ГОСТ 17465-80 - Диоды полупроводниковые. Основные параметры

ГОСТ 17465-80
Группа Э02

Дата введения 1982-01-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 28 августа 1980 г. N 4471 срок введения установлен с 01.01 1982 г.

ВЗАМЕН ГОСТ 16963-71 и ГОСТ 17465-72 в части пп.1-12, 16-22

1. Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды: выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки).

Стандарт устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров, которые в табл.1-17 отмечены знаком "+".

Допускаемые сочетания, отмеченные знаком "" в табл.1-11, 15-17, предназначены для применения в устройствах специального назначения.

Приведенные в стандарте числовые значения параметров установлены для нормальных климатических условий по ГОСТ 16962-71.

Пояснения к терминам приведены в справочном приложении.

2. Основные параметры выпрямительных диодов

2.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных диодов должны соответствовать указанным в табл.1.

Таблица 1

Постоянный прямой или средний прямой ток, А	Постоянное обратное напряжение, В
	100	200	400	600	800	1000	1500
0,10			+	+	+	+	+
0,30	+	+		+		+
0,50	+	+	+	+	+	+	+
0,70	+	+	+	+	+	+	+
1,00	+	+		+		+
3,00	+	+	+	+	+	+	+
5,00	+	+		+		+
7,00	+	+	+	+	+	+	+
10,00				+		+

2.2 Значение предельной рабочей частоты должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.

2.3 Значение мощности импульсных перегрузок по обратному току для выпрямительных диодов должно выбираться из ряда: 200; 1000; 2000; 5000; 20000; 50000 Вт.

3. Основные параметры выпрямительных столбов

3.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных столбов должны соответствовать указанным в табл.2.

Таблица 2

Постоянный прямой или средний прямой ток, мА	Импульсное обратное или постоянное обратное напряжение, кВ
	2	4	6	8	10	15	20
10	+	+		+		+
30	+	+	+	+	+	+	+
100		+		+		+
300	+	+	+	+	+	+	+
500		+		+		+
1000	+	+		+		+	+

3.2. Максимальное значение частоты выпрямления выпрямительных столбов должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.

4. Основные параметры импульсных диодов

4.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодов должны соответствовать указанным в табл.3.

Таблица 3

Средний прямой ток, мА	Время восстановления обратного coпротивления, нс
	0,20	0,50	1,00	4,00	10,00	40,00	100,00	400,00	1000,00
2		+	+	+	+	+	+	+	+
5	+	+	+	+	+	+	+	+	+
10		+	+	+	+	+	+	+	+
20	+	+	+	+	+	+	+	+	+
50			+	+	+	+	+	+	+
100	+	+	+	+	+	+	+	+	+
200		+	+	+	+	+	+	+	+
500	+	+	+	+	+	+	+	+	+

Примечание. Приборы с большим быстродействием характеризуются временем жизни неравновесных носителей заряда, которое выбирается из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10 нс.

4.2. Значение постоянного обратного напряжения импульсных диодов должно выбираться из ряда: 3; 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200 В.

5. Допускаемые сочетания значений основных параметров стабилитронов (стабисторов) общего назначения должны соответствовать указанным в табл.4.

Таблица 4

Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт

Номинальное напряжение стабилизации, В

0,7

1,4

1,9

2,1

2,4

2,7

3,0

3,3

3,6

3,9

4,3

4,7

5,1

5,6

0,020

0,050

0,125

0,300

1,000

2,000

5,000

10,000

Продолжение табл.4

Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт

Номинальное напряжение стабилизации, В

6,2

6,8

7,5

8,2

9,1

10,0

11,0

12,0

13,0

15,0

16,0

18,0

20,0

22,0

0,020

0,050

0,125

0,300

1,000

2,000

5,000

10,000

Примечания:

1. Значения номинального напряжения стабилизации более 22 В выбирают умножением ряда напряжений от 2,4 до 22 В на 10 и 100.

2. Допускаемое отклонение номинального напряжения стабилизации должно соответствовать значениям: ±5; ±10%.

6. Допускаемые сочетания значений основных параметров прецизионных стабилитронов должны соответствовать указанным в табл.5.

Таблица 5

Температурный коэффициент напряжения стабилизации	Значение временной нестабильности напряжения стабилизации, %
	0,0005	0,0010	0,0020	0,0050	0,0100	0,0200	0,0500
0,0002		+	+
0,0005	+	+	+	+	+	+	+
0,0010		+	+	+	+	+	+
0,0020	+	+	+	+	+	+	+
0,0050			+		+	+	+

7. Основные параметры варикапов

7.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров варикапов при обратном напряжении 6 В должны соответствовать указанным в табл.6.

Таблица 6

Добротность на частоте 50 МГц

Номинальная емкость, пФ

1,0

1,2

1,5

1,8

2,2

2,7

3,3

3,9

4,7

5,6

6,8

8,2

100

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

2000

2200

Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.

7.2. Допускаемые сочетания значений основных параметров подстроенных варикапов при обратном напряжении 4 В должны соответствовать указанным в табл.7 и 8.

Таблица 7

Добротность на частоте 50 МГц	Номинальная емкость, пФ
	10	12	15	18	22	27	33	39	47	56
150	+	+	+	+	+	+	+	+	+	+
200	+	+	+	+	+	+	+		+	+
250	+	+	+	+		+	+	+	+
300	+	+		+	+	+	+	+	+	+
400		+	+	+	+	+	+	+	+
500	+	+	+	+	+	+	+	+	+
600	+	+	+	+	+	+	+	+
700	+	+	+	+	+	+	+
800	+	+	+	+	+	+
900	+	+	+	+	+	+
1000	+	+	+	+	+

Таблица 8

Добротность на частоте 10 МГц

Номинальная емкость, пФ

100

120

150

180

220

270

330

390

470

560

680

1000

150

200

250

300

400

500

600

Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.

8. Допускаемые сочетания значений основных параметров настроечных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.9.

Таблица 9

Доброт-
ность на
частоте 1 ГГц

Номинальная емкость при обратном напряжении минус 6 В, пФ

0,08

0,10

0,15

0,20

0,25

0,34

0,45

0,60

0,80

1,20

1,80

2,20

2,70

3,30

3,90

4,70

5,60

6,80

8,20

100

120

140

180

220

260

300

400

500

600

700

800

1000

1200

1400

Примечание. Допускаемый разброс номинальной емкости диода выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20%.

9. Основные параметры смесительных СВЧ диодов

9.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров смесительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.10.

Таблица 10

Нормированный коэффициент шума, дБ, на промежуточной частоте 30 МГц	Длина волны измерения, см
	0,1	0,2	0,4	0,8	2,0	3,2
4,5	+	+			+
5,0			+	+		+
5,5	+	+	+	+	+	+
6,0	+	+	+	+	+	+
6,5	+	+	+	+	+	+
7,0	+	+	+	+	+	+
7,5	+	+	+	+	+
8,0	+	+	+	+
9,0	+	+	+
10,0	+	+	+
11,0	+	+
12,0	+	+
14,0	+
16,0	+

9.2. Минимальная энергия выгорания должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,0; 2,5; 5,0; 10,0; 15,0; 20 эрг.

10. Основные параметры детекторных СВЧ диодов

10.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров детекторных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.11.

Таблица 11

Тангенциальная чувствительность, дБ·мВт	Длина волны измерения, см
		0,2	0,4	0,8	2,0	3,2
44
46	+	+
48	+	+	+
50	+	+	+	+
52	+	+	+	+
54	+	+	+	+	+
56	+	+	+	+	+	+
58	+	+	+	+	+
60	+	+	+	+	+	+
62	+	+	+	+	+	+

10.2. Минимальная импульсная СВЧ рассеиваемая мощность должна выбираться из ряда: 0,025; 0,05; 0,10; 0,25; 0,5; 1,0; 2,5; 5 Вт.

11. Основные параметры параметрических СВЧ диодов

11.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров параметрических диодов должны соответствовать указанным в табл.12.

Таблица 12

Постоянная времени при напряжении смещения минус 2 В, нс	Емкость перехода при напряжении смещения 0, пф
0,10*	0,01-0,015*
0,12	0,01-0,04
0,16	0,01-0,06
0,20	0,01-0,30
0,25*	0,01-0,40*
0,30	0,01-0,50
0,40	0,01-0,60
0,50*	0,01-0,70*
0,60	0,01-0,80
0,80	0,04-0,80
1,00	0,10-1,00

________________
* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.

Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.

11.2. Значение постоянного обратного напряжения при нормированном токе параметрических СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 4; 6; 8; 10; 12; 15; 20; 25; 30; 40; 50; 60 В.

12. Основные параметры СВЧ умножительных диодов

12.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров умножительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.13.

Таблица 13

Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт	Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В, пФ
0,010*	0,03-0,05*
0,016	0,04-0,06
0,025	0,05-0,08
0,040	0,06-0,12
0,060	0,08-0,20
0,100	0,10-0,30
0,160	0,10-0,60
0,250*	0,10-1,25*
0,400	0,12-2,00
0,500	0,12-2,20
0,600	0,15-2,50
0,800	0,15-3,20
1,000*	0,20-4,00*
2,000	0,50-6,00
3,000	1,00-8,00
4,000	1,25-8,00
5,000*	1,60-8,00*
6,000	2,00-8,00
8,000	3,00-8,00
10,000	4,00-10,00
16,000	5,00-10,00
25,000	6,00-10,00
40,000*	8,00-10,00*

________________

* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.

Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.

12.2. Значение предельной частоты умножительных СВЧ диодов выбирается из ряда: 40; 60; 100; 150; 200; 250; 320; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500; 2000; 2500; 3000 ГГц.

13. Основные параметры ограничительных СВЧ диодов

13.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров ограничительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.14.

Таблица 14

Накопленный заряд, нКл	Емкость структуры, пФ
0,1*	0,01-0,1*
0,3	0,01-0,2
0,5	0,05-0,3
1,0	0,10-0,60
3,0	0,10-1,60
5,0*	0,10-4,00*
10,0	0,20-6,00
15,0	0,40-10,00
20,0	1,00-10,00
25,0	1,60-10,00
30,0*	2,50-10,00*

________________
* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.

13.2. Допускаемая рассеиваемая мощность ограничительных СВЧ диодов должна выбираться из следующего ряда: 0,1; 0,15; 0,25; 0,40; 0,60; 1,0; 1,5; 2,5 Вт.

14. Основные параметры переключательных СВЧ диодов

14.1. Допускаемые сочетания основных параметров СВЧ переключательных диодов должны соответствовать указанным в табл.15.

Таблица 15

Допус-
каемая рассеи-
ваемая мощ-
ность, Вт

Пробивное напряжение, В

100

150

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

1500

2000

2500

3000

0,1

0,2

0,3

0,5

0,75

1,0

1,5

2,0

3,0

4,0

5,0

7,5

10,0

15,0

20,0

50,0

100,0

150,0

200,0

300,0

500,0

14.2. Значение критической частоты переключательных СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 20; 40; 60; 100; 150; 200; 250; 300; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500 ГГц.

14.3. Допускаемый разброс номинальной емкости диода одного типа выбирается из следующего ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.

15. Основные параметры импульсных диодных матриц

15.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодных матриц должны соответствовать указанным в табл.16.

Таблица 16

Средний прямой ток, мА	Постоянное обратное напряжение, В
	2	3	5	10	20	30	40	50	60	75
0,1	+	+	+	+	+
0,2	+	+		+	+
0,5	+	+	+	+	+	+	+
1	+	+	+	+	+	+	+	+
2	+	+	+	+	+	+	+	+	+
5	+	+	+		+	+		+	+	+
10	+	+	+	+	+	+	+	+	+	+
20	+	+	+	+	+	+	+	+	+	+
50		+	+	+	+	+	+	+	+	+
100		+	+	+	+		+	+	+
150			+	+	+	+	+	+	+	+
200			+	+	+	+	+	+	+	+
300				+		+	+		+	+
400					+	+	+	+	+	+
500					+	+		+	+

15.2. Значение времени восстановления обратного сопротивления импульсных диодных матриц должно выбираться из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10; 0,20; 0,50; 1,00; 4,00; 5,00; 10,00; 20,00; 40,00; 100,00; 400,00; 1000,00 нс. При этом должно соблюдаться соотношение

где - максимально допускаемый импульсный прямой ток;

- максимально допускаемый постоянный прямой ток.

16. Допускаемые сочетания значений основных параметров лавинно-пролетных диодов для усиления и генерирования электрических сигналов СВЧ должны соответствовать указанным в табл.17.

Таблица 17

Выходная мощность, Вт	Диапазон рабочих частот, ГГц
	8-10	12-15	17-18	20-22	24-26	30-37	45-50	60-70
0,02-0,03							+	+
0,04-0,05					+	+	+	+
0,08-0,10			+	+	+	+	+
0,15-0,30	+	+	+	+	+	+	+
0,40-0,50	+	+	+	+	+	+
0,80-1,00	+	+		+	+	+
1,50-2,50	+	+	+	+	+	+
3,00-4,50	+	+	+	+
5,00-7,00	+		+	+
8,0-12,00	+	+	+
15,0-20,0	+	+
25,0-40,0

Примечания:

1. Значения мощности от 0,02 до 7,0 Вт даны для непрерывной, а от 8,0 до 40,0 Вт - для импульсной мощности.

2. В интервале от 70 до 300 ГГц диапазон рабочих частот и выходная мощность устанавливаются в стандартах и технических условиях на приборы конкретных типов.

ПРИЛОЖЕНИЕ (справочное). Пояснения к терминам, относящимся к нестандартизованным наименованиям групп приборов

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное

Термин	Пояснение
Настроечный полупроводниковый СВЧ диод	СВЧ полупроводниковый диод, предназначенный для настройки СВЧ цепей
Импульсная диодная матрица	Совокупность полупроводниковых импульсных диодов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам
Прецизионный стабилитрон	Термокомпенсированный стабилитрон с гарантированной временной нестабильностью

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

ПРИЛОЖЕНИЕ (справочное). Пояснения к терминам, относящимся к нестандартизованным наименованиям групп приборов

ГОСТ 17465-80
Диоды полупроводниковые. Основные параметры