ГОСТ 2.730-73
Группа Т52
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
Единая система конструкторской документации
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
Приборы полупроводниковые
Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices
МКС 01.080.40
31.080
Дата введения 1974-07-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 N 2002
3. Соответствует СТ СЭВ 661-88
4. ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп.33 и 34 таблицы
5. ИЗДАНИЕ (апрель 2010 г.) с Изменениями N 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (ИУС 3-91)
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. N 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл.1.
Обозначения элементов полупроводниковых приборов
Таблица 1
Наименование | Обозначение |
1. (Исключен, Изм. N 2). | |
2. Электроды: | |
база с одним выводом |
|
база с двумя выводами |
|
Р-эмиттер с N-областью |
|
N-эмиттер с P-областью |
|
несколько Р-эмиттеров с N-областью |
|
несколько N-эмиттеров с P-областью |
|
коллектор с базой |
|
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе |
|
3. Области: | |
область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью |
|
Переход от Р-области к N-области и наоборот | |
область собственной электропроводности (I-область): | |
1) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP |
|
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN |
|
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP |
|
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN |
|
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: | |
обогащенного типа |
|
обедненного типа |
|
5. Переход PN |
|
6. Переход NP |
|
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип |
|
8. N-канал на подложке P-типа, обедненный тип |
|
9. Затвор изолированный |
|
10. Исток и сток |
|
Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: | |
11. Выводы полупроводниковых приборов: | |
электрически не соединенные с корпусом |
|
электрически соединенные с корпусом |
|
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
|
(Измененная редакция, Изм. N 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. N 1).
________________
* Таблицы 2, 3. (Исключены, Изм. N 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов
Таблица 4
Наименование | Обозначение |
1. Эффект туннельный | |
а) прямой |
|
б) обращенный |
|
2. Эффект лавинного пробоя: |
|
а) односторонний |
|
б) двухсторонний |
|
3-8. (Исключены, Изм. N 2). | |
9. Эффект Шоттки |
|
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл.5.
Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов
Таблица 5
Наименование | Обозначение |
1. Диод | |
Общее обозначение |
|
2. Диод туннельный |
|
3. Диод обращенный |
|
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) | |
а) односторонний |
|
б) двухсторонний |
|
5. Диод теплоэлектрический |
|
6. Варикап (диод емкостной) |
|
7. Диод двунаправленный |
|
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами |
|
8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами |
|
9. Диод Шоттки |
|
10. Диод светоизлучающий |
|
7. Обозначения тиристоров приведены в табл.6.
Обозначения тиристоров
Таблица 6
Наименование | Обозначение |
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |
|
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |
|
3. Тиристор диодный симметричный |
|
4. Тиристор триодный. Общее обозначение |
|
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: | |
по аноду |
|
по катоду |
|
6. Тиристор триодный выключаемый: | |
общее обозначение |
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду |
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду |
|
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: | |
общее обозначение |
|
с управлением по аноду |
|
с управлением по катоду |
|
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) - триак |
|
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |
|
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с P-N-переходами приведены в табл.7.
Примеры построения обозначений транзисторов
Таблица 7
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор | |
а) типа PNP |
|
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана |
|
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом |
|
3. Транзистор лавинный типа NPN |
|
4. Транзистор однопереходный с N-базой |
|
5. Транзистор однопереходный с P-базой |
|
6. Транзистор двухбазовый типа NPN |
|
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от |
|
8. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от |
|
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN |
|
-области
Примечание. При выполнении схем допускается:
а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
б) изображать корпус транзистора.
9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл.8.
Примеры построения обозначений полевых транзисторов
Таблица 8
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор полевой с каналом типа N |
|
2. Транзистор полевой с каналом типа P |
|
3. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: | |
а) обогащенного типа с Р-каналом |
|
б) обогащенного типа с N-каналом |
|
в) обедненного типа с Р-каналом |
|
г) обедненного типа с N-каналом |
|
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки |
|
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом |
|
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки |
|
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки |
|
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |
|
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл.9.
Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов
Таблица 9
Наименование | Обозначение |
1. Фоторезистор: | |
а) общее обозначение |
|
б) дифференциальный |
|
2. Фотодиод |
|
3. Фоторезистор |
|
4. Фототранзистор: | |
а) типа PNP |
|
б) типа NPN |
|
5. Фотоэлемент |
|
6. Фотобатарея |
|
11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл.10
Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов
Таблица 10
Наименование | Обозначение |
1. Оптрон диодный |
|
2. Оптрон тиристорный |
|
3. Оптрон резисторный |
|
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: | |
а) совмещенно |
|
| |
б) разнесенно |
|
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: | |
а) с выводом от базы |
|
б) без вывода от базы |
|
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:
|
|
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл.11.
Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов
Таблица 11
Наименование | Обозначение |
1. Датчик Холла |
|
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника | |
2. Резистор магниточувствительный |
|
3. Магнитный разветвитель |
|
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл.12.
Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах
Таблица 12
Наименование | Обозначение |
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: | |
а) развернутое изображение |
|
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) | |
Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 - выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. |
|
Пример применения условного графического обозначения на схеме |
|
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема |
|
3. Диодная матрица (фрагмент) |
|
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов |
|
14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл.13.
Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем
Таблица 13
Наименование | Обозначение | Отпечатанное обозначение |
1. Диод |
или |
|
2. Транзистор типа PNP |
|
|
3. Транзистор типа NPN |
|
|
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области |
|
|
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN |
|
|
|
|
Примечание к пп.2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком "больше" или "меньше" - вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. N 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. (Исключено, Изм. N 4).
Приложение 2 (справочное). Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
Наименование | Обозначение |
1. Диод |
|
3. Тиристор триодный |
|
|
|
6. Транзистор полевой с изолированным затвором |
|
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. (Введено дополнительно, Изм. N 3).