ГОСТ 25529-82
Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 25529-82
Группа Э00

     
     
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Semiconductor diodes.
Terms, definitions and letter symbols

МКС 01.040.31
31.080.10
ОКСТУ 6201

Дата введения 1984-01-01



Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29 ноября 1982 г. N 4482 дата введения установлена 01.01.84

ВЗАМЕН ГОСТ 18216-72, ГОСТ 18994-73, ГОСТ 20004-74, ГОСТ 20005-74, ГОСТ 20331-74, ГОСТ 21154-75

ИЗДАНИЕ с Изменением N 1, утвержденным в октябре 1986 г. (ИУС 1-87).


Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов.

Термины и русские буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полупроводниковые диоды, предназначенные для экспортных поставок.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены "Ндп".

Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено, и соответственно в графе "Определение" поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

В стандарте имеется 2 приложения. Приложение 1 содержит термины и определения общих понятий полупроводниковых приборов. Приложение 2 содержит вольт-амперные характеристики, диаграммы и кривые токов и напряжений.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, а недопустимые синонимы - курсивом.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна- родное

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

1.

Постоянное прямое* напряжение диода

D. Durchlassgleichspannung der Diode

E. Forward continuous voltage

F. Tension directe continue

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода

__________________
* В каждом конкретном случае использования термина следует в его наименовании слова "диод" или "СВЧ диод" заменить понятием, определяющим группу диода, например "постоянный обратный ток диода" следует писать "постоянный обратный ток стабилитрона".

2.

Импульсное прямое напряжение диода

D. Spitzendurchlassspannung der Diode

E. Peak forward voltage

F. Tension directe de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения

3.

Постоянное обратное напряжение диода

D. Sperrgleichspannung der Diode

E. Reverse continuous voltage

F. Tension inverse continue

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

-

4.

Импульсное обратное напряжение диода

D. Spitzensperrspannung der Diode

E. Peak reverse voltage

F. Tension inverse de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода

5.

Среднее прямое напряжение диода

D. Mittlere Durchlassspannung der Diode

E. Average forward voltage

F. Tension directe moyenne

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Среднее за период значение прямого напряжения диода при заданном среднем прямом токе

6.

Пробивное напряжение диода

D. Durchbruchspannung der Diode

E. Breakdown voltage

F. Tension de claquage

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения

7.

Постоянный прямой ток диода

D. Durchlassgleichstrom der Diode

E. Forward continuous current

F. Courant direct continu

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

-

8.

Импульсный прямой ток диода

D. Spitzendurchlassstrom der Diode

E. Peak forward current

F. Courant direct de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи

9.

Средний прямой ток диода

D. Mittlerer Durchlassstrom der Diode

E. Average forward current

F. Courant durect moyen

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Среднее за период значение прямого тока диода

10.

Постоянный обратный ток диода

D. Sperrgleichstrom der Diode

E. Reverse continuous current

F. Courant inverse continu

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

-

11.

Импульсный обратный ток диода

D. Spitzensperrstrom der Diode

E. Peak reverse current

F. Courant inverse de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением

12.

Прямая рассеиваемая мощность диода

D. Durchlassverlustleistung der Diode

E. Forward power dissipation

F. Dissipation de puissance en direct

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока

13.

Обратная рассеиваемая мощность диода

Е. Reverse power dissipation

F. Dissipation de puissance en inverse

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока

14.

Средняя рассеиваемая мощность диода

D. Mittlere Verlustleistung der Diode

E. Average power dissipation

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов

15.

Импульсная рассеиваемая мощность диода

D. Spitzenverlustleistung der Diode

E. Peak power dissipation

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом

16.

Общая емкость диода

D. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)der Diode

E. Terminal capacitance

F. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) aux bornes

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение емкости между выводами диода при заданном режиме

17.

Емкость перехода диода

D. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) der Diode

Е. Junction capacitance

F. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) de junction

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Общая емкость диода без емкости корпуса.

Примечание. В случае, когда диод имеет ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) структуру, допускается использовать термин "емкость структуры" и буквенное обозначение "ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)"

18.

Емкость корпуса диода

D. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)der Diode

E. Case capacitance

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение емкости между выводами корпуса диода при отсутствии кристалла

19.

Дифференциальное сопротивление диода

D. Differentieller Widerstand der Diode

E. Differential resistance


F. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме

20.

Последовательное сопротивление потерь диода

D. Serienwiderstand der Diode

E. Total series equivalent resistance

F. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) totale ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода

21.

Тепловое сопротивление диода

D. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

E. Thermal resistance

F. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) thermique

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме

22.

Импульсное тепловое сопротивление диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к импульсной мощности диода

23.

Тепловое сопротивление переход - окружающая среда диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

24.

Тепловое сопротивление переход - корпус диода

Е. Thermal resistance junction to case

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода.

Примечание. Если полупроводниковый кристалл имеет многослойную структуру, может быть использован термин "тепловое сопротивление структура - окружающая среда" или термин "тепловое сопротивление структура - корпус"

25.

Тепловая емкость диода

Е. Thermal capacitance

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение тепловой энергии, накопленной в диоде, к разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке

26.

Переходное тепловое сопротивление диода

Е. Transient thermal impedance

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение разности изменения температуры перехода и температуры в контрольной точке в конце заданного интервала времени, вызывающего изменение температуры, к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности диода в начале этого интервала.

Примечание. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри диода должно быть постоянным во времени

27.

Переходное тепловое сопротивление переход - окружающая среда диода

Е. Transient thermal impedance junction to ambient

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

28.

Переходное тепловое сопротивление переход - корпус диода

Е. Transient thermal impedance junction to case

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода

29.

Индуктивность диода

D. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)der Diode

E. Total series equivalent inductance

F. Inductance ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) totale ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях

30.

Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода

Е. Effective excess minority lifetime

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника

31.

Накопленный заряд диода

Е. Stored charge

F. Charge ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Заряд электронов или дырок в базе диода или ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)-области ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) структуры, накопленный при протекании прямого тока

32.

Заряд восстановления диода

Ндп. Заряд переключения

D. Sperrerholladung der Diode

Е. Recovered charge

F. Charge ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.

Примечания:

1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.

2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада

33.

Время обратного восстановления диода

Ндп. Время восстановления обратного сопротивления

D. Sperrerholungszeit der Diode

Е. Reverse recovery time

F. Temps de recouvrement inverse

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока

34.

Время прямого восстановления диода

Ндп. Время восстановления прямого сопротивления

D. Durchlasserholungszeit der Diode

Е. Forward recovery time

F. Temps de recouvrement direct

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

35.

Рабочее импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

Е. Working peak reverse voltage

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода без учета повторяющихся и неповторяющихся переходных напряжений

36.

Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Periodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse de pointe ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.

Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода

37.

Неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Non-repetitive (surge) reverse voltage

F. Tension inverse de pointe ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.

Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения

38.

Пороговое напряжение выпрямительного диода

D. Schleusenspannung der Diode

E. Threshold voltage

F. Tension de seuil

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение постоянного прямого напряжения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой линии, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику в области больших токов

39.

Повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода

D. Periodischer Spitzen-durchlassstrom der Diode

E. Repetitive peak forward current

F. Courant direct de pointe

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наибольшее мгновенное значение прямого тока выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные токи и исключая все неповторяющиеся переходные токи

40.

Ударный прямой ток выпрямительного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Ток, при протекании которого превышается максимально допустимая эффективная температура перехода, но который за время срока службы выпрямительного диода появляется редко с ограниченным числом повторений и вызывается необычными условиями работы схемы

41.

Действующий прямой ток выпрямительного диода

Е. RMS forward current

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Действующее значение прямого тока выпрямительного диода за период

42.

Ток перегрузки выпрямительного диода

Е. Overload forward current

F. Courant direct de surcharge ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение прямого тока выпрямительного диода, длительное протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается.

Примечание. За время эксплуатации диода число воздействий током перегрузки не ограничивается

43.

Защитный показатель выпрямительного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение интеграла от квадрата ударного прямого тока выпрямительного диода

44.

Повторяющийся импульсный обратный ток выпрямительного диода

Е. Repetitive peak reverse current

F. Courant inverse de pointe ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение обратного тока выпрямительного диода, обусловленного повторяющимся импульсным обратным напряжением

45.

Средний обратный ток выпрямительного диода

D. Mittlerer Sperrstrom der Diode

E. Average reverse current

F. Courant inverse moyen

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Среднее за период значение обратного тока выпрямительного диода

46.

Средний выпрямленный ток диода

D. Mittlerer Richtstrom der Diode

E. Average output rectified current

F. Courant moyen de sortie ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Среднее за период значение прямого и обратного токов выпрямительного диода

47.

Средняя прямая рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Average forward power dissipation

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Произведение мгновенных значений прямого тока и прямого напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

48.

Средняя обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Average reverse power dissipation

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Произведение мгновенных значений обратного тока и обратного напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

49.

Ударная обратная рассеиваемая мощность лавинного выпрямительного диода

Е. Surge (non-repetitive) reverse power dissipation

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии одиночных импульсов тока в режиме пробоя

50.

Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Repetitive peak reverse power dissipation

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии периодических импульсов

51.

Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Total instantaneous turn-off dissipation

F. Dissipation totale ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) la coupure du courant

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

52.

Импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е Peak turn-off dissipation

F Dissipation de pointe ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) la coupure du courant

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

53.

Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Average turn-off dissipation

F Dissipation moyene ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) la coupure du courant

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при обратном восстановлении

54.

Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

Е. Total instantaneous turn-on dissipation

F. Dissipation totale ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)du courant

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток

55.

Импульсная мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

Е. Peak turn-on dissipation

F. Dissipation de pointe ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)du courant

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой
ток

56.

Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

Е. Average turn-on dissipation

F. Dissipation moyenne ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) du courant

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при прямом восстановлении

57.

Энергия прямых потерь выпрямительного диода

Е. Forward energy loss

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение энергии потерь выпрямительного диода, обусловленной прямым током

58.

Энергия обратных потерь выпрямительного диода

Е. Reverse energy loss

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение энергии потерь выпрямительного диода, обусловленной обратным током

59.

Общая энергия потерь выпрямительного диода

Е. Total energy loss

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Сумма средних значений энергий прямых и обратных потерь выпрямительного диода

60.

Энергия потерь при обратном восстановлении диода

Е. Reverse recovery energy loss

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение энергии потерь выпрямительного диода при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

61.

Динамическое сопротивление выпрямительного диода

D. Dynamischer Widerstand der Diode

E. Slope resistance

F. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) apparente directe

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода

62.

Заряд запаздывания выпрямительного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Заряд, вытекающий из выпрямительного диода за время запаздывания обратного напряжения

63.

Заряд спада выпрямительного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Заряд, вытекающий из выпрямительного диода за время спада обратного тока

64.

Время запаздывания обратного напряжения выпрямительного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Интервал времени между моментом, когда ток проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток достигает амплитудного значения

65.

Время спада обратного тока выпрямительного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Интервал времени между моментом, когда ток, изменив направление от прямого на обратное и пройдя нулевое значение, достигает амплитудного значения и моментом окончания времени обратного восстановления выпрямительного диода

ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

66.

Пиковый ток туннельного диода

D. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) der Tunneldiode

E. Peak point current

F. Courant de pic

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение прямого тока в точке максимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

67.

Ток впадины туннельного диода

D. Talstrom der Tunneldiode

Е. Valley point current

F. Courant de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

68.

Отношение токов туннельного диода

D. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)-Talstrom-ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) der Tunneldiode

E. Peak to valley point current ratio

F. Rapport de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)du courant

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода

69.

Напряжение пика туннельного диода

D.ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) der Tunneldiode

E. Peak point voltage

F. Tension de pic

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода

70.

Напряжение впадины туннельного диода

D. Talspannung der Tunneldiode

E. Valley point voltage

F. Tension de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода

71.

Напряжение раствора туннельного диода

D. Projezierte ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)


E. Projected peak point voltage

F. Tension isohypse

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому

72.

Отрицательная проводимость туннельного диода

D. Negativer Leitwert der Tunneldiode

E. Negative conductance of the intrinsic diode

F. Conductance ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) de la diode ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода

73.

Предельная резистивная частота туннельного диода

D. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)-Grenz-frequenz der Tunneldiode

E. Resistive cut-off frequency

F. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)de coupure ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль

74.

Шумовая постоянная туннельного диода

D. Rauschfaktor der Tunneldiode

E. Noise factor

F. Facteur de bruit

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Величина, определяемая соотношением:

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1),

где ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - ток в рабочей точке туннельного диода,

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - отрицательная проводимость туннельного диода

75.

Энергия импульсов туннельного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Энергия коротких импульсов тока, воздействующих на туннельный диод

ВАРИКАПЫ

76.

Добротность варикапа

D. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) der ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

E. Quality factor

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения

77.

Температурный коэффициент емкости варикапа

D. Temperaturkoeffizient der ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)der ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

E. Temperature coefficient of capacitance

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение относительного изменения емкости варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды

78.

Предельная частота варикапа

D. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) der ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

E. Cut-off frequency

F. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)de coupure

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях

79.

Температурный коэффициент добротности варикапа

D. Temperaturkoeffizient des ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) der ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

E. Temperature coefficient of quality factor

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение относительного изменения добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды

80.

Коэффициент перекрытия по емкости варикапа

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение общих емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения

СТАБИЛИТРОНЫ

81.

Напряжение стабилизации стабилитрона

D. Z-Spannung der Z-Diode

Е. Working voltage (of voltage regulator diode)

F. Tens on de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение напряжения стабилитрона при протекании тока стабилизации

82.

Ток стабилизации стабилитрона

D. Z-Strom der Z-Diode

E. Continuous current within the working voltage range

F. Courant continu inverse pour la gamme des tensions de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации

83.

Импульсный ток стабилизации стабилитрона

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наибольшее мгновенное значение тока стабилизации стабилитрона

84.

Дифференциальное сопротивление стабилитрона

D. Z-Widerstand der Z-Diode

Е. Differential resistance within the working voltage range

F. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)dans la zone des tensions de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона

85.

Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона

D. Temperaturkoeffizient der Z-Spannung der Z-Diode

E. Temperature coefficient of working voltage

F. Coefficient de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)de la tension de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации

86.

Время включения стабилитрона

D. Einschaltzeit der Z-Diode

E. Turn-on time

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации

87.

Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона

D. Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode

E. Working voltage long-term instability

F. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) long terme de la tension de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени

88.

Время выхода стабилитрона на режим

D. Stabilisierungszeit der Z-Diode

E. Transient time of working voltage

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации не выходит за пределы области, ограниченной ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

89.

Несимметричность напряжения стабилизации стабилитрона

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

-

Разность напряжений стабилизации при двух равных по абсолютному значению и противоположных по знаку токах стабилизации стабилитрона

89а.

Температурный уход напряжения стабилизации стабилитрона

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Максимальное абсолютное изменение напряжения стабилизации стабилитрона от изменения температуры в установленном диапазоне температур при постоянном токе стабилизации

89б.

Нелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитрона

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение наибольшего отклонения напряжения стабилизации стабилитрона от линейной зависимости в указанном диапазоне температур к произведению абсолютного изменения напряжения стабилизации и абсолютного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации

89в.

Размах низкочастотных шумов стабилизации стабилитрона

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Разница наибольшего и наименьшего напряжения стабилизации стабилитрона за время измерения в указанном диапазоне частот при постоянном токе стабилизации

90.

Спектральная плотность шума стабилитрона

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Эффективное значение напряжения шума, отнесенное к полосе в 1 Гц, измеренное при заданном токе стабилизации стабилитрона в оговоренном диапазоне частот

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ

91.

Выпрямительный ток СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Постоянная составляющая тока СВЧ диода в рабочем режиме

92.

Постоянный рабочий ток ЛПД

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

93.

Импульсный рабочий ток
ЛПД

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

94.

Постоянный пусковой ток
ЛПД

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наименьшее значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности

95.

Импульсный пусковой ток
ЛПД

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Наименьшее мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности

96.

Пороговый ток диода Ганна

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение постоянного тока диода Ганна в точке первого максимума вольт-амперной характеристики, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

97.

Постоянный рабочий ток диода Ганна

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение постоянного тока диода Ганна при постоянном рабочем напряжении

98.

Импульсный рабочий ток диода Ганна

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Мгновенное значение тока диода Ганна при импульсном рабочем напряжении

99.

Постоянное пороговое напряжение диода Ганна

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение постоянного напряжения, соответствующее пороговому току диода Ганна

100.

Постоянное рабочее напряжение диода Ганна

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение постоянного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

101.

Импульсное рабочее напряжение диода Ганна

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Мгновенное значение импульсного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

102.

Непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ диода

Е. R. F. с. w. power dissipation

F. Dissipation de puissance dans le cas d'une onde R. F. entretenue

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непрерывном режиме работы

103.

Импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода

Е. Pulse r. f. power dissipation

F. Dissipation de puissance dans la cas de train d'ondes R. F.

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы

104.

Средняя рассеиваемая мощность СВЧ диода

Е. Average r. f. power

F. Puissance R. F. moyenne

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Сумма средних значений рассеиваемых СВЧ диодом мощностей от всех источников

105.

Непрерывная выходная мощность СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение непрерывной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме

106.

Импульсная выходная мощность СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение импульсной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме

107.

Мощность ограничения СВЧ диода

Е. Clipping power

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Уровень СВЧ мощности, подводимой на вход линии передачи с диодом, включенным параллельно линии передачи, при которой выходная мощность достигает заданного значения

108.

Тангенциальная чувствительность СВЧ диода

Е. Tangential sensitivity

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение импульсной мощности СВЧ сигнала, при котором на экране осциллографа, включенного на выходе системы "детекторное устройство-видеоусилитель" наблюдается совпадение верхней границы полосы шумов при отсутствии СВЧ сигнала с нижней границей полосы шумов при его наличии

109.

Граничная мощность детекторного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение мощности, при которой зависимость выпрямленного тока детекторного диода от мощности сигнала отклоняется от линейной на заданное значение при заданном сопротивлении нагрузки

110.

Минимально различимая мощность сигнала детекторного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение мощности СВЧ сигнала, поданного на приемник с детектором на входе, при котором отношение сигнал-шум равно единице

111.

Время тепловой релаксации СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Интервал времени с начала подачи импульса, за который температура перехода СВЧ диода достигает 63,2% от значения температуры в установленном режиме

112.

Энергия одиночного импульса СВЧ диода

Е. Single pulse energy

F. Energie d'une impulsion

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение энергии одного воздействующего на СВЧ диод короткого импульса.

Примечание. Под коротким импульсом понимается импульс длительностью не более 10ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) с

113.

Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диода

Е. Repetitive pulse energy

F. Energie d'une impulsion ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение энергии серии воздействующих на СВЧ диод повторяющихся коротких импульсов

114.

Энергия выгорания СВЧ диода

Е. Burn-out energy

F. Energie de claquage

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Минимальное значение энергии одиночного короткого импульса СВЧ диода, после воздействия которого электрические параметры СВЧ диода изменяются на заданные значения

115.

Энергия СВЧ импульсов СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение энергии воздействующих на СВЧ диод СВЧ импульсов длительностью менее 3·10ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) с

116.

Полное входное сопротивление СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Полное сопротивление, измеренное на входе диодной камеры с СВЧ диодом в заданном режиме

117.

Прямое сопротивление потерь переключательного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном прямом токе

118.

Обратное сопротивление потерь переключательного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном обратном напряжении

119.

Сопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощности

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при малых значениях СВЧ мощности, на начальном участке ограничительной характеристики, при которых сопротивление диода не изменяется

120.

Сопротивление ограничительного диода при высоком значении СВЧ мощности

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при значениях СВЧ мощности, больших мощности ограничения, при которых сопротивление диода не изменяется

121.

Сопротивление диода Ганна

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Активное сопротивление диода Ганна, измеряемое при напряжении значительно меньшем порогового

122.

Выходное сопротивление смесительного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Активная составляющая полного сопротивления смесительного диода на промежуточной частоте в заданном режиме

123.

Выходное сопротивление детекторного диода на видеочастоте

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Активная составляющая полного сопротивления детекторного диода на видеочастоте в заданном режиме

124.

Постоянная времени СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Произведение емкости перехода на последовательное сопротивление потерь СВЧ диода

125.

Время выключения СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Интервал времени нарастания обратного напряжения СВЧ диода при переключении его из открытого состояния в закрытое, отсчитанное по уровню 0,1 и 0,9 установившегося значения обратного напряжения

126.

Полоса частот СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Интервал частот, в котором СВЧ диод, настроенный на заданную частоту, обеспечивает заданные параметры и характеристики в неизменном рабочем режиме

127.

Предельная частота умножительного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение частоты, на которой добротность умножительного диода равна единице.

Примечание. Предельная частота определяется по формуле

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1),


где ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - емкость перехода;

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - последовательное сопротивление потерь

128.

Критическая частота переключательного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Обобщенный параметр переключательного диода, определяемый по формуле


ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

129.

Добротность СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение реактивного сопротивления СВЧ диода на заданной частоте к активному при заданном значении обратного напряжения

130.

Потери преобразования смесительного диода

Е. Conversion loss

F. Perte de conversion

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры к мощности сигнала промежуточной частоты в нагрузке смесительного диода в рабочем режиме

131.

Коэффициент полезного действия СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение выходной мощности СВЧ диода к потребляемой им мощности

132.

Выходное шумовое отношение СВЧ диода

Е. Output noise ratio

F. Rapport de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)de bruit

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот

133.

Нормированный коэффициент шума смесительного диода

Е. Standard overall average noise figure

F. Facteur de bruit total moyen normal

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение коэффициента шума приемного устройства со смесительным диодом на входе при коэффициенте шума усилителя промежуточной частоты равном 1,5 дБ

134.

Коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода

КCВН

Е. Voltage standing wave ratio

V.S.W.P.

F. Taux d'ondes stationnaires T.O.S (R.O.S.)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Коэффициент стоячей волны по напряжению в линии передачи СВЧ, нагруженной на определенную диодную камеру с СВЧ диодом в рабочем режиме

135.

Чувствительность по току СВЧ диода

E. Total current sensitivity

F. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)totale en courant

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение приращения выпрямительного тока диода к вызвавшей это приращение СВЧ мощности на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме при заданной нагрузке

136.

Чувствительность по напряжению СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение приращения напряжения на нагрузке СВЧ диода к вызвавшей это приращение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме

137.

Температурный коэффициент выходной мощности СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение относительного изменения выходной мощности СВЧ диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды

138.

Температурный коэффициент частоты СВЧ диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение относительного изменения частоты генерации СВЧ диода к разности температур, окружающей среды

ШУМОВЫЕ ДИОДЫ

139.

Спектральная плотность напряжения шумового диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение среднего квадратического значения напряжения шумового диода к корню квадратному из заданного диапазона частот

140.

Спектральная плотность мощности шумового диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение среднего квадратического значения мощности шумового диода к заданному диапазону частот

141.

Неравномерность спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1), ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение экстремального значения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к их среднему значению, выраженное в децибелах

142.

Температурный коэффициент спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1), ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Отношение относительного изменения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе диода

143.

Граничная частота шумового диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение частоты, на которой спектральная плотность напряжения или мощности шумового диода имеет максимальное отклонение от ее среднего значения

144.

Диапазон частот шумового диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Интервал частот, заключенный между верхней и нижней граничной частотой шумового диода

145.

Постоянный рабочий ток шумового диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение постоянного тока, при котором определяются параметры шумового диода

146.

Постоянное напряжение шумового диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Значение постоянного напряжения, обусловленного постоянным рабочим током шумового диода



(Измененная редакция, Изм. N 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время восстановления обратного сопротивления

33

Время восстановления прямого сопротивления

34

Время включения стабилитрона

86

Время выключения СВЧ диода

125

Время выхода стабилитрона на режим

88

Время жизни неравновесных носителей заряда диода эффективное

30

Время запаздывания обратного напряжения выпрямительного диода

64

Время обратного восстановления диода

33

Время прямого восстановления диода

34

Время спада обратного тока выпрямительного диода

65

Время тепловой релаксации СВЧ диода

111

Диапазон частот шумового диода

144

Добротность СВЧ диода

129

Добротность варикапа

76

Емкость диода общая

16

Емкость диода тепловая

25

Емкость корпуса диода

18

Емкость перехода диода

17

Заряд восстановления диода

32

Заряд диода накопленный

31

Заряд запаздывания выпрямительного диода

62

Заряд переключения

32

Заряд спада выпрямительного диода

63

Индуктивность диода

29

Коэффициент выходной мощности СВЧ диода температурный

137

Коэффициент добротности варикапа температурный

79

Коэффициент емкости варикапа температурный

77

Коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона температурный

85

Коэффициент перекрытия по емкости варикапа

80

Коэффициент полезного действия СВЧ диода

131

Коэффициент спектральной плотности мощности шумового диода температурный

142

Коэффициент спектральный плотности напряжения шумового диода температурный

142

Коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода

134

Коэффициент частоты СВЧ диода температурный

138

Коэффициент шума смесительного диода нормированный

133

КСВН

134

Мощность выпрямительного диода рассеиваемая обратная импульсная повторяющаяся

50

Мощность выпрямительного диода рассеиваемая обратная средняя

48

Мощность выпрямительного диода рассеиваемая прямая средняя

47

Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая

51

Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая импульсная

52

Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая средняя

53

Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении рассеиваемая

54

Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении импульсная

55

Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении рассеиваемая средняя

56

Мощность детекторного диода граничная

109

Мощность диода рассеиваемая импульсная

15

Мощность диода рассеиваемая обратная

13

Мощность диода рассеиваемая прямая

12

Мощность диода рассеиваемая средняя

14

Мощность лавинного выпрямительного диода рассеиваемая обратная ударная

49

Мощность ограничения СВЧ диода

107

Мощность СВЧ диода выходная импульсная

106

Мощность СВЧ диода выходная непрерывная

105

Мощность СВЧ диода непрерывная рассеиваемая

102

Мощность СВЧ диода рассеиваемая импульсная

103

Мощность СВЧ диода рассеиваемая средняя

104

Мощность сигнала детекторного диода минимально различимая

110

Напряжение впадины туннельного диода

70

Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное неповторяющееся

37

Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное повторяющееся

36

Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное рабочее

35

Напряжение выпрямительного диода пороговое

38

Напряжение диода Ганна пороговое постоянное

99

Напряжение диода Ганна рабочее импульсное

101

Напряжение диода Ганна рабочее постоянное

100

Напряжение диода обратное импульсное

4

Напряжение диода обратное постоянное

3

Напряжение диода пробивное

6

Напряжение диода прямое импульсное

2

Напряжение диода прямое постоянное

1

Напряжение диода прямое среднее

45

Напряжение пика туннельного диода

69

Напряжение раствора туннельного диода

71

Напряжение стабилизации стабилитрона

81

Напряжение шумового диода постоянное

146

Нелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитрона

89б

Несимметричность напряжения стабилизации стабилитрона

89

Нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона временная

87

Неравномерность спектральной плотности мощности шумового диода

141

Неравномерность спектральной плотности напряжения шумового диода

141

Отношение СВЧ диода шумовое выходное

132

Отношение токов туннельного диода

68

Плотность мощности шумового диода спектральная

140

Плотность напряжения шумового диода спектральная

139

Плотность шума стабилитрона спектральная

90

Показатель выпрямительного диода защитный

43

Полоса частот СВЧ диода

126

Постоянная времени СВЧ диода

124

Постоянная туннельного диода шумовая

74

Потери преобразования смесительного диода

130

Проводимость туннельного диода отрицательная

72

Размах низкочастотных шумов стабилизации стабилитрона

89в

Сопротивление выпрямительного диода динамическое

61

Сопротивление детекторного диода на видеочастоте выходное

123

Сопротивление диода Ганна

121

Сопротивление диода дифференциальное

19

Сопротивление диода тепловое импульсное

22

Сопротивление диода тепловое переходное

26

Сопротивление диода тепловое

21

Сопротивление ограничительного диода при высоком значении СВЧ мощности

120

Сопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощности

119

Сопротивление переход - корпус диода тепловое

24

Сопротивление переход - корпус диода тепловое переходное

28

Сопротивление переход - окружающая среда диода тепловое

23

Сопротивление переход - окружающая среда диода тепловое переходное

27

Сопротивление потерь диода последовательное

20

Сопротивление потерь переключательного диода обратное

118

Сопротивление потерь переключательного диода прямое

117

Сопротивление СВЧ диода входное полное

116

Сопротивление смесительного диода выходное

122

Сопротивление стабилитрона дифференциальное

84

Ток впадины туннельного диода

67

Ток диода выпрямленный средний

46

Ток выпрямительного диода обратный импульсный повторяющийся

44

Ток выпрямительного диода обратный средний

45

Ток выпрямительного диода прямой действующий

41

Ток выпрямительного диода прямой импульсный повторяющийся

39

Ток выпрямительного диода прямой ударный

40

Ток диода Ганна пороговый

96

Ток диода Ганна рабочий импульсный

98

Ток диода Ганна рабочий постоянный

97

Ток диода обратный импульсный

11

Ток диода обратный постоянный

10

Ток диода прямой импульсный

8

Ток диода прямой постоянный

7

Ток диода прямой средний

9

Ток ЛПД пусковой импульсный

95

Ток ЛПД пусковой постоянный

94

Ток ЛПД рабочий импульсный

93

Ток ЛПД рабочий постоянный

92

Ток перегрузки выпрямительного диода

42

Ток СВЧ диода выпрямленный

91

Ток стабилизации стабилитрона

82

Ток стабилизации стабилитрона импульсный

83

Ток туннельного диода пиковый

66

Ток шумового диода рабочий постоянный

145

Частота варикапа предельная

78

Частота переключательного диода критическая

128

Частота туннельного диода резистивная предельная

73

Частота умножительного диода предельная

127

Частота шумового диода граничная

143

Чувствительность по напряжению СВЧ диода

136

Чувствительность по току СВЧ диода

135

Чувствительность СВЧ диода тангенциальная

108

Уход напряжения стабилизации стабилитрона температурный

89а

Энергия выгорания СВЧ диода

114

Энергия импульсов туннельного диода

75

Энергия обратных потерь выпрямительного диода

58

Энергия одиночного импульса СВЧ диода

112

Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диода

113

Энергия потерь выпрямительного диода общая

59

Энергия потерь при обратном восстановлении диода

60

Энергия прямых потерь выпрямительного диода

57

Энергия СВЧ импульсов СВЧ диода

115


(Измененная редакция, Изм. N 4).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Differentieller Widerstand der Diode

19

Durchbruchspannung der Diode

6

Durchlasserholungszeit der Diode

34

Durchlassgleichspannung der Diode

1

Durchlassgleichstrom der Diode

7

Durchlassverlustleistung der Diode

12

Dynamischer Widerstand der Diode

61

Einschaltzeit der Z-Diode

86

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) Grenzfrequenz der Tunneldiode

73

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)der Diode

18

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)der Diode

16

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)der ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

76

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)der ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

78

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) der Tunneldiode

69

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) der Tunneldiode

66

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)der Tunneldiode

68

Impulsenergie der Tunneldiode

75

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)der Diode

29

Mittlere Durchlassspannung der Diode

5

Mittlere Verlustleistung der Diode

14

Mittlerer Durchlassstrom der Diode

9

Mittlerer Richtstrom der Diode

46

Mittlerer Sperrstrom der Diode

45

Negativer Leitwert der Tunneldiode

72

Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode

37

Nichtperiodischer Spitzendurchlassstrom der Diode

40

Periodische Spitzensperrspannung der Diode

36

Periodischer Spitzendurchlassstrom der Diode

39

Projezierte ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

71

Rauschfaktor der Tunneldiode

74

Schleusenspannung der Diode

38

Serienwiderstand der Diode

20

Sperrerholladung der Diode

32

Sperrerholungszeit der Diode

33

Sperrgleichspannung der Diode

3

Sperrgleichstrom der Diode

10

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)der Diode

17

Spitzendurchlassspannung der Diode

2

Spitzendurchlassstrom der Diode

8

Spitzensperrspannung der Diode

4

Spitzensperrstrom der Diode

11

Spitzenverlustleistung der Diode

15

Stabilisierungszeit der Z-Diode

88

Talspannung der Tunneldiode

70

Talstrom der Tunneldiode

67

Temperaturkoeffizient der ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

77

Temperaturkoeffizient der Z-Spannung der Z-Diode

85

Temperaturkoeffizient des ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

79

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

21

Zeitliche ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)der Z-Spannung der Z-Diode

87

Z-Spannung der Z-Diode

81

Z-Strom der Z-Diode

82

Z-Widerstand der Z-Diode

84

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Average forward current

9

Average forward power dissipation

47

Average forward voltage

5

Average output rectified current

46

Average power dissipation

14

Average reverse current

45

Average reverse power dissipation

48

Average r. f. power

104

Average turn-off dissipation

53

Average turn-on dissipation

56

Breakdown voltage

6

Burn-out energy

114

Case capacitance

18

Clipping power

107

Continuous current within the working voltage range

82

Conversion loss

130

Cut-off frequency

78

Differential resistance

19

Differential resistance within the working voltage range

84

Effective excess minority lifetime

30

Forward continuous current

7

Forward continuous voltage

1

Forward energy loss

57

Forward power dissipation

12

Forward recovery time

34

Junction capacitance

17

Negative conductance of the intrinsic diode

72

Noise factor

74

Non-repetitive (surge) reverse voltage

37

Output noise ratio

132

Overload forward current

42

Peak forward current

8

Peak forward voltage

2

Peak point current

66

Peak point voltage

69

Peak power dissipation

15

Peak reverse current

11

Peak reverse voltage

4

Peak to valley point current ratio

68

Peak turn-off dissipation

52

Peak turn-on dissipation

55

Projected peak point voltage

71

Pulse r.f. power dissipation

103

Quality factor

76

Recovered charge

32

Repetitive peak forward current

39

Repetitive peak reverse current

44

Repetitive peak revers power dissipation

50

Repetitive peak reverse voltage

86

Repetitive pulse energy

113

Resistive cut-off frequency

73

Reverse continuous current

10

Reverse continuous voltage

3

Reverse energy loss

58

Reverse power dissipation

13

Reverse recovery energy loss

60

Reverse recovery time

33

R.F. c.w.power dissipation

102

RMS forward current

41

Single pulse energy

112

Slope resistance

61

Standard overall average noise figure

133

Stored charge

31

Surge (non-repetitive) reverse power dissipation

49

Tangential sensitivity

108

Temperature coefficient of capacitance

77

Temperature coefficient of quality factor

79

Temperature coefficient of working voltage

85

Terminal capacitance

16

Thermal capacitance

25

Thermal resistance

21

Thermal resistance junction to case

24

Threshold voltage

38

Total current sensitivity

135

Total energy loss

59

Total instantaneous turn-off dissipation

51

Total instantaneous turn-on dissipation

54

Total series equivalent inductance

29

Total series equivalent resistance

20

Transient thermal impedance

26

Transient thermal impedance junction to ambient

27

Transient thermal impedance junction to case

28

Transient time of working voltage

88

Turn-on time

86

Valley point current

67

Valley point voltage

70

Voltage standing wave ratio

134

V.S.W.R.

134

Working peak reverse voltage

35

Working voltage long-term instability

87

Working voltage (of voltage regulator diode)

81

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) aux bornes

16

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) de jonction

17

Charge ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

32

Charge ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

31

Coefficient de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) de la tension de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

85

Conductance ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)de la diode ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

72

Courant continu inverse pour la gamme des tensions de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

82

Courant de pic

66

Courant de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

67

Courant direct continu

7

Courant direct de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

8

Courant direct de pointe ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

39

Courant direct de surcharge accidentel

40

Courant direct de surcharge ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

42

Courant direct moyen

9

Courant inverse continu

10

Courant inverse de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

11

Courant inverse de pointe ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)*

44

Courant inverse moyen

45

Courant moyen dc sortie ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

46

Dissipation totale ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) la coupure du courant

51

Dissipation de pointe ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) la coupure du courant

52

Dissipation de pointe ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) l'etablissement* du courant

55

Dissipation de puissance dans le cas de train d'ondes R.F.

103

Dissipation de puissance dans le cas d'une onde R.F.entretenue

102

Dissipation de puissance en direct

12

Dissipation de puissance en inverse

13

Dissipation moyenne ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) la coupure du courant

53

Dissipation moyenne ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) l'etablissement* du courant

56

Dissipation totale ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)l'etablissement* du courant

54

Dissipation totale ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) la coupure du courant

51

Energie de claquage

114

Energie d'une impulsion

112

Energie d'une impulsion ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

113

Facteur de bruit

74

Facteur de bruit total moyen normal

133

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) de coupure

78

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) de coupure ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

73

Inductance ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) totale ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

29

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) long terme de la tension de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

87

Perte de conversion

130

Puissance R. F. moyenne

104

Rapport de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)du courant

68

Rapport de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)de bruit

132

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) apparente directe

61

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

19

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) dans la zone des tensions de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

84

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

20

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) thermique

21

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)totale en courant

135

Taux d'ondes stationnaires

T.O.S.(R.O.S.)

134

Temps de recouvrement direct

34

Temps dc recouvrement inverse

33

Tension de claquage

6

Tension de pic

69

Tension directe continue

1

Tension de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

81

Tension de seuil

38

Tension de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

70

Tension directe de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

2

Tension directe moyenne

5

Tension inverse continue

3

Tension inverse de ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

4

Tension inverse de pointe non-ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

37

Tension inverse de pointe ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

36

Tension isohypse

71

________________
* Текст соответствует оригиналу. - Примечание.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1 (справочное). ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ОБЩИХ ПОНЯТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Справочное

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна- родное

1.

Прямое напряжение диода

-

-

Напряжение между выводами диода, обусловленное прямым током

2.

Обратное напряжение диода

-

-

Напряжение, приложенное к диоду в обратном направлении

3.

Прямой ток диода

-

-

Ток, протекающий через диод в прямом направлении

4.

Обратный ток диода

-

-

Ток, протекающий через диод, обусловленный обратным напряжением

5.

Предельно допустимое значение параметра полупроводникового прибора

-

-

Значение параметра, заданное в нормативно-технической документации, ограниченное возможностями данного типа прибора и обеспечивающее заданную надежность.

Примечания:

1. Предельно допустимое значение может быть максимально или минимально допустимым.

2. Если речь идет о предельно допустимом значении параметра, то к термину следует добавить слова "максимально допустимый" или "минимально допустимый", а к буквенному обозначению добавить индекс "max" или "min"

6.

Нестабильность параметра полупроводникового прибора

-

-

Модуль разности значений параметра полупроводникового прибора при воздействии дестабилизирующих факторов

7.

Эффективная температура перехода полупроводникового прибора

-

-

Температура, которая устанавливается на основе упрощенных представлений о тепловых и электрических свойствах полупроводникового прибора и не всегда является наивысшей в приборе

8.

Температура в контрольной точке полупроводникового прибора

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Температура, измеренная в заданной точке на (в) корпусе прибора или в среде, окружающей или охлаждающей прибор, выбранной для контроля параметра прибора

9.

Температура корпуса полупроводникового прибора

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Температура в заданной контрольной точке на (в) корпусе полупроводникового прибора

10.

Температура окружающей среды

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Температура воздуха или газа, измеренная вблизи полупроводникового прибора при условии естественной конвекции и при отсутствии влияния поверхностей, излучающих тепло

11.

Температура охлаждающей среды

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Температура в заданной контрольной точке среды, охлаждающей полупроводниковый прибор, или его охладителя

12.

Температура хранения

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

-

13.

Показатель идеальности вольт-амперной характеристики полупроводникового прибора

-

-

Параметр, характеризующий качество полупроводникового прибора и определяемый по формуле

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)*,


где ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - заряд электрона;

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - постоянная Больцмана;

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - температура в градусах Кельвина;

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - точки и соответствующие им напряжения на линейном участке зависимости ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

_________________
* Формула и экспликация к ней соответствуют оригиналу. - Примечание.

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 (справочное)


ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное

Черт.1 Вольт-амперные характеристики. Диаграммы токов и напряжений диодов

Вольт-амперные характеристики.
Диаграммы токов и напряжений диодов

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

1 - прямая вольт-амперная характеристика; 2 - обратная вольт-амперная характеристика;
3 - область пробоя; 4 - прямолинейная аппроксимация прямой вольт-амперной характеристики;
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - пороговое напряжение; ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - динамическое сопротивление; ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - пробное напряжение

Черт.1


Черт.2 Вольт-амперная характеристика туннельного диода

Вольт-амперная характеристика туннельного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)


ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - пиковый ток; ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - ток впадины; ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - напряжение впадины;
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - напряжение пика; ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - напряжение раствора

Черт.2


Черт.3 Вольт-амперная характеристика стабилитрона

Вольт-амперная характеристика стабилитрона

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)


Черт.3

Черт.4 Вольт-амперная характеристика диода Ганна


Вольт-амперная характеристика диода Ганна

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)


ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - постоянное пороговое напряжение диода Ганна, ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - пороговый ток диода Ганна;
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - постоянное рабочее напряжение диода Ганна; ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - постоянный рабочий ток диода Ганна

Черт.4

Черт.5 Диаграммы токов и напряжений


Диаграммы токов и напряжений

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)


Черт.5

Черт.6 Кривые токов и напряжений при обратном и прямом восстановлении диода


Кривые токов и напряжений при обратном и прямом
восстановлении диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)


Черт.6

Черт.7 Эквивалентная схема варикапа и туннельного диода


Эквивалентная схема варикапа и туннельного диода

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)


ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - параллельная емкость; ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - отрицательная проводимость; ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - сопротивление потерь;
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - последовательная индуктивность; ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1) - емкость перехода

Черт.7


ПРИЛОЖЕНИЕ 3. (Исключено, Изм. N 1).



Последние документы

Copyright © 2018