с Изменениями N 1, N 2, утвержденными в июле 1976 г., январе 1983 г.; Пост. N 387 от 25.01.83 (ИУС N 7-1976 г., ИУС N 5-1983 г.)


Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц методы измерения потерь преобразования ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2):

дифференциальный метод;

метод амплитудной модуляции.

Методы измерений ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) в диапазоне частот от 78,3 до 300 ГГц следует устанавливать в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3408-81 (см. справочное приложение 1) и Публикации МЭК 147-2К в части принципа измерения.

Общие требования при измерении должны соответствовать ГОСТ 19656.0-74 и настоящего стандарта.

(Измененная редакция, Изм. N 2).

1. ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД

1. ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД


Потери преобразования дифференциальным методом определяют измерением приращения выпрямленного среднего тока диода при соответствующем приращении СВЧ мощности сигнала на его входе.

1.1. Условия и режим измерения

1.1.1. Условия и режим измерения - по ГОСТ 19656.0-74.

1.1, 1.1.1. (Измененная редакция, Изм. N 2).

1.1.2. (Исключен, Изм. N 2).

1.2. Аппаратура

1.2.1. Измерение потерь преобразования проводят на установке, структурная схема которой приведена на черт.1.

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)


ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - генератор СВЧ; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - частотомер; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - ферритовый вентиль; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - переменный аттенюатор;
ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - переменный прецизионный аттенюатор; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - измеритель мощности; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - измерительная
диодная камера; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - резисторы нагрузки; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - генератор постоянного тока;
ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - переключатель; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - микроамперметр; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - миллиамперметр.

Черт.1


1.2.2. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны соответствовать следующим требованиям.

1.2-1.2.2. (Измененная редакция, Изм. N 2).

1.2.2.1. Переменный прецизионный аттенюатор ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) должен иметь начальный участок шкалы от 0 до 10 дБ с ценой деления не более 0,1 дБ. Абсолютная погрешность установки ослабления должна находиться в пределах ±(0,01+0,005ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)), где ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - устанавливаемое ослабление.

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

1.2.2.2. Значения сопротивлений резисторов ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) выбирают из условия

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2),


где ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - внутреннее сопротивление микроамперметра ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2);

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - среднее значение выходного сопротивления измеряемых диодов, при этом ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2);

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - нагрузка диода по постоянному току.

Значение суммы сопротивлений должно быть установлено с относительной погрешностью в пределах ±1%.

1.2.2.3. Генератор постоянного тока ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) должен обеспечивать компенсацию выпрямленного тока диода.

Выходное сопротивление генератора тока должно удовлетворять неравенству

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2).


Относительная нестабильность тока компенсации за 15 мин не должна выходить за пределы ±0,1%.

1.2.2.4. Измерительные приборы ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) должны иметь класс точности не хуже 1 и внутреннее сопротивление ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)10 Ом.

1.2.2.2-1.2.2.4. (Измененная редакция, Изм. N 2).

1.2.2.5. (Исключен, Изм. N 2).

1.3. Проведение измерения и обработка результатов

1.3.1. Устанавливают заданный по частоте режим измерения.

Прецизионный аттенюатор ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) устанавливают на начальном участке шкалы на целое число делений в пределах 0,1ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)0,3.

С помощью аттенюатора ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) устанавливают на входе диодной камеры заданный режим измерения по мощности ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2).

1.3.2. Переключатель ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) ставят в положение 1.

Измеряемый диод вставляют в измерительную диодную камеру.

Компенсируют выпрямленный ток диода до нулевого показания миллиамперметра ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2). Затем переводят переключатель ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) в положение 2 и доводят компенсацию до нуля по микроамперметру ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2).

1.3.3. Увеличивают на ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) уровень СВЧ мощности при помощи аттенюатора ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) в пределах от 0,2 до 0,3 дБ и измеряют значение соответствующего выпрямленного тока ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2).

1.3-1.3.3. (Измененная редакция, Изм. N 2).

1.3.4. Определяют потери преобразования ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) в дБ по формуле

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2),


где ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2).

(Введен дополнительно, Изм. N 2).

1.4. Показатели точности измерений

1.4.1. Погрешность измерения потерь преобразования в диапазоне частот от 0,3 до 37,5 ГГц должна быть в пределах ±9% с доверительной вероятностью 0,997. В диапазоне частот от 37,5 до 300 ГГц показатели точности измерения должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

1.4, 1.4.1. (Измененная редакция, Изм. N 2).

1.4.2. Расчет погрешности измерения потерь преобразования приведен в справочном приложении 2.

(Введен дополнительно, Изм. N 2).

2. МЕТОД АМПЛИТУДНОЙ МОДУЛЯЦИИ


Потери преобразования методом амплитудной модуляции определяют измерением напряжения промежуточной частоты (частоты модуляции) на нагрузке диода и среднего значения падающей на диод СВЧ мощности при известном значении коэффициента модуляции.

2.1. Условия и режим измерения

2.1.1. Условия и режим измерения - по ГОСТ 19656.0-74.

2.1.2. (Исключен, Изм. N 2).

2.2. Аппаратура

2.2.1. Измерение потерь преобразования проводят на установке, структурная схема которой приведена на черт.2.

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)


ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - генератор СВЧ; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - частотомер; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - вентили; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - модулятор; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - аттенюатор;
ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - измеритель мощности; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - измерительная диодная камера;
ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - блок нагрузок; ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - милливольтметр.

Черт.2


2.2, 2.2.1. (Измененная редакция, Изм. N 2).

2.2.2. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны соответствовать следующим требованиям.

2.2.2.1. Модулятор ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), модулирующий падающую СВЧ волну по амплитуде, должен иметь следующие характеристики:

значение коэффициента модуляции по напряжению ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) модулятора не должно выходить за пределы 0,04ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)0,12, относительная погрешность измерения коэффициента модуляции не должна выходить за пределы ±4%;

частота модуляции должна находиться в диапазоне от 10 Гц до 20 кГц;

относительная нестабильность частоты модуляции не должна, выходить за пределы ±2%;

форма модуляционной кривой - синусоида.

2.2.2.2. Блок нагрузок ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) должен обеспечивать нагрузки диода по переменному (на частоте модуляции) току ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) и постоянному току ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), при этом ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), где ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - среднее значение выходного сопротивления измеряемых диодов.

Выбранные значения сопротивлений должны быть известны с относительной погрешностью в пределах ±1%.

2.2.2.3. Милливольтметр переменного тока ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) должен измерять действующее напряжение на частоте модуляции при сопротивлении нагрузки диода ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2). Класс точности милливольтметра - не хуже 1,5.

2.2.2.1-2.2.2.3. (Измененная редакция, Изм. N 2).

2.2.2.4. (Исключен, Изм. N 2).

2.3. Проведение измерения

2.3.1. Устанавливают заданный по частоте режим измерения. На входе измерительной диодной камеры при помощи аттенюатора ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) при работающем модуляторе устанавливают заданное значение мощности ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2).

2.3.2. В измерительную диодную камеру вставляют измеряемый диод и по милливольтметру отмечают значение напряжения ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2).

2.3.3. Определяют потери преобразования ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) в дБ по формуле

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2).


(Введен дополнительно, Изм. N 2).

2.4. Показатели точности измерений

2.4.1. Погрешность измерения потерь преобразования в диапазоне частот от 0,3 до 37,5 ГГц должна быть в пределах ±12% с доверительной вероятностью 0,997. В диапазоне частот от 37,5 до 300 ГГц пределы погрешности должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

2.4, 2.4.1. (Измененная редакция, Изм. N 2).

2.4.2. Расчет погрешности измерения потерь преобразования приведен в справочном приложении 2.

(Введен дополнительно, Изм. N 2).

ПРИЛОЖЕНИЕ 1 (справочное). ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 19656.4-74 СТ СЭВ 3408-81

ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Справочное


ГОСТ 19656.4-74 соответствует разд.5 и 6 СТ СЭВ 3408-81.

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 (справочное). РАСЧЕТ ПОГРЕШНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ПОТЕРЬ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ

ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное


При расчете погрешности принят нормальный закон распределения составляющих погрешности и суммарной погрешности.

1. Дифференциальный метод

1.1. Потери преобразования в относительных единицах (см. настоящий стандарт) рассчитывают по формуле

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), (1)


где ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2).

Если принять, что ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), где ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - устанавливаемое при помощи аттенюатора калиброванное изменение уровня мощности (в относительных единицах), и установить ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), то формула (1) принимает вид

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2). (2)


Логарифмируем формулу (2) и после почленного дифференцирования с заменой дифференциалов приращениями получаем

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2). (3)


При дифференцировании формулы (2) считаем ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) постоянной величиной, так как погрешность установки калиброванного приращения ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) ничтожно мала.

1.2. Из формулы (3) следует, что искомая погрешность ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) равна

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), (4)


где ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - погрешность измерения уровня СВЧ мощности;

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - погрешность измерения приращения выпрямленного тока;

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - погрешность установления значения суммы сопротивлений.

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2).

1.3. Погрешность ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) (см. ГОСТ 19656.0-74) для уровней мощности 10ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)-5·10ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) Вт (что соответствует режимам измерений смесительных диодов) равна ±7%.

1.4. Погрешность ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) вычисляют по формуле

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), (5)


где ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - погрешность измерения первого значения тока в середине шкалы прибора класса 1,0, равная ±2%;

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - погрешность измерения второго значения тока на конце шкалы прибора класса 1,0, равная ±1%.

Подставив в формулу (5) значения ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), получаем ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)2,2%.

1.5. Погрешность ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) в соответствии с требованиями стандарта равна ±1%.

1.6. Подставив в формулу (4) значения ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), получаем ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)±8,4%. Принимаем ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) равной ±9%.

2. Метод амплитудной модуляции

2.1. Потери преобразования в относительных единицах (см. настоящий стандарт) рассчитывают по формуле

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2). (6)


Логарифмируем формулу (6) и после почленного дифференцирования с заменой дифференциалов приращениями получаем

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2). (7)

2.2. Из формулы (7) следует, что искомая погрешность ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) равна

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), (8)


где ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - погрешность определения коэффициента модуляции;

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - погрешность определения нагрузки диода по переменному току;

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - погрешность измерения уровня СВЧ мощности;

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - погрешность показания милливольтметра.

2.3. Погрешность ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) для механического модулятора поляризационного типа принимаем (см. справочное приложение 3) равной ±4%.

2.4. Расчет погрешности определения коэффициента модуляции поляризационного модулятора приведен в справочном приложении 3.

2.5. Погрешность ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) в соответствии с требованиями настоящего стандарта равна ±1%.

2.6. Погрешность ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) (см. ГОСТ 19656.0-74) равна ±7%.

2.7. Погрешность ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) милливольтметра класса 1,5 при измерении напряжения в середине шкалы прибора равна ±3%.

2.8. Подставляя в формулу (8) значения ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), получаем ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)±12%.

ПРИЛОЖЕНИЕ 3 (справочное). РАСЧЕТ ПОГРЕШНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА МОДУЛЯЦИИ ПОЛЯРИЗАЦИОННОГО МОДУЛЯТОРА

ПРИЛОЖЕНИЕ 3
Справочное

1. Кривую модуляции СВЧ мощности, создаваемой поляризационным модулятором, можно считать синусоидой. Поэтому модуляции ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) можно определять по двум точкам модуляционной кривой (максимальному и минимальному значениям СВЧ мощности на выходе модулятора).

2. Для повышения точности измерения ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) рекомендуется к выходу аттенюатора ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) (см. черт.2 настоящего стандарта) присоединить измерительную линию, нагруженную на согласованную нагрузку (с ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)1,05). Детектор зонда измерительной линии должен работать в квадратичном режиме.

Микроамперметр измерительной линии должен иметь класс не хуже 1,0 и число шкалы не менее 100.

3. Коэффициент модуляции рассчитывают по формуле

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), (1)


где ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - максимальное и минимальное показания микроамперметра при поворачивании модулятора от руки.

4. Дифференцируя формулу (1), получаем (после проведения преобразований и замены дифференциалов приращениями)

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2). (2)

5. Из формулы (2) следует, что искомая погрешность равна

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), (3)


где ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) - погрешности отсчета по микроамперметру ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) соответственно. Эти погрешности зависят от того, в какой части шкалы прибора проводят измерения.

5.1. Для уменьшения погрешности ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) измерения значений ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) рекомендуется проводить в конце шкалы микроамперметра. При этом следует устанавливать (при помощи аттенюатора) значение ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) на самом конце шкалы, т.е. ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) должна быть равна 100 дел.

Таким образом, для определения ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) достаточно измерить одно (минимальное) значение ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2).

5.2. Погрешность установления ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)100 дел. по микроамперметру класса 1,0 равна ±1%.

Погрешность измерения ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) вычисляют по формуле

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), %. (4)

6. Подставляя в формулу (3) значения ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), получаем


ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), (5)


где под ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) подразумевают ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2).

Погрешности, рассчитанные по формуле (5) для некоторых конкретных значений ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), сведены в таблицу.

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2)

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) (дел)

ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2), %

0,096

68

4,6

0,104

66

4,3

0,111

64

4,0

0,119

62

3,9

0,127

60

3,8



Из таблицы видно, что погрешность определения коэффициента модуляции поляризационного модулятора не превышает ±4% при значениях ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) в интервале 0,11-0,12.

Примечание. Для исключения влияния на результат измерения ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) нестабильности уровня СВЧ мощности во время измерения следует следить за постоянством значения ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) (100 дел.), а измерение ГОСТ 19656.4-74 (СТ СЭВ 3408-81) Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования (с Изменениями N 1, 2) проводить несколько раз и находить среднее арифметическое значение этой величины.



Copyright © 2024