ГОСТ 17465-80
Диоды полупроводниковые. Основные параметры

ГОСТ 17465-80
Группа Э02

     
     
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Основные параметры

Semiconductor diodes. Essential parameters



Дата введения 1982-01-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 28 августа 1980 г. N 4471 срок введения установлен с 01.01 1982 г.

ВЗАМЕН ГОСТ 16963-71 и ГОСТ 17465-72 в части пп.1-12, 16-22

1. Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды: выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки).

Стандарт устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров, которые в табл.1-17 отмечены знаком "+".

Допускаемые сочетания, отмеченные знаком "ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры" в табл.1-11, 15-17, предназначены для применения в устройствах специального назначения.

Приведенные в стандарте числовые значения параметров установлены для нормальных климатических условий по ГОСТ 16962-71.

Пояснения к терминам приведены в справочном приложении.

2. Основные параметры выпрямительных диодов

2.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных диодов должны соответствовать указанным в табл.1.

Таблица 1

Постоянный прямой
или средний прямой ток, А

Постоянное обратное напряжение, В

100

200

400

600

800

1000

1500

0,10

+

+

+

+

+

0,30

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

0,50

+

+

+

+

+

+

+

0,70

+

+

+

+

+

+

+

1,00

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

3,00

+

+

+

+

+

+

+

5,00

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

7,00

+

+

+

+

+

+

+

10,00

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры


2.2 Значение предельной рабочей частоты должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.

2.3 Значение мощности импульсных перегрузок по обратному току для выпрямительных диодов должно выбираться из ряда: 200; 1000; 2000; 5000; 20000; 50000 Вт.

3. Основные параметры выпрямительных столбов

3.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных столбов должны соответствовать указанным в табл.2.

Таблица 2

Постоянный прямой
или средний прямой ток, мА

Импульсное обратное или постоянное обратное напряжение, кВ

2

4

6

8

10

15

20

10

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

30

+

+

+

+

+

+

+

100

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

300

+

+

+

+

+

+

+

500

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

1000

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+


3.2. Максимальное значение частоты выпрямления выпрямительных столбов должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.

4. Основные параметры импульсных диодов

4.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодов должны соответствовать указанным в табл.3.

Таблица 3

Средний прямой ток, мА

Время восстановления обратного coпротивления, нс

0,20

0,50

1,00

4,00

10,00

40,00

100,00

400,00

1000,00

2

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

+

+

5

+

+

+

+

+

+

+

+

+

10

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

+

+

20

+

+

+

+

+

+

+

+

+

50

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

+

100

+

+

+

+

+

+

+

+

+

200

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

+

+

500

+

+

+

+

+

+

+

+

+


Примечание. Приборы с большим быстродействием характеризуются временем жизни неравновесных носителей заряда, которое выбирается из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10 нс.

4.2. Значение постоянного обратного напряжения импульсных диодов должно выбираться из ряда: 3; 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200 В.

5. Допускаемые сочетания значений основных параметров стабилитронов (стабисторов) общего назначения должны соответствовать указанным в табл.4.

Таблица 4

Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт

Номинальное напряжение стабилизации, В

0,7

1,4

1,9

2,1

2,4

2,7

3,0

3,3

3,6

3,9

4,3

4,7

5,1

5,6

0,020

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

0,050

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

0,125

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

0,300

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

1,000

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

2,000

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

5,000

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

10,000

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+


Продолжение табл.4

Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт

Номинальное напряжение стабилизации, В

6,2

6,8

7,5

8,2

9,1

10,0

11,0

12,0

13,0

15,0

16,0

18,0

20,0

22,0

0,020

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

0,050

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

0,125

+

+

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

0,300

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

1,000

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

2,000

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

5,000

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

10,000

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+


Примечания:

1. Значения номинального напряжения стабилизации более 22 В выбирают умножением ряда напряжений от 2,4 до 22 В на 10 и 100.

2. Допускаемое отклонение номинального напряжения стабилизации должно соответствовать значениям: ±5; ±10%.

6. Допускаемые сочетания значений основных параметров прецизионных стабилитронов должны соответствовать указанным в табл.5.

Таблица 5

Температурный коэффициент напряжения стабилизации

Значение временной нестабильности напряжения стабилизации, %

0,0005

0,0010

0,0020

0,0050

0,0100

0,0200

0,0500

0,0002

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

0,0005

+

+

+

+

+

+

+

0,0010

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

0,0020

+

+

+

+

+

+

+

0,0050

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+


7. Основные параметры варикапов

7.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров варикапов при обратном напряжении 6 В должны соответствовать указанным в табл.6.

Таблица 6

Добротность на частоте 50 МГц

Номинальная емкость, пФ

1,0

1,2

1,5

1,8

2,2

2,7

3,3

3,9

4,7

5,6

6,8

8,2

100

+

+

+

200

+

+

+

400

+

+

+

+

600

+

+

+

+

+

800

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

1000

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

1200

+

+

+

+

+

+

+

+

1400

+

+

+

+

+

+

+

+

+

1600

+

+

+

+

+

+

+

+

+

1800

+

+

+

+

+

+

+

+

+

2000

+

+

+

+

+

+

+

+

+

2200

+

+

+

+

+

+



Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.

7.2. Допускаемые сочетания значений основных параметров подстроенных варикапов при обратном напряжении 4 В должны соответствовать указанным в табл.7 и 8.

Таблица 7

Добротность на частоте 50 МГц

Номинальная емкость, пФ

10

12

15

18

22

27

33

39

47

56

150

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

200

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

250

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

300

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

+

400

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

+

+

500

+

+

+

+

+

+

+

+

+

600

+

+

+

+

+

+

+

+

700

+

+

+

+

+

+

+

800

+

+

+

+

+

+

900

+

+

+

+

+

+

1000

+

+

+

+

+


Таблица 8

Добротность на частоте 10 МГц

Номинальная емкость, пФ

68

100

120

150

180

220

270

330

390

470

560

680

1000

150

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

200

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

250

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

300

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

400

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

500

+

+

+

+

600

+



Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.

8. Допускаемые сочетания значений основных параметров настроечных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.9.

Таблица 9

Доброт-
ность на
частоте 1 ГГц

Номинальная емкость при обратном напряжении минус 6 В, пФ

0,08

0,10

0,15

0,20

0,25

0,34

0,45

0,60

0,80

1,20

1,80

2,20

2,70

3,30

3,90

4,70

5,60

6,80

8,20

20

+

+

+

+

30

+

+

+

+

+

+

40

+

+

+

+

+

+

+

+

50

+

+

+

+

+

+

+

+

+

60

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

70

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

80

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

100

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

120

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

140

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

180

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

220

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

260

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

300

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

400

+

+

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

500

+

+

+

+

+

+

+

+

+

600

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

700

+

+

+

+

+

+

800

+

+

+

+

+

+

1000

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

1200

+

+

+

+

1400

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+


Примечание. Допускаемый разброс номинальной емкости диода выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20%.

9. Основные параметры смесительных СВЧ диодов

9.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров смесительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.10.

Таблица 10

Нормированный коэффициент шума, дБ, на промежуточной частоте 30 МГц

Длина волны измерения, см

0,1

0,2

0,4

0,8

2,0

3,2

4,5

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

5,0

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

5,5

+

+

+

+

+

+

6,0

+

+

+

+

+

+

6,5

+

+

+

+

+

+

7,0

+

+

+

+

+

+

7,5

+

+

+

+

+

8,0

+

+

+

+

9,0

+

+

+

10,0

+

+

+

11,0

+

+

12,0

+

+

14,0

+

16,0

+


9.2. Минимальная энергия выгорания должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,0; 2,5; 5,0; 10,0; 15,0; 20 эрг.

10. Основные параметры детекторных СВЧ диодов

10.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров детекторных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.11.

Таблица 11

Тангенциальная чувствительность, дБ·мВт

Длина волны измерения, см

0,2

0,4

0,8

2,0

3,2

44

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

46

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

48

+

+

+

50

+

+

+

+

52

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

54

+

+

+

+

+

56

+

+

+

+

+

+

58

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

60

+

+

+

+

+

+

62

+

+

+

+

+

+


10.2. Минимальная импульсная СВЧ рассеиваемая мощность должна выбираться из ряда: 0,025; 0,05; 0,10; 0,25; 0,5; 1,0; 2,5; 5 Вт.

11. Основные параметры параметрических СВЧ диодов

11.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров параметрических диодов должны соответствовать указанным в табл.12.

Таблица 12

Постоянная времени при напряжении смещения минус 2 В, нс

Емкость перехода при напряжении смещения 0, пф

0,10*

0,01-0,015*

0,12

0,01-0,04

0,16

0,01-0,06

0,20

0,01-0,30

0,25*

0,01-0,40*

0,30

0,01-0,50

0,40

0,01-0,60

0,50*

0,01-0,70*

0,60

0,01-0,80

0,80

0,04-0,80

1,00

0,10-1,00

________________
* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.

Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.

11.2. Значение постоянного обратного напряжения при нормированном токе параметрических СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 4; 6; 8; 10; 12; 15; 20; 25; 30; 40; 50; 60 В.

12. Основные параметры СВЧ умножительных диодов

12.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров умножительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.13.

Таблица 13

Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт

Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В, пФ

0,010*

0,03-0,05*

0,016

0,04-0,06

0,025

0,05-0,08

0,040

0,06-0,12

0,060

0,08-0,20

0,100

0,10-0,30

0,160

0,10-0,60

0,250*

0,10-1,25*

0,400

0,12-2,00

0,500

0,12-2,20

0,600

0,15-2,50

0,800

0,15-3,20

1,000*

0,20-4,00*

2,000

0,50-6,00

3,000

1,00-8,00

4,000

1,25-8,00

5,000*

1,60-8,00*

6,000

2,00-8,00

8,000

3,00-8,00

10,000

4,00-10,00

16,000

5,00-10,00

25,000

6,00-10,00

40,000*

8,00-10,00*

________________

* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.

Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.

12.2. Значение предельной частоты умножительных СВЧ диодов выбирается из ряда: 40; 60; 100; 150; 200; 250; 320; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500; 2000; 2500; 3000 ГГц.

13. Основные параметры ограничительных СВЧ диодов

13.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров ограничительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.14.

Таблица 14

Накопленный заряд, нКл

Емкость структуры, пФ

0,1*

0,01-0,1*

0,3

0,01-0,2

0,5

0,05-0,3

1,0

0,10-0,60

3,0

0,10-1,60

5,0*

0,10-4,00*

10,0

0,20-6,00

15,0

0,40-10,00

20,0

1,00-10,00

25,0

1,60-10,00

30,0*

2,50-10,00*

________________
* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.

13.2. Допускаемая рассеиваемая мощность ограничительных СВЧ диодов должна выбираться из следующего ряда: 0,1; 0,15; 0,25; 0,40; 0,60; 1,0; 1,5; 2,5 Вт.

14. Основные параметры переключательных СВЧ диодов

14.1. Допускаемые сочетания основных параметров СВЧ переключательных диодов должны соответствовать указанным в табл.15.

Таблица 15

Допус-
каемая рассеи-
ваемая мощ-
ность, Вт

Пробивное напряжение, В

30

50

75

100

150

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

1500

2000

2500

3000

0,1

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

0,2

+

+

+

+

+

+

+

+

+

0,3

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

0,5

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

0,75

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

1,0

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

1,5

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

2,0

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

3,0

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

4,0

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

5,0

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

7,5

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

10,0

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

15,0

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

20,0

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

50,0

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

100,0

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

150,0

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

200,0

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

300,0

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

+

+

+

500,0

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

14.2. Значение критической частоты переключательных СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 20; 40; 60; 100; 150; 200; 250; 300; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500 ГГц.

14.3. Допускаемый разброс номинальной емкости диода одного типа выбирается из следующего ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.

15. Основные параметры импульсных диодных матриц

15.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодных матриц должны соответствовать указанным в табл.16.

Таблица 16

Средний прямой ток, мА

Постоянное обратное напряжение, В

2

3

5

10

20

30

40

50

60

75

0,1

+

+

+

+

+

0,2

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

0,5

+

+

+

+

+

+

+

1

+

+

+

+

+

+

+

+

2

+

+

+

+

+

+

+

+

+

5

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

10

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

20

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

50

+

+

+

+

+

+

+

+

+

100

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

150

+

+

+

+

+

+

+

+

200

+

+

+

+

+

+

+

+

300

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

400

+

+

+

+

+

+

500

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры


15.2. Значение времени восстановления обратного сопротивления импульсных диодных матриц должно выбираться из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10; 0,20; 0,50; 1,00; 4,00; 5,00; 10,00; 20,00; 40,00; 100,00; 400,00; 1000,00 нс. При этом должно соблюдаться соотношение

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры,


где ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры - максимально допускаемый импульсный прямой ток;

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры - максимально допускаемый постоянный прямой ток.

16. Допускаемые сочетания значений основных параметров лавинно-пролетных диодов для усиления и генерирования электрических сигналов СВЧ должны соответствовать указанным в табл.17.

Таблица 17

Выходная мощность, Вт

Диапазон рабочих частот, ГГц

8-10

12-15

17-18

20-22

24-26

30-37

45-50

60-70

0,02-0,03

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

0,04-0,05

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

+

0,08-0,10

+

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

0,15-0,30

+

+

+

+

+

+

+

0,40-0,50

+

+

+

+

+

+

0,80-1,00

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

+

1,50-2,50

+

+

+

+

+

+

3,00-4,50

+

+

+

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

5,00-7,00

+

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

+

+

8,0-12,00

+

+

+

15,0-20,0

+

+

25,0-40,0

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры


Примечания:

1. Значения мощности от 0,02 до 7,0 Вт даны для непрерывной, а от 8,0 до 40,0 Вт - для импульсной мощности.

2. В интервале от 70 до 300 ГГц диапазон рабочих частот и выходная мощность устанавливаются в стандартах и технических условиях на приборы конкретных типов.

ПРИЛОЖЕНИЕ (справочное). Пояснения к терминам, относящимся к нестандартизованным наименованиям групп приборов

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное

Пояснения к терминам,
относящимся к нестандартизованным наименованиям групп приборов

Термин

Пояснение

Настроечный полупроводниковый СВЧ диод

СВЧ полупроводниковый диод, предназначенный для настройки СВЧ цепей

Импульсная диодная матрица

Совокупность полупроводниковых импульсных диодов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам

Прецизионный стабилитрон

Термокомпенсированный стабилитрон с гарантированной временной нестабильностью




Copyright © 2024