ГОСТ 28624-90
Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

ГОСТ 28624-90
(МЭК 747-11-85)

Группа Э23

     
     
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

 ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Semiconductor devices.
Part 11: Sectional specification for discrete divices



МКС 31.080
ОКСТУ 6341

Дата введения 1991-01-01


      
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. ВНЕСЕН Министерством электронной промышленности СССР

2. Постановлением Государственного комитета СССР по управлению качеством продукции и стандартам от 23.07.90 N 2246 введен в действие государственный стандарт СССР ГОСТ 28694-90, в качестве которого непосредственно применен международный стандарт МЭК 747-11-85, с 01.01.91

3. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

Обозначение международного стандарта

Обозначение НТД,
на который дана ссылка

Номер пункта, таблицы

МЭК 68-2-17-78

ГОСТ 28210-89

Табл.4

QC 001002

п.3.3

МЭК 147*

Табл.1, 4

МЭК 147-2В-70*

Табл. гл.4

МЭК 147-2С-70*

Табл. гл.4

МЭК 147-2М-80*

Табл. гл.4

МЭК 191-2-66

ГОСТ 17467-88,

п.2.4.1

ГОСТ 18472-88

п.2.4.1

МЭК 747*

Табл. 1, 2, 3, 4

МЭК 747-1-83*

п. 2.2, 2.3

МЭК 747-2-83*

Табл. гл.4

МЭК 747-3-85*

Табл. гл.4

МЭК 747-6-83*

Табл. гл.4

МЭК 747-7*

Табл. гл.4

МЭК 747-8-84*

Табл. гл.4

МЭК 747-10-84

ГОСТ 28623-90

Табл.1, гл.4

МЭК 749-84

ГОСТ 28578-90

гл.2, п.2.1

47 (ЦБ) 756

Табл.2, 3, 4

47 (ЦБ) 886

Табл. гл.4

47 (ЦБ) 887

Табл. гл.4

47 (ЦБ) 888

Табл. гл.4

47 (ЦБ) 891

Табл. гл.4

47 (ЦБ) 892

Табл. гл.4

47 (ЦБ) 955

Табл. гл.4


4. ПЕРЕИЗДАНИЕ. Май 2005 г.


ПРЕДИСЛОВИЕ

1. Официальные решения или соглашения МЭК по техническим вопросам, подготовленные техническими комитетами, в которых представлены все заинтересованные национальные комитеты, выражают с возможной точностью международную согласованную точку зрения по рассматриваемым вопросам.

2. Эти решения представляют собой рекомендации для международного пользования и в этом виде принимаются национальными комитетами.

3. В целях содействия международной унификации МЭК выражает пожелание, чтобы национальные комитеты приняли за основу настоящий стандарт МЭК в качестве своих национальных стандартов, насколько это позволяют условия каждой страны. Любое расхождение со стандартами МЭК должно быть четко указано в соответствующих национальных стандартах.

ВВЕДЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ


Настоящий стандарт подготовлен Техническим комитетом МЭК 47 "Полупроводниковые приборы".

Настоящий стандарт устанавливает групповые технические условия на дискретные приборы (исключая оптоэлектронные приборы) в рамках Системы сертификации изделий электронной техники МЭК (МСС ИЭТ).

Текст настоящего стандарта основан на следующих документах:

По Правилу шести месяцев

Отчет о голосовании

47 (Центральное бюро) 895

47 (Центральное бюро) 938



Более подробную информацию можно найти в отчете о голосовании, указанном в данной таблице.

Обозначение QC и номер, указанные на обложке данной Публикации, являются номером технических условий в Системе сертификации изделий электронной техники МЭК (МСС ИЭТ).

1. ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ


Настоящие групповые технические условия (далее - ТУ) распространяются на полупроводниковые дискретные приборы (далее - приборы), за исключением оптоэлектронных приборов.

2. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ


Настоящие групповые ТУ должны применяться совместно с соответствующими общими ТУ стандарта МЭК 747-10 (ГОСТ 28623).

В настоящих групповых ТУ установлен порядок сертификации, требования контроля, программы отбраковочных испытаний, требования выборочного контроля, порядок испытаний и измерений, необходимых для подтверждения соответствия приборов заданному уровню качества.

2.1. Используемые документы

ГОСТ 28623-90 (МЭК 747-10-84) Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы

2.2. Рекомендуемые значения температур (предпочтительные значения)

Рекомендуемые значения температур установлены в МЭК 747-1, глава VI, разд.5 (ГОСТ *).
________________
* Находится в стадии разработки.

2.3. Рекомендуемые значения напряжений и токов (предпочтительные значения)

Рекомендуемые значения напряжений и токов установлены в МЭК 747-1, глава VI, разд.6.

2.4. Обозначение выводов

2.4.1. Диоды

Полярность диодов должна быть четко обозначена одним из следующих способов:

1) графическим обозначением - стрелкой выпрямителя, направленной в сторону катода;

2) цветовым кодом:

- диоды в корпусах А20 по МЭК 191-2 (ГОСТ 17467) (КД-6 по ГОСТ 18472) и меньших размеров должны быть маркированы со стороны катода полосой или точкой контрастного цвета. В том случае, когда цветовыми полосами обозначается тип прибора, диод со стороны катода может быть промаркирован полосой двойной ширины, используемой для обозначения первой цифры. Если существует вероятность смещения цветового кода для обозначения катода диодов в корпусах меньших размеров, чем корпус AIB по МЭК 191-2 (КД-11 по ГОСТ 18472), то последний вариант маркировки не должен применяться;

- для обозначения катодов диодов в корпусах, имеющих размеры больше, чем корпус А20 по МЭК 191-2 (КД-6 по ГОСТ 18472), следует применять красный цвет.

2.4.2. Транзисторы

Обозначение выводов должно быть установлено в ТУ на транзисторы конкретных типов.

2.4.3. Тиристоры

Выводы должны быть обозначены одним из следующих способов:

1) графическим обозначением тиристора: стрелкой с острием, направленным в сторону катода;

2) цветовым кодом: вывод катода должен быть обозначен красным цветом, вывод анода - голубым или черным цветом, вывод управляющего электрода - белым или желтым цветом.

Если перечисленные выше способы маркировки технически не выполнены, то обозначения выводов должны быть установлены в ТУ на тиристоры конкретных типов.

2.5. Цветовой код для обозначения типа прибора

2.5.1. Обозначение приборов типа JEDEC

Цветовой код числовой части обозначения типа диода малого сигнала (числа, следующего за 1 N) и возможных буквенных индексов устанавливается в соответствии с таблицей настоящего пункта.

Порядок нумерации устанавливается слева направо, причем левая сторона обозначается более широкой цветовой полосой или размещением цветовой группы ближе к левой стороне корпуса.

Двузначным номерам должен предшествовать нуль.

Цвет

Цифра

Буквенный индекс

Черный

0

Отсутствует

Коричневый

1

А

Красный

2

В

Оранжевый

3

С

Желтый

4

D

Зеленый

5

Е

Голубой

6

F

Пурпурный (фиолетовый)

7

G

Серый

8

Н

Белый

9

J


2.5.2. Обозначение приборов типа PRO ELECTRON

Цветовой код обозначения типа диода малого сигнала устанавливается в соответствии с таблицей настоящего пункта.

Предшествующие буквы

Серийный номер

Последующая буква
(при необходимости)

Метод I

Метод II

Метод I - узкие полосы

2 широкие полосы

Цвет корпуса

Метод II - одна широкая полоса, за которой следуют узкие полосы

АА - коричневый

0 - черный

Z - белый

1 - коричневый

А - коричневый

ВА - красный

2 - красный

В - красный

Y - серый

BAY - серый

3 - оранжевый

С - оранжевый

X - черный

ВАХ - черный

4 - желтый

D - желтый

W - голубой

BAW - голубой

5 - зеленый

Е - зеленый

V - зеленый

BAV - зеленый

6 - голубой

F - голубой

Т - желтый

ВАТ - желтый

7 - фиолетовый

G - фиолетовый

S - оранжевый

BAS - оранжевый

8 - серый

Н - серый

9 - белый

J - белый



Сторона катода обозначается широкой полосой (полосами).

2.5.3. Обозначение приборов других типов

Цветовой код устанавливается в ТУ на приборы конкретных типов; для обозначения цифр от 0 до 9 следует использовать цветовой код, установленный в таблице пп.2.5.1, 2.5.2.

3. ПОРЯДОК СЕРТИФИКАЦИИ ИЗДЕЛИЙ

3.1. Начальный этап технологического процесса

Начальный этап технологического процесса - первый процесс, который изменяет тип проводимости исходного монокристаллического полупроводникового материала ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы- или ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы- типа для кремниевых приборов или подобным образом изменяет другие полупроводниковые материалы.

3.2. Конструктивно-подобные приборы

В целях комплектования выборок для утверждения соответствия приборов ТУ, контроля по партиям и периодических испытаний приборы могут быть сгруппированы по типам, как указано ниже.

3.2.1. Объединение приборов для проведения электрических испытаний

Приборы одной конструкции, изготовленные на одной производственной линии, отличающиеся номинальными значениями электрических параметров или их предельно допустимыми значениями, должны быть объединены в подпартии в соответствии с данными различиями, то есть распределены по типам.

Такие приборы должны быть преимущественно включены в одни ТУ на приборы конкретных типов, но в каждом конкретном случае в отчете по испытаниям на утверждение соответствия приборов требованиям ТУ необходимо указывать признаки, по которым проводилось объединение.

3.2.1.1. Различные предельно допустимые значения электрических параметров

Для той части испытаний, где предельно допустимые значения электрических параметров отличаются для подпартии, объем выборки для испытаний от каждой подпартии определяется в зависимости от количества приборов в каждой подпартии.

Например:

1) включение в подпартии диодов с различными предельно допустимыми значениями напряжений;

2) включение в подпартии транзисторов с различными предельно допустимыми значениями коэффициента прямого тока;

3) включение в подпартии выпрямительных диодов с различными предельно допустимыми значениями напряжения;

4) включение в подпартии тиристоров с различными предельно допустимыми значениями напряжения.

3.2.1.2. Идентичные предельно допустимые значения электрических параметров

Для той части испытаний, где одни и те же предельно допустимые значения электрических параметров и условия испытаний одинаковы для всех подпартий, объединенная партия должна оцениваться одним из двух способов:

1) по выборке, объем которой соответствует объему объединенной партии с включением равного или пропорционального числа приборов от всех подпартий;

2) по выборке, отобранной произвольным образом из объединенной партии; объем выборки должен соответствовать объему всей партий.

Примером подобного испытания является измерение падения прямого напряжения диодов, при котором одно и то же предельно допустимое значение относится к диодам всех типов, подвергнутых контролю, согласно перечислению 2), и объединенных в зависимости от значения обратного напряжения.

3.2.2. Объединение приборов для проверки размеров, проведения климатических и механических испытаний

Приборы, герметизированные одним и тем же методом, имеющие одинаковый базовый тип внутренней механической структуры и идентичные элементы конструкции*, подвергнутые общим операциям доводки и герметизации, могут рассматриваться как конструктивно-подобные, и вся партия, состоящая из таких приборов, может быть оценена по результатам единой выборки, объем которой должен соответствовать объему объединенной партии.
________________
* Идентичные элементы конструкции - элементы конструкции, изготовленные или закупленные по одним и тем же чертежам или ТУ и соответствующие им.

3.2.2.1.Приборы, изготовленные на идентичных производственных линиях*
________________
* Идентичные производственные линии - производственные липни, оснащенные идентичным оборудованием, с контролем техпроцесса, осуществляемого по идентичным чертежам или ТУ, использующие идентичные комплектующие изделия и материалы, расположенные на одном и том же предприятии и представляющие возможность изготовления идентичных приборов.

Испытания, для проведения которых применим принцип объединения приборов, установленный в п.3.2.2:

a) визуальный контроль;

b) проверка размеров;

c) испытание на способность к пайке; теплостойкость при пайке;

d) испытание выводов на прочность;

e) проверка стойкости к коррозии, например испытание на воздействие повышенной влажности и температуры, постоянный режим;

f) изменения температуры среды;

g) циклическое испытание на воздействие повышенной влажности и температуры (или герметичность);

h) вибрация;

i) постоянное линейное ускорение;

j) механические удары.

Примечание. Такими приборами являются, например, транзисторы различных типов, выпускаемые в корпусе, выполненном из идентичных комплектующих изделий, и изготовленные на идентичных производственных линиях.

3.2.2.2. Приборы, изготовленные на различных производственных линиях

Испытания, для проведения которых применим принцип объединения приборов, установленный в п.3.2.2:

a) визуальный контроль;

b) проверка размеров;

c) способность к пайке, теплостойкость при пайке;

d) испытание выводов на прочность;

e) проверка стойкости к коррозии, например воздействие повышенной влажности и температуры, постоянный режим.

3.2.3. Объединение приборов для проведения испытаний на срок службы

При проведении испытаний на срок службы, например испытание на срок службы с электрической нагрузкой или хранение при высокой температуре, приборы одной конструкции, изготовленные на одной и той же производственной линии, отличающиеся только предельно допустимыми значениями электрических параметров, должны быть сгруппированы в подпартии в зависимости от номинальных значений электрических параметров или их предельно допустимых значений.

Приборы, сгруппированные в подпартии, должны быть включены в одни и те же ТУ на приборы конкретных типов, но в каждом конкретном случае в отчете по испытаниям на утверждение соответствия приборов требованиям ТУ при проведении квалификационных испытаний необходимо указывать признаки, по которым проводилось объединение.

3.2.3.1. Порядок оценки партии при испытаниях, предусмотренных в группе В (контроль по партиям)

Оценка партии приборов по любому виду испытания на срок службы (если иное не установлено в форме ТУ на приборы конкретных типов) может проводиться по одной выборке, объем которой должен соответствовать объему объединенной партии при соблюдении следующих условий:

1) общее число приборов в выбранной подпартии вместе с общим числом приборов во всех других подпартиях, имеющих или более низкое номинальное значение характеристики (параметра) или менее жесткое их предельно допустимое значение, составляет не менее 60% полного объема всех подпартий в объединенной партии;

2) в процессе производства, в течение трех месяцев, предшествующих проводимым испытаниям по группе В, испытания на срок службы с электрической нагрузкой проводились на подпартии, имеющей или наивысшие предельно допустимые значения параметров или их наиболее жесткие предельно допустимые значения, и партия подвергалась контролю в течение этого периода путем испытания выборки, соответствующей полному объему объединенной партии.

3.2.3.2. Оценка приборов при испытаниях по группе С (периодических)

Для каждого вида периодических испытаний на срок службы оценка объединенной партии может проводиться по единой выборке, объем которой устанавливается в форме ТУ на приборы конкретных типов.

Единую выборку следует преимущественно формировать из подпартии, содержащей наибольшее число приборов, обеспечивая также периодические испытания других подпартий в дальнейшем.

3.3. Требования контроля при утверждении соответствия изделий ТУ

Утверждение соответствия изделий ТУ следует проводить в соответствии с Публикацией МЭК QC 001002* (п.11.3.1) по планам выборочного контроля, установленным в табл.5 и 6 настоящего стандарта или в соответствующих формах ТУ на приборы конкретных типов.
________________
* Разработка государственного стандарта не предусмотрена.

3.4. Контроль соответствия заданному уровню качества

3.4.1. Распределение методов испытаний и контроля на группы и подгруппы

Распределение испытаний на группы и подгруппы устанавливается в соответствии с табл.1-3.

Таблица 1


Группа испытаний А. Контроль по партиям

Подгруппа испытаний

Вид испытания, контроля

Используемый МЭК (ГОСТ), пункт

Особенности и условия испытаний, контроля

А1

Внешний визуальный контроль

747-10, п.4.2.1.1
(ГОСТ 28623)

-

А2а

Неработающие приборы

-

Должны быть определены

А2b, A3, А4

Электрические характеристики

747 (ГОСТ**)
или
147 (ГОСТ**)

Устанавливаются в соответствии с применяемыми методами измерения

________________
** Находится в стадии разработки.

Таблица 2


Группа испытаний В. Контроль по партиям

Подгруппа испытаний

Вид испытания, контроля

Используемый МЭК (ГОСТ)

Особенности и условия испытаний, контроля

В1

Размеры (взаимозаменяемость)

-

В соответствии с чертежами, приведенными в ТУ на приборы конкретных типов

В2а

Электрические характеристики (параметры конструкции)

Устанавливаются при необходимости

В2в

Электрические характеристики (различные режимы)

Устанавливаются при необходимости, например при высокотемпературных измерениях

В2с

Проверка предельно допустимых значений электрических параметров (импульсный режим)

Устанавливаются при необходимости, например ударный ток для выпрямительных диодов

В3*

Прочность выводов

749, гл.II, разд.1
(ГОСТ 28578)

Устанавливаются, например, для изгиба выводов

В4

Паяемость

749, гл.II, п.2.1
(ГОСТ 28578)

Устанавливаются

В5

Быстрая смена температур, сменяемая влажным теплом (циклическим) или герметичностью

749, гл.III, разд.1
(ГОСТ 28578)

749, гл.III, разд.4
(ГОСТ 28578)

749, гл.III, разд.7
(ГОСТ 28578)

Устанавливаются в зависимости от способа герметизации

В6

Механический удар или вибрация, сменяемая постоянным линейным ускорением

749, гл.II, разд.4
(ГОСТ 28578)

749, гл.II, разд.3
(ГОСТ 28578)

749, гл.II, разд.5
(ГОСТ 28578)

Устанавливаются в зависимости от способа герметизации (если требуется по стандартам вида "форма ТУ" на приборы конкретных типов)

В7

-

-

Не используется

В8

Испытание на срок службы с электрической нагрузкой

168 ч

В9

Хранение при высокой температуре

749, гл.III, разд.2
(ГОСТ 28578)

168 ч; при максимальной температуре хранения

СПВП

Сертификационные протоколы выпущенных партий

-

Информационные данные должны соответствовать стандартам вида "форма ТУ" на приборы конкретных типов

________________
* Не применима для приборов в микроминиатюрном исполнении.

Примечание. Для приборов категории I следует руководствоваться МЭК 747-10 (ГОСТ 28623).

Таблица 3


Группа испытаний С. Периодические испытания

Подгруппа испытаний

Вид испытания, контроля

Используемый МЭК (ГОСТ)

Особенности и условия испытаний, контроля

С1

Размеры

-

В соответствии с чертежом, приведенным в ТУ на приборы конкретных типов

С2а

Электрические характеристики (параметры конструкции)

Устанавливаются

С2b

Электрические характеристики (различные режимы)

Устанавливается при необходимости, например при измерениях при крайних температурах

С2с

Проверка предельно допустимых значений электрических параметров (импульсный режим)

Устанавливаются, например, ударный ток для выпрямительных диодов

C2d

Тепловое сопротивление переход- корпус

Разрабатывается

Устанавливаются

С3*

Прочность выводов

749, гл.II, разд.1
(ГОСТ 28578)

Устанавливаются, например, растяжение или крутящий момент

С4

Теплостойкость при пайке

749, гл.II, п.2.2
(ГОСТ 28578)

Устанавливаются

С5

Быстрое изменение температуры, сменяемое влажным теплом (циклический режим) или герметичностью

749, гл.III, разд.1
(ГОСТ 28578)

749, гл.III, разд.4
(ГОСТ 28578)

749, гл.III, разд.7
(ГОСТ 28578)

Устанавливаются в зависимости от способа герметизации

С6

Механический удар или вибрация, сменяемые постоянным ускорением

749, гл.II, разд.4
(ГОСТ 28578)

749, гл.II, разд.3
(ГОСТ 28578)

749, гл.II, разд.5
(ГОСТ 28578)

Устанавливаются в зависимости от способа герметизации (если это необходимо согласно "форме ТУ" на приборы конкретных типов)

С7

Влажное тепло (постоянный режим) или влажное тепло (циклический режим)

749, гл.III, разд.5
(ГОСТ 28578)

749, гл.II. разд.4
(ГОСТ 28578)

Устанавливаются в зависимости от способа герметизации

С8

Испытание на срок службы с электрической нагрузкой или эквивалентное ускоренное испытание

1000 ч, условия должны быть установлены

С9

Хранение при высокой температуре

749, гл.III, разд.2
(ГОСТ 28578)

1000 ч

С10

Пониженное атмосферное давление

749. гл.III, разд.3
(ГОСТ 28578)

Устанавливаются для данной группы или группы D

С11

Стойкость маркировки

749, гл.IV, разд.2
(ГОСТ 28578)

Должны быть установлены

СПВП

Сертификационные протоколы выпущенных партий

-

Информационные данные должны соответствовать стандартам вида "форма ТУ" на приборы конкретных типов

________________
* Не применима для приборов в микроминиатюрном исполнении.

3.5. Испытания по группе D

Испытания по группе D, при необходимости, устанавливают в ТУ на приборы конкретных типов или в стандарте вида "форма ТУ" на приборы конкретных типов только для подтверждения соответствия приборов техническим условиям.

3.6. Отбраковочные испытания

Если проведение отбраковочных испытаний согласовано или предусмотрено ТУ на приборы конкретных типов, то испытания должны проводиться для всех приборов производственной партии в соответствии с табл.4.

Отбраковочные испытания проводят, как правило, до испытаний по группам А, В и С.

Если отбраковочные испытания проводят после испытаний по группам А, В (при контроле по партиям) и С (периодические испытания), то должны быть проведены повторные испытания на паяемость, герметичность и испытания по группе А.

В стандарте вида "форма ТУ" на приборы конкретных типов могут быть предусмотрены дополнительные испытания, проводимые после отбраковочных испытаний.

Программа отбраковочных испытаний устанавливается в соответствии с табл.4.

Таблица 4

Отбраковочные испытания

Порядок прове-
дения испы-
таний

Наименование контроля или испытания

МЭК (ГОСТ)

Условия испытания

Программа
испытаний




А

В

С

D

Е

1ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Внутренний визуальный контроль

-

На рассмотрении

+

-

-

-

-

2

Выдержка при высокой температуре (стабилизация)

Время и температуру устанавливают в ТУ на приборы конкретных типов

+

+

+

-

+

3

Быстрое изменение температуры (термоциклирование)

749, гл.III, разд.1
(ГОСТ 28578)

Устанавливают в ТУ на приборы конкретных типов

+

+

+

-

+

4ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Линейное ускорение, постоянный режим

749, гл.II, разд.5
(ГОСТ 28578)

В наиболее критическом направлении. Значение ускорения устанавливают в ТУ на приборы конкретных типов

+

+

+

-

-

5ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Герметичность

749, гл.III, методы 7, 3 или 7, 4
(ГОСТ 28578)
и 68-2-17, метод Qc
(ГОСТ 28210)

После испытаний по МЭК 749, методы 7, 3 или 7, 4 (ГОСТ 28578) проводят испытания по МЭК 68-2-17, метод Qc (ГОСТ 28210)

+

+

+

-

-

6

Электрические измерения

Электрические измерения (перед электротермо-
тренировкой)

-

Установленные параметры (необходимое количество параметров). Дефектные приборы изымаются

+

-

-

-

-

Электрические измерения (перед электротермо-
тренировкой)

-

Параметры, установленные по качественному признаку (важнейшие параметры). Дефектные приборы изымаются

-

+

-

+

-

Электрические измерения (заключительные измерения после испытания)

-

Устанавливаются в ТУ на приборы конкретных типов. Дефектные приборы изымаются

-

-

+

-

+

7

Электротермо-
тренировка

МЭК 147 или как установлено в ТУ на приборы конкретных типов

Устанавливаются в ТУ на приборы конкретных типов.

+

+

-

+

-

Длительность, ч

168

72

48

8

Электрические измерения (после электротермо-
тренировки)

-

Те же параметры, что и по порядку 6А или 6В настоящей таблицы
Дефектные приборы изымаются. Партию бракуют, если число дефектных приборов превышает 10%

+

+

-

+

-

_______________
ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы Как правило, не проводятся для приборов без внутренних полостей, если иное не установлено в ТУ на приборы конкретных типов (другие методы испытаний - на рассмотрении).

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы Не применяется для двухразъемных диодов с аксиальными выводами.

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы Для диодов в прозрачных корпусах испытание может быть проведено в любом месте настоящей программы испытаний.

Примечание: Знак "+" означает - испытание проводится; "-" - испытание не проводится.

3.7. Планы выборочного контроля

В табл.5 и 6 приведены планы выборочного контроля, конкретные значения которых устанавливаются в стандартах вида "форма ТУ" на диоды и транзисторы.

Таблица 5

Требования к выборочному контролю для испытаний по группе А

Подгруппа

LTPD***

AQL*

Кате-
гория I

Кате-
гория II

Кате-
гория III

Категория I

Категория II

Категория III




IL

AQL

IL

AQL

IL

AQL

А1

5

5

5

I

0,65

I

0,65

I

0,65

А2аГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы транзисторы

1,0

1,0

1,0

II

0,15

II

0,15

II

0,15

диоды

0,7

0,7

0,7

II

0,10

II

0,10

II

0,10

А2bГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы транзисторы

5

5

3

II

0,65

II

0,65

II

0,40

диоды

3

3

2

II

0,40

II

0,40

II

0,25

A3

7

7

7

S4

1,0

S4

1,0

S4

1,0

А4

20

20

20

S3

2,5

S3

2,5

S4

2,5

________________
ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы Значения AQL (Acceptable Quality Level - приемлемый уровень качества) приведены для общего числа дефектных приборов в каждой подгруппе.

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы Если для испытаний по группе А выбран LTPD (Lot Tolerance Percent Defective - допустимый процент дефектных приборов в партии), то AQL разрешается использовать только для подгруппы А2.

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы LTPD с максимальным приемочным числом 4.

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы Если 100%-ной проверкой подтверждено, что число дефектных приборов а партии менее 0,1%, то выходной выборочный контроль электрических параметров в данной подгруппе для данной партии не проводится.

Таблица 6


Требования к выборочному контролю для испытаний по группам В и С, в которых следует использовать LTPD

Подгруппа

LTPD*


Категории I и II

Категория III



Программа отбраковочных испытаний



А

В

С

D

Е

В1

15

15

15

15

15

15

С1

30

30

30

30

30

30

В2 С2а

15

15

15

15

15

15

С2b

15

15

15

15

15

15

С2с

15

15

15

15

15

15

С2

20

20

20

20

20

20

В3 С3

15

15

15

15

15

15

В4 С4

15

15

15

15

15

15

В5 С5

20

20

20

20

20

20

В6 С6

20

20

20

20

20

20

В7 С7

20

20

20

20

20

20

В8 С8

10

5

7

10

7

10

В9 С9

15

5

7

10

7

10

________________
* LTPD с максимальным приемочным числом 4.

4. МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ И ИЗМЕРЕНИЙ


Методы испытаний и измерений полупроводниковых приборов со ссылками на соответствующие стандарты МЭК (государственные стандарты) приведены в таблице настоящего пункта. Данными методами следует пользоваться в том случае, когда это указано в ТУ на приборы конкретных типов в соответствии с МЭК 747-10 (ГОСТ 28623).

Методы испытаний и измерений

Обозна-
чение прибора

Буквенное
обозна-
чение параметра

Наименование параметра

Метод испытания или измерения по МЭК (ГОСТ)

Общие параметры

G-001

Температура в контрольной точке

747-2 и 747-6, гл.IV, п.2.1
(ГОСТ*)

G-002

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Тепловое сопротивление (исключая транзисторы)

Переходное тепловое полное сопротивление

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

747-2 и 747-6, гл.IV, п.2.2

G-003

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Тепловое сопротивление (для транзисторов)

47 (ЦБ) 886 с учетом поправок

G-004

Методы испытаний приборов, чувствительных к статическому электричеству

47 (ЦБ) 955 с учетом поправок

Диоды сигнальные и переключательные. Методы измерения основных параметров

D-001

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Прямое напряжение

747-3, гл.IV, разд.1, п.2 (ГОСТ*)

D-002

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Обратный ток

747-3, гл.IV, разд.1, п.1

D-003

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Заряд восстановления

D-004

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Время обратного воcстановления:

- при заданном ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

- при заданном ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

747-3, гл.IV, разд.1, п.4.2 (ГОСТ*)

D-005

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Время прямого восстановления


Импульсное напряжение прямого восстановления

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

747-3, гл.IV, разд.1, п.4.1

D-006

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Общая емкость

747-3, гл.IV, разд.1, п.3

D-007

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Коэффициент детектирования по напряжению

747-3, гл.IV, разд.1, п.5.1

D-008

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Коэффициент детектирования по мощности

747-3, гл.IV, разд.1, п.5.2

D-009

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Пробивное напряжение

747-2, гл.IV, п.1.3 (ГОСТ*)

D-010

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Переходная энергия в обратном направлении

747-3

D-011

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Обратная рассеиваемая мощность

747-2, гл.IV, п.3.3

D-012

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы, ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Шум

747-3, гл.IV, разд.1, п.6

Опорные диоды и стабилитроны

D-021

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Рабочее напряжение

747-3, гл.IV, разд.2, п.1

D-022

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Дифференциальное сопротивление

747-3, гл.IV, разд.2, п.2

D-023

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Температурный коэффициент напряжения стабилизации

747-3, гл.IV, разд.2, п.3

D-024

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Шумовое напряжение

747-3, гл.IV, разд.2, п.7

Варикапы

D-031

Отклонение значения емкости

47 (ЦБ) 888

D-032

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Эффективный коэффициент добротности

147-2В, гл.I, разд.5, п.5 (ГОСТ*)

D-033

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Последовательное сопротивление

147-2В, гл.I, разд.5, п.6

Выпрямительные диоды

D-009

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Пробивное напряжение

747-2, гл.IV, п.1.3

D-041

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Импульсное прямое напряжение
(импульсный метод)

747-2, гл.IV, п.1.2.3

D-042

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Импульсный обратный ток

747-2, гл.IV, п.1.4.3

D-043

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Ударный (неповторяющийся) прямой ток

747-2, гл.IV, п.3.1

D-044

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Неповторяющееся импульсное обратное напряжение

747-2, гл.IV, п.3.2

D-045

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Заряд восстановления

747-2, гл.IV, п.1.5

D-046

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Обратная рассеиваемая
мощность

747-2, гл.IV, п.3.3

D-047

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Переходная энергия в обратном направлении

47 (ЦБ) 888, п.4.2

D-048

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Импульсный обратный ток при рассеиваемой мощности, обусловленной средним прямым током

747-2, гл.IV, п.1.4.4

D-049

Импульсный ток непробоя корпуса

47 (ЦБ)** 892 с учетом поправок

Диоды - регуляторы тока

D-050

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Ток регулирования

747-3, гл.IV, разд.3, п.1

D-051

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Температурный коэффициент тока регулирования

747-3, гл.IV, разд.3, п.2

D-052

-

Изменение тока регулирования

747-3, гл.IV, разд.3, п.3

D-053

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Напряжение ограничения

747-3, гл.IV, разд.3, п.4

D-054

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Проводимость диода - регулятора тока в режиме малого сигнала

747-3, гл.IV, разд.3, п.5

D-055

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Проводимость на изгибе вольтамперной характеристики

747-3, гл. IV, разд.3, п.6

Транзисторы биполярные. Методы измерения основных параметров

T-001

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Обратный ток коллектор-база

747-7 (ГОСТ*)

Т-002

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Обратный ток эмиттер-база

747-7

Т-003

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

747-7

Т-004

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Напряжение насыщения база-эмиттер

747-7

Т-005

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Напряжение база-эмиттер

747-7

Т-006

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Статический коэффициент прямой передачи тока в схеме с общим эмиттером

747-7

Т-007

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Выходная емкость (вход разомкнут)

747-7

Т-008

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Коэффициент шума

747-7

Т-009

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Токи утечки или обратные токи

747-7

Т-010

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Поддерживающие напряжения коллектор-эмиттер

747-7

Т-011

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Ток вторичного пробоя

747-7

Т-012

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Емкость коллектор-база

747-7

Т-013

Y-параметры

747-7

Транзисторы биполярные. Измерение низкочастотных параметров

Т-021

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Коэффициент прямой передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала. Полное входное сопротивление при коротком замыкании на выходе

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

47 (ЦБ) 887 с учетом поправок

Т-022

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Коэффициент обратной передачи напряжения при разомкнутом входе

47 (ЦБ) 887 с учетом поправок

Т-023

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Полная выходная проводимость при разомкнутом входе

47 (ЦБ) 887 с учетом поправок

Т-024

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Полная выходная проводимость в схеме с общей базой при разомкнутом входе

47 (ЦБ) 887 с учетом поправок

Т-030

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Пробивное напряжение

47 (ЦБ) 887 с учетом поправок

Транзисторы биполярные. Измерение высокочастотных параметров

Т-041

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Частота граничная

147-2М, гл.II, п.14.2

Т042

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Емкость обратной связи в схеме с общим эмиттером

(см. Т-012)

Т-043

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Коэффициент времени обратной связи

147-2С, гл.II, п.14.5

Т-044

Параметры рассеяния

147-2М, гл.II, п.14.7

Транзисторы биполярные. Методы измерения времени переключения

Т-061
Т-062
Т-063
Т-064
Т-065
Т-066

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы
ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы
ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы
ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Время накопления

Время нарастания

Время включения

Время выключения

Время задержки

Время спада

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

47 (ЦБ) 756 с учетом поправок

Полевые транзисторы

Т-071

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Ток утечки затвора или ток отсечки затвора

747-8, гл.IV, разд.2 (ГОСТ*)

Т-072

Ток стока

747-8, гл.IV, разд.3

Т-073

Ток отсечки стока

747-8, гл.IV, разд.4

Т-074

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Напряжение отсечки затвор-исток

747-8, гл.IV, разд.5

Т-075

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Пороговое напряжение затвор-исток

747-8, гл.IV, разд.6

Т-076

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Входная емкость при коротком замыкании при выходе

747-8, гл.IV, разд.7

Т-077

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Выходная активная проводимость при коротком замыкании на входе

747-8, гл.IV, разд.8

Т-078

Крутизна характеристики при коротком замыкании на выходе

747-8, гл.IV, разд.10

Т-079

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы, ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Шумовое напряжение, коэффициент шума

747-8, гл.IV, разд.12

Т-080

-

Y-параметры

747-8, гл.IV, разд.13

Т-081

Времена переключения

747-8, гл.IV, разд.14

Т-082

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии

747-8, гл.IV, разд.15

Т-083

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (в режиме малого сигнала)

747-8, гл.IV, разд.16

Т-084

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Коэффициент усиления по мощности

Т-085

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Напряжение сток-исток в открытом состоянии

747-8, гл.IV, разд.15

Т-086

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Выходная емкость при коротком замыкании на входе

747-8, гл.IV, разд.9

Т-087

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Емкость обратной связи при коротком замыкании на входе

747-8, гл.IV, разд.11

Тиристоры и триаки

Т-101

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Импульсное напряжение в открытом состоянии (импульсный метод)

747-6, гл.IV, п.1.2.3

Т-102

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Импульсный (повторяющийся) обратный ток

747-6, гл.IV, п.1.3.1

Т-103

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Импульсный ток в закрытом состоянии (повторяющийся)

747-6, гл.IV, п.1.6.3

Т-104

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Ударный ток в открытом состоянии (неповторяющийся)

747-6, гл.IV, п.3.3

Т-105

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Неповторяющееся импульсное обратное напряжение

747-6, гл.IV, п.3.1

Т-106

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии

747-6, гл.IV, п.3.2

Т-107

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Ток удержания

747-6, гл.IV, п.1.5

Т-108

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Ток включения

747-6, гл.IV, п.1.4

Т-109

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Отпирающий ток управления или отпирающее напряжение управления

747-6, гл.IV, п.1.7

Т-110

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Неотпирающее напряжение управления

747-6, гл.IV, п.1.8

Т-111

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии

747-6, гл.IV, п.3.5

Т-112

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии

747-6, гл.IV, п.1.11

Т-113

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Время включения по управляющему электроду

Время задержки

Время нарастания

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

747-6, гл.IV, п.1.9

Т-114

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Время выключения при переключении по основной цепи

747-6, гл.IV, п.1.10

Т-115

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Обратный ток восстановления

Заряд восстановления

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

747-6, гл.IV, п.1.13

Т-116

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Ток в открытом состоянии (быстродействующих тиристоров)

747-6, гл.IV, п.3.4

Т-117

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Потери суммарной энергии (быстродействующих тиристоров)

47 (ЦБ) 891 с учетом поправок

T-118

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

Критическая скорость нарастания переключающего напряжения триаков (маломощных, силовых)

ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы

747-6, гл.IV, п.1.12

Т-119

Импульсный ток непробоя корпуса

47 (ЦБ) 892 с учетом поправок

________________
* Находится в стадии разработки.

** Центральное Бюро.

Последние документы

Copyright © 2018