--> -->
  1. Главная
  3. Общероссийский классификатор стандартов
  4. Электроника
  5. Полупроводниковые приборы
  6. Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени ...

ГОСТ 18986.8-73
Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления

ГОСТ 18986.8-73
Группа Э29

     
     
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Метод измерения времени обратного восстановления

Semiconductor diodes. Method for measuring reverce recovery time



Дата введения 1975-01-01

     
     
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 13 июля 1973 года N 1723

Изменение N 2 принято Межгосударственным Советом по стандартизации, метрологии и сертификации (протокол N 3 от 18.02.93)

Зарегистрировано Техническим секретариатом МГС N 1439

За принятие проголосовали:

Наименование государства

Наименование национального органа по стандартизации

Азербайджанская Республика

Азгосстандарт

Республика Армения

Армгосстандарт

Республика Белоруссия

Госстандарт Белоруссии

Грузия

Грузстандарт

Республика Казахстан

Госстандарт Республики Казахстан

Республика Молдова

Молдовастандарт

Российская Федерация

Госстандарт России

Туркменистан

Главная государственная инспекция Туркменистана

Республика Узбекистан

Узгосстандарт

Украина

Госстандарт Украины


2. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

3. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

Обозначение НТД, на который дана ссылка

Раздел

ГОСТ 18986.0-74


Вводная часть


4. Ограничение срока действия снято по протоколу Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС 2-93)

5. ПЕРЕИЗДАНИЕ (май 1998 года) с Изменениями N 1, 2, утвержденными в июне 1982 года, июле 1995 года (ИУС 9-82, 10-95)


Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды и устанавливает метод измерения времени обратного восстановления.

Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18986.0.

Требования разд.4 настоящего стандарта являются обязательными, другие требования настоящего стандарта являются рекомендуемыми.

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

1. УСЛОВИЯ И РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЙ

1. УСЛОВИЯ И РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЙ

1.1. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±5) °С.

1.2. Прямой ток, обратное напряжение или обратный ток, при которых измеряют время обратного восстановления диода, должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

1.1, 1.2. (Измененная редакция, Изм. N 1).

1.3, 1.4. (Исключены, Изм. N 1).

2. АППАРАТУРА

2.1. Принципиальная электрическая схема измерения времени обратного восстановления должна соответствовать указанной на черт.1.


ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2)


Черт.1

ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) - генератор прямого тока с выходным сопротивлением ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2); ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) - генератор импульса обратного
напряжения с выходным сопротивлением ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2); ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) - выводы; ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) - измеряемый диод;
ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) - измерительное устройство с входным сопротивлением ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2); ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) - точка земли


2.2. От генератора ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) через измеряемый диод ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) и входное сопротивление ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) измерительного устройства ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) подают постоянный или импульсный прямой ток в течение времени, достаточного для установления в измеряемом диоде неравновесных носителей заряда, соответствующего протекающему току.

Затем от генератора ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) подают импульс обратного напряжения, запирающий измеряемый диод (при импульсном прямом токе допускается подача постоянного обратного напряжения).

Измерительным устройством ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) измеряют отрезок времени от момента прохождения через нуль тока диода до момента, в который уменьшающийся обратный ток диода становится равным заданному отсчетному значению обратного тока ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2).

Эпюра изображения временных параметров импульсов прямого и обратного напряжений, определяемых при короткозамкнутых выводах ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) (черт.1), показана на черт.2.


ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2)


Черт.2


Эпюра тока, протекающего в цепи диода, показана на черт.3.


ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2)


Черт.3


Эпюра установления обратного напряжения на диоде между точками ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) и землей ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) (черт.1) показана на черт.4.

ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2)

(ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2);

ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2))


Черт.4

2.1, 2.2. (Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

2.3. Генератор ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) должен обеспечивать подачу через измеряемый диод постоянного или импульсного прямого тока заданного значения, при этом должны выполняться следующие требования:

а) значение прямого тока должно задаваться через диод с погрешностью в пределах ±3% для постоянного прямого тока и в пределах ±10% для импульсного прямого тока;

б) длительность импульса прямого тока должна быть не менее 5 ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) для диода измеряемого типа;

в) неравномерность вершины импульса прямого тока при длительности 5 ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2), отсчитанной от момента подачи импульса обратного напряжения, должна быть в пределах ±5%.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

2.4. Генератор ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) должен обеспечивать подачу импульса обратного напряжения на измеряемый диод (при импульсном прямом токе допускается подача постоянного обратного напряжения). При этом должны быть выполнены следующие требования:

а) амплитуда обратного напряжения ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) или обратный ток ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) должны быть установлены с погрешностью в пределах ±10%;

б) выходное сопротивление ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) генератора ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) должно быть таким, чтобы суммарное сопротивление (ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2)) в цепи для тока обратного восстановления измеряемого диода ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) соответствовало значению, установленному в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов. Для диодов с ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2)<10 нс предпочтительно значение суммарного сопротивления - 100 Ом ± 20%;

в) длительность импульса обратного напряжения ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) от генератора ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) должна быть не менее 5ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) при применении осциллографического устройства. При применении других измерительных устройств длительность ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) может быть уменьшена, при этом должно выполняться ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2). Частота импульсов должна соответствовать значению, установленному в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов;

г) неравномерность вершины импульса обратного напряжения при длительности ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) должна быть в пределах ±10%;

д) время нарастания ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) импульса обратного напряжения между уровнями 0,1 и 0,9 его амплитуды, измеряемое при короткозамкнутых выводах ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2), должно удовлетворять условию ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2).

Время нарастания ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) должно быть определено с погрешностью в пределах ±10%;

е) цепи генераторов ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) могут быть разделены включением разделительного конденсатора на выходе генератора ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2). При этом емкость конденсатора ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) в фарадах должна удовлетворять условию

ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2).

2.5. Устройство ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) должно обеспечивать измерение временного интервала, соответствующего переходному процессу изменения обратного тока диода от момента прохождения им значения нуля до момента спада обратного тока до заданного отсчетного уровня.

Устройство ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) может быть как осциллографическим, так и безосциллографическим (например, быстродействующий амплитудный дискриминатор), при этом должны быть выполнены следующие требования:

а) время нарастания переходной характеристики измерительного устройства не должно превышать 0,ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2), которое указывается в стандартах или технических условиях (ТУ) на диоды конкретных типов;

б) для обеспечения согласования и достижения необходимой чувствительности измерительного устройства ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) рекомендуется иметь входное сопротивление ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) измерительного устройства равным 50 Ом (для диодов с ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2)<10 нс). Допускается значение ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) в пределах от ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) до ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2), где ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) - суммарное общее сопротивление цепи переходного обратного тока измеряемого диода, значение которого устанавливают в стандартах или ТУ на диоды конкретных типов;

в) допускается шунтирование сопротивления ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) диодом в такой полярности, чтобы через него протекал прямой ток измеряемого диода, при этом время обратного восстановления шунтирующего диода должно быть менее одной трети значения ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) измеряемого диода;

г) входная емкость измерительного устройства ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) должна удовлетворять условию

ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2);

д) калибровка шкалы длительностей устройства ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) должна быть обеспечена с погрешностью в пределах ±10%.

2.4, 2.5. (Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

2.6. Уровень отсчета тока обратного восстановления ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) и погрешность его определения должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов. Распределенная емкость схемы ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) в фарадах между выводами ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) должна удовлетворять условию

ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2).


(Измененная редакция, Изм. N 1).

2.7. Индуктивность ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) в контуре, образованном элементами измеряемого диода ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2), должна быть сведена к возможному минимуму, и ее расчетное значение не должно превышать ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2).

(Измененная редакция, Изм. N 2).

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ

3.1. Измерение ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) производят следующим образом.

Между выводами ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) схемы (черт.1) включают измеряемый диод. На диод подают режим измерения (заданный прямой ток ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) и обратное напряжение ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) заданного значения или значения, при котором ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) через диод достигает заданного значения).

По устройству ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления (с Изменениями N 1, 2) на заданном отсчетном уровне тока измеряют временной интервал, ограничиваемый переходным процессом обратного восстановления.

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

4. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЙ

4.1. Погрешность измерения времени обратного восстановления должна быть в пределах ±25% с доверительной вероятностью 0,997.

(Введен дополнительно, Изм. N 1).


Copyright © 2024
Карта сайта