ГОСТ 27299-87
Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87
Группа Э00

     
     
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Semiconductor optoelectronic devices.
Terms, definitions and letter symbols of parameters



МКС 01.040.31
31.080
ОКСТУ 6201

Дата введения 1988-07-01

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. РАЗРАБОТЧИКИ:

В.Н.Алмазова (руководитель темы), Ж.А.Крайтман

2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 23.04.87 N 1383

3. Срок первой проверки 1998 г.

Периодичность проверки 10 лет

4. Стандарт соответствует СТ СЭВ 3787-82 в части разд.1 и 3.

5. ВЗАМЕН ГОСТ 22274-80, ГОСТ 23562-79, ГОСТ 24403-80

6. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

Обозначение НТД, на который дана ссылка

Номер пункта

ГОСТ 7601-78

1


7. ПЕРЕИЗДАНИЕ


Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.

Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности.

1. Стандартизованные термины, буквенные обозначения и определения приведены в табл.1.

2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл.1 в качестве справочных и обозначены пометой "Ндп" .

2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

2.2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе "Определение" поставлен прочерк.

2.4. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском языке.

3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском и английском языках приведены в табл.2 и 3.

4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.

Таблица 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест- венное

между- народное

ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ

ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ

1. Поток излучения

Radiant flux

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

По ГОСТ 7601

2. Мощность излучения полупроводникового излучателя

Мощность излучения

Radiant power

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Суммарный поток излучения на выходе полупроводникового излучателя

3. Сила излучения

Radiant intensity

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

По ГОСТ 7601

4. Энергетическая яркость

Radiance

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

По ГОСТ 7601

5. Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя

Диаграмма направленности излучения

Radiation diagram

-

-

Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси

6. Угол излучения полупроводникового излучателя

Угол излучения

Half-intensity beam

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения

7. Длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя

Длина волны излучения

Peak emission wavelength

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя

8. Ширина спектра излучения полупроводникового излучателя

Ширина спектра

Spectral radiation bandwidth

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине ее максимального значения

9. Длительность импульса излучения полупроводникового излучателя

Длительность импульса излучения

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя больше или равна половине ее максимального значения

10. Оптическая ось полупроводникового излучателя

Оптическая ось

Optical axis

-

-

Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя

11. Геометрическая ось полупроводникового излучателя

Геометрическая ось

Mechanical axis

-

-

Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя

12. Угол расхождения

Squinting angle

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя

13. Постоянный прямой ток полупроводникового излучателя

Постоянный прямой ток

Continuous (direct) forward current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении

14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя

Импульсный прямой ток

Peak forward current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса

15. Средний прямой ток полупроводникового излучателя

Средний прямой ток

Average forward current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Среднее за период значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель

16. Постоянный обратный ток полупроводникового излучателя

Постоянный обратный ток

Reverse continuous current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в обратном направлении при заданном обратном напряжении

17. Постоянное прямое напряжение полупроводникового излучателя

Постоянное прямое напряжение

Continuous (direct) forward voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение постоянного напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном постоянном прямом токе

18. Импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя

Импульсное прямое напряжение

Maximum peak forward voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе

19. Постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя

Постоянное обратное напряжение

Reverse continuous voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении

20. Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя

Импульсное обратное напряжение

Peak reverse voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на полупроводниковом излучателе

21. Напряжение пробоя полупроводникового излучателя

Напряжение пробоя

Breakdown voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение

22. Общая емкость полупроводникового излучателя

Общая емкость

Total capacitance

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте

23. Емкость перехода полупроводникового излучателя

Емкость перехода

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя без емкости корпуса при заданных напряжении смещения и частоте

24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя

Динамическое сопротивление

Dynamic resistance

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе

25. Средняя рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя

Средняя рассеиваемая мощность

Average power dissipation

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Среднее за период значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при протекании тока в прямом и обратном направлениях

26. Импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя

Импульсная рассеиваемая мощность

Maximum peak power

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при подаче импульсов с заданной длительностью и скважностью

27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя

Время нарастания импульса

Rise time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90% своего максимального значения

28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя

Время спада импульса

Fall time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения

29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя

Время задержки при включении

Е. Turn-on delay time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов

30. Световой поток

Luminous flux

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

По ГОСТ 7601

31. Тепловое сопротивление полупроводникового излучателя

Тепловое сопротивление

Total thermal resistance

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме

32. Температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя

Температурный коэффициент прямого напряжения

Forward voltage temperature coefficient

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды

ПАРАМЕТРЫ ОПТОПАР, ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ КОММУТАТОРОВ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ

33. Входное напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

Входное напряжение

Input voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение напряжения на входе оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) в заданном режиме.

Примечание. Здесь и далее в каждом конкретном случае в буквенное обозначение добавляется соответствующий индекс: опт, ком, пер

34. Напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

Напряжение изоляции

Ндп. Напряжение развязки

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение напряжения, приложенного между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя), при котором обеспечивается ее электрическая прочность

35. Постоянное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

Постоянное напряжение изоляции

-

-

-

36. Повторяющееся импульсное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатороа, оптоэлектронного переключателя)

Повторяющееся импульсное напряжение изоляции

Repetitive peak isolation voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) с заданной длительностью и частотой повторения импульсов

37. Неповторяющееся импульсное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

Неповторяющееся импульсное напряжение изоляции

Non-repetitive peak isolation voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

38. Входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

Входной ток

Input current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров, ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение тока, протекающего во входной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

39. Импульсный входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

Импульсный входной ток

Input maximum current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров, ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Наибольшее мгновенное значение тока, протекающего во входной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя), при котором обеспечиваются заданные параметры

40. Сопротивление изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

Сопротивление изоляции

Ндп. Сопротивление развязки

Isolation resistance between input and output

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение активного сопротивления между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

41. Проходная емкость оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

Проходная емкость

Input-to-output capacitance

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение емкости между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

42. Критическая скорость изменения напряжения изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

Критическая скорость изменения напряжения изоляции

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Наибольшее значение скорости изменения напряжения изоляции, при которой не происходит срабатывания оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)

43. Выходное остаточное напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Выходное остаточное напряжение

Output rest voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение напряжения на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в открытом состоянии

44. Коммутируемое напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Коммутируемое напряжение

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Значение напряжения, подключаемого к нагрузке оптопары (оптоэлектронного коммутатора) выходным ключевым элементом

45. Ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Ток утечки

Leakage current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение тока, протекающего в выходной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в заданном режиме в закрытом состоянии

46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время задержки

Delay time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени между 10% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов

47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время нарастания

Rise time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения

48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время включения

Turn-on time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10% значения входного сигнала и 90% значения выходного сигнала

49. Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время спада

Fall time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10% своего максимального значения

50. Время сохранения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время сохранения

Storage time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени между 90% значения входного сигнала и 90% выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по спаду импульсов

51. Время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время выключения

Turn-off time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала

52. Обратное входное напряжение оптопары

Обратное входное напряжение

Input reverse voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение напряжения на входе оптопары, приложенное в обратном направлении

53. Обратное выходное напряжение оптопары

Обратное выходное напряжение

Output reverse voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Наибольшее значение напряжения, приложенного в обратном направлении к выходу оптопары в закрытом состоянии фотоприемного элемента

54. Фотоэлектродвижущая сила диодной оптопары

Фото-э.д.с.

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Электродвижущая сила на выходе диодной оптопары в вентильном режиме работы фотоприемного элемента при заданном входном токе

55. Прямое выходное напряжение в закрытом состоянии тиристорной оптопары

Прямое выходное напряжение в закрытом состоянии

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Значение напряжения на выходе тиристорной оптопары, находящейся в закрытом состоянии

56. Ток включения тиристорной оптопары

Ток включения

Turn-on current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Входной ток тиристорной оптопары обеспечивающий включение фотоприемного элемента

57. Ток выключения тиристорной оптопары

Ток выключения

Turn-off current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента

58. Ток удержания тиристорной оптопары

Ток удержания

Holding current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Наименьшее значение тока, протекающего в выходной цепи тиристорной оптопары, необходимого для поддержания фотоприемного элемента в открытом состоянии при входном токе, равном нулю

59. Выходной ток оптопары

Выходной ток

Output current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров, ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение тока, протекающего в цепи нагрузки оптопары в заданном режиме

60. Импульсный выходной ток оптопары

Импульсный выходной ток

Output maximum peak current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Наибольшее мгновенное значение выходного тока оптопары

61. Темновое выходное сопротивление резисторной оптопары

Темновое сопротивление

Dark resistance

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения

62. Световое выходное сопротивление резисторной оптопары

Световое сопротивление

Resistance under illumination

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров, ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение сопротивления фотоприемного элемента при воздействии на него потока излучения заданного значения

63. Коэффициент передачи по току оптопары

Коэффициент передачи по току

Current transfer ratio

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Отношение разности выходного тока и тока утечки на выходе оптопары к вызвавшему его входному току

64. Рассеиваемая мощность оптопары

Рассеиваемая мощность

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Наибольшее значение мощности, которую способна рассеять оптопара в заданном режиме при длительной работе

65. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары

Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии

Rate of rise of state voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Скорость нарастания выходного напряжения, которое не вызывает переключения фотоприемного элемента тиристорной оптопары из закрытого состояния в открытое при входном токе, равном нулю

66. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Наибольшая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары

67. Критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары

Критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Наибольшая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары, которое непосредственно после нагрузки током в противоположном направлении не вызывает переключения фотоприемного элемента из закрытого состояния в открытое

68. Время выключения тиристорной оптопары

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Наименьший интервал времени между моментом, когда выходной ток тиристорной оптопары понизится до нулевого значения, и моментом, в который подача прямого выходного напряжения в закрытом состоянии с заданной скоростью нарастания не приводит к переключению фотоприемного элемента из закрытого состояния в открытое

69. Коммутируемый ток оптоэлектронного коммутатора

Коммутируемый ток

Commutation current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Значение тока, протекающего в выходной цепи оптоэлектронного коммутатора в открытом состоянии

70. Выходное сопротивление в открытом состоянии оптоэлектронного коммутатора

Выходное сопротивление в открытом состоянии

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

-

71. Выходная емкость оптоэлектронного переключателя

Выходная емкость

Output capacitance

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме

72. Выходное напряжение высокого уровня оптоэлектронного переключателя

Выходное напряжение высокого уровня

High-level output voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

73. Выходное напряжение низкого уровня оптоэлектронного переключателя

Выходное напряжение низкого уровня

Low-level output voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

74. Напряжение питания оптоэлектронного переключателя

Напряжение питания

Supply voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение напряжения источника питания, обеспечивающего работу оптоэлектронного переключателя в заданном режиме

75. Выходной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя

Выходной ток высокого уровня

High-level output current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение выходного тока при выходном напряжении высокого уровня оптоэлектронного переключателя

76. Выходной ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя

Выходной ток низкого уровня

Low-level output current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение выходного тока при выходном напряжении низкого уровня оптоэлектронного переключателя

77. Пороговый входной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя

Пороговый входной ток высокого уровня

High-level threshold input current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Наименьшее значение входного тока высокого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое

78. Пороговый входной ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя

Пороговый входной ток низкого уровня

Low-level threshold input current

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Наибольшее значение входного тока низкого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое

79. Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя

Current consumption at high-level of output voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении высокого уровня

80. Ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя

Current consumption at low-level of output voltage

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении низкого уровня

81. Динамический ток потребления оптоэлектронного переключателя

Динамический ток потребления

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметровГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания в режиме переключения

82. Емкость нагрузки оптоэлектронного переключателя

Емкость нагрузки

Capacitance of load

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

-

Значение суммарной емкости внешних цепей, подключенных к выходу оптоэлектронного переключателя

83. Время задержки включения оптоэлектронного переключателя

Время задержки включения

Turn-on delay time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения

84. Время задержки выключения оптоэлектронного переключателя

Время задержки выключения

Turn-off delay time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения

85. Время задержки распространения сигнала при включении оптоэлектронного переключателя

Время задержки распространения сигнала при включении

Propagation delay time ligh to low output

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения

86. Время задержки распространения сигнала при выключении оптоэлектронного переключателя

Время задержки распространения сигнала при выключении

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения

87. Время перехода при включении оптоэлектронного переключателя

Время перехода при включении

Turn-on transition time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптоэлектронного переключателя переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения

88. Время перехода при выключении оптоэлектронного переключателя

Время перехода при выключении

Turn-off transition time

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптоэлектронного переключателя переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения

89. Коэффициент разветвления по выходу оптоэлектронного переключателя

Коэффициент разветвления

Fan-out

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Число единичных нагрузок, которые можно одновременно подключать к выходу оптоэлектронного переключателя

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


Таблица 2

Термин

Номер термина

Время включения

48

Время включения оптопары

48

Время включения оптоэлектронного коммутатора

48

Время выключения

51

Время выключения оптопары

51

Время выключения оптоэлектронного коммутатора

51

Время выключения тиристорной оптопары

68

Время задержки

46

Время задержки включения

83

Время задержки включения оптоэлектронного переключателя

83

Время задержки выключения

84

Время задержки выключения оптоэлектронного переключателя

84

Время задержки оптопары

46

Время задержки оптоэлектронного коммутатора

46

Время задержки при включении

29

Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя

29

Время задержки распространения сигнала при включении

85

Время задержки распространения сигнала при включении оптоэлектронного переключателя

85

Время задержки распространения сигнала при выключении

86

Время задержки распространения сигнала при выключении оптоэлектронного переключателя

86

Время нарастания

47

Время нарастания выходного сигнала оптопары

47

Время нарастания выходного сигнала оптоэлектронного коммутатора

47

Время нарастания импульса

27

Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя

27

Время перехода при включении

87

Время перехода при включении оптоэлектронного переключателя

87

Время перехода при выключении

88

Время перехода при выключении оптоэлектронного переключателя

88

Время сохранения

50

Время сохранения оптопары

50

Время сохранения оптоэлектронного коммутатора

50

Время спада

49

Время спада выходного сигнала оптопары

49

Время спада выходного сигнала оптоэлектронного коммутатора

49

Время спада импульса

28

Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя

28

Диаграмма направленности излучения

5

Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя

5

Длина волны излучения

7

Длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя

7

Длительность импульса излучения

9

Длительность импульса излучения полупроводникового излучателя

9

Емкость выходная

71

Емкость общая

22

Емкость оптоэлектронного переключателя выходная

71

Емкость нагрузки

82

Емкость нагрузки оптоэлектронного переключателя

82

Емкость оптопары проходная

41

Емкость оптоэлектронного коммутатора проходная

41

Емкость оптоэлектронного переключателя проходная

41

Емкость перехода

23

Емкость перехода полупроводникового излучателя

23

Емкость полупроводникового излучателя общая

22

Емкость проходная

41

Коэффициент передачи по току

63

Коэффициент передачи по току оптопары

63

Коэффициент прямого напряжения температурный

32

Коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя температурный

32

Коэффициент разветвления

89

Коэффициент разветвления по выходу оптоэлектронного переключателя

89

Мощность излучения

2

Мощность излучения полупроводникового излучателя

2

Мощность оптопары рассеиваемая

64

Мощность полупроводникового излучателя рассеиваемая импульсная

26

Мощность полупроводникового излучателя рассеиваемая средняя

25

Мощность рассеиваемая

64

Мощность рассеиваемая импульсная

26

Мощность рассеиваемая средняя

25

Напряжение в закрытом состоянии выходное прямое

55

Напряжение в закрытом состоянии тиристорной оптопары выходное прямое

55

Напряжение входное

33

Напряжение входное обратное

52

Напряжение высокого уровня выходное

72

Напряжение высокого уровня оптоэлектронного переключателя выходное

72

Напряжение выходное обратное

53

Напряжение изоляции

34

Напряжение изоляции импульсное неповторяющееся

37

Напряжение изоляции импульсное повторяющееся

36

Напряжение изоляции оптопары

34

Напряжение изоляции оптопары импульсное неповторяющееся

37

Напряжение изоляции оптопары импульсное повторяющееся

36

Напряжение изоляции оптопары постоянное

35

Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора

34

Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора импульсное неповторяющееся

37

Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора импульсное повторяющееся

36

Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора постоянное

35

Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя

34

Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя импульсное неповторяющееся

37

Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя импульсное повторяющееся

36

Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя постоянное

35

Напряжение изоляции постоянное

35

Напряжение коммутируемое

44

Напряжение низкого уровня выходное

73

Напряжение низкого уровня оптоэлектронного переключателя выходное

73

Напряжение обратное импульсное

20

Напряжение обратное постоянное

19

Напряжение оптопары входное

33

Напряжение оптопары входное обратное

52

Напряжение оптопары выходное обратное

53

Напряжение оптопары коммутируемое

44

Напряжение оптопары остаточное выходное

43

Напряжение оптоэлектронного коммутатора входное

33

Напряжение оптоэлектронного коммутатора коммутируемое

44

Напряжение оптоэлектронного коммутатора остаточное выходное

43

Напряжение оптоэлектронного переключателя входное

33

Напряжение остаточное выходное

43

Напряжение питания

74

Напряжение питания оптоэлектронного переключателя

74

Напряжение полупроводникового излучателя обратное импульсное

20

Напряжение полупроводникового излучателя обратное постоянное

19

Напряжение полупроводникового излучателя прямое импульсное

18

Напряжение полупроводникового излучателя прямое постоянное

17

Напряжение пробоя

21

Напряжение пробоя полупроводникового излучателя

21

Напряжение прямое импульсное

18

Напряжение прямое постоянное

17

Напряжение развязки

34

Ось геометрическая

11

Ось оптическая

10

Ось полупроводникового излучателя геометрическая

11

Ось полупроводникового излучателя оптическая

10

Поток излучения

1

Поток световой

30

Сила диодной оптопары фотоэлектродвижущая

54

Сила излучения

3

Скорость изменения напряжения изоляции критическая

42

Скорость изменения напряжения изоляции оптопары критическая

42

Скорость изменения напряжения изоляции оптоэлектронного коммутатора критическая

42

Скорость изменения напряжения изоляции оптоэлектронного переключателя критическая

42

Скорость нарастания коммутируемого напряжения критическая

67

Скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары критическая

67

Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии

65

Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии критическая

66

Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары

65

Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары критическая

66

Сопротивление в открытом состоянии выходное

70

Сопротивление в открытом состоянии оптоэлектронного коммутатора выходное

70

Сопротивление динамическое

24

Сопротивление изоляции

40

Сопротивление изоляции оптопары

40

Сопротивление изоляции оптоэлектронного коммутатора

40

Сопротивление изоляции оптоэлектронного переключателя

40

Сопротивление полупроводникового излучателя динамическое

24

Сопротивление полупроводникового излучателя тепловое

31

Сопротивление развязки

40

Сопротивление резисторной оптопары выходное световое

62

Сопротивление резисторной оптопары выходное темновое

61

Сопротивление световое

62

Сопротивление темновое

61

Сопротивление тепловое

31

Ток включения

56

Ток включения тиристорной оптопары

56

Ток входной

38

Ток входной импульсный

39

Ток выключения

57

Ток выключения тиристорной оптопары

57

Ток высокого уровня входной пороговый

77

Ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя входной пороговый

77

Ток высокого уровня выходной

75

Ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя выходной

75

Ток выходной

59

Ток выходной импульсный

60

Ток коммутируемый

69

Ток низкого уровня входной пороговый

78

Ток низкого уровня выходной

76

Ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя входной пороговый

78

Ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя выходной

76

Ток обратный постоянный

16

Ток оптопары входной

38

Ток оптопары входной импульсный

39

Ток оптопары выходной

59

Ток оптопары выходной импульсный

60

Ток оптоэлектронного коммутатора входной

38

Ток оптоэлектронного коммутатора входной импульсный

39

Ток оптоэлектронного коммутатора коммутируемый

69

Ток оптоэлектронного переключателя входной

38

Ток оптоэлектронного переключателя входной импульсный

39

Ток полупроводникового излучателя обратный постоянный

16

Ток полупроводникового излучателя прямой импульсный

14

Ток полупроводникового излучателя прямой постоянный

13

Ток полупроводникового излучателя прямой средний

15

Ток потребления динамический

81

Ток потребления оптоэлектронного переключателя динамический

81

Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного
переключателя

79

Ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя

80

Ток прямой импульсный

14

Ток прямой постоянный

13

Ток прямой средний

15

Ток удержания

58

Ток удержания тиристорной оптопары

58

Ток утечки

45

Ток утечки на выходе оптопары

45

Ток утечки на выходе оптоэлектронного коммутатора

45

Угол излучения

6

Угол излучения полупроводникового излучателя

6

Угол расхождения

12

Фото-э.д.с.

54

Ширина спектра

8

Ширина спектра излучения полупроводникового излучателя

8

Яркость энергетическая

4

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ


Таблица 3

Термин

Номер термина

Average forward current

15

Average power dissipation

25

Breakdown voltage

21

Capacitance of load

82

Commutation current

69

Continuous (direct) forward current

13

Continuous (direct) forward voltage

17

Current consumption at high-level of output voltage

79

Current consumption at low-level of output voltage

80

Current transfer ratio

63

Dark resistance

61

Delay time

46

Dynamic resistance

24

Fall time

28, 49

Fan-out

89

Forward voltage temperature coefficient

32

Half-intensity beam

6

High-level output current

75

High-level output voltage

72

High-level threshold input current

77

Holding current

58

Input current

38

Input maximum current

39

Input reverse voltage

52

Input-to-output capacitance

41

Input voltage

33

Isolation resistance between input and output

40

Leakage current

45

Low-level output current

76

Low-level output voltage

73

Low-level threshold input current

78

Luminous flux

30

Maximum peak forward voltage

18

Maximum peak power

26

Mechanical axis

11

Non-repetitive peak isolation voltage

37

Optical axis

10

Output capacitance

71

Output current

59

Output maximum peak current

60

Output rest voltage

43

Output reverse voltage

53

Peak emission wavelength

7

Peak forward current

14

Peak reverse voltage

20

Propagation delay time high to low output

85

Radiance

4

Radiant flux

1

Radiant intensity

3

Radiant power

2

Radiation diagram

5

Rate of rise of state voltage

65

Repetitive peak isolation voltage

36

Resistance under illumination

62

Reverse continuous current

16

Reverse continuous voltage

19

Rise time

27, 47

Spectral radiation bandwidth

8

Squinting angle

12

Storage time

50

Supply voltage

74

Total capacitance

22

Total thermal resistance

31

Turn-off current

57

Turn-off delay time

84

Turn-off time

51

Turn-off transition time

88

Turn-on current

56

Turn-on delay time

29, 83

Turn-on time

48

Turn-on transition time

87




Последние документы

Copyright © 2018