ГОСТ 19834.2-74
Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости

ГОСТ 19834.2-74*
(СТ СЭВ 3788-82)

Группа Э29

     
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

     
     
ИЗЛУЧАТЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

     
Методы измерения силы излучения и энергетической яркости

     
Semiconductor emitters.
Methods for measurement of radiant intensity and radiance



ОКП 621000

Срок действия с 01.01.76
до 01.01.87**
________________________________
** Ограничение срока действия снято
постановлением Госстандарта СССР от 05.03.91 N 217
(ИУС N 6, 1991 год). - Примечание.


ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 19 июля 1974 г. N 1731

* ПЕРЕИЗДАНИЕ (апрель 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в декабре 1983 г.; Пост. N 5736 от 06.12.83 (ИУС 3-84).

ВНЕСЕНО Изменение N 2, утвержденное и введенное в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 01.06.87 N 1783 с 01.10.87

Изменение N 2 внесено юридическим бюро "Кодекс" по тексту ИУС N 9 1987 год



Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения (далее - излучатели), в том числе бескорпусные, и устанавливает методы измерения силы излучения:

метод непосредственной оценки;

метод замещения;

методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный. Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 19834.0-75.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3788-82 в части измерения силы излучения и энергетической яркости (см. справочное приложение 2).

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

1. МЕТОД НЕПОСРЕДСТВЕННОЙ ОЦЕНКИ

1. МЕТОД НЕПОСРЕДСТВЕННОЙ ОЦЕНКИ*

____________________
* Наименование раздела. Измененная редакция, Изм. N 2.

1.1. Принцип и режим измерения

1.1.1. Принцип измерения основан на измерении электрического сигнала на выходе фотоприемника с известной чувствительностью при воздействии на фотоприемник потока излучения от излучателя в определенном телесном угле.

1.1.2. Значение прямого тока через излучатель должно соответствовать установленному в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов.

1.2. Аппаратура

1.2.1. Измерения проводят на установке, структурная схема которой приведена на черт.1.

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2)

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - генератор тока; ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - получатель; ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - фотоприемник; ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - измеритель тока;
ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - контакты подключения излучателя; ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - расстояние от излучателя до приемной площадки фотоприемника


Черт.1*

_________________
* Чертеж 1. Измененная редакция, Изм. N 2.


1.2.2. Генератор тока ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) должен обеспечивать задание и поддержание прямого тока через излучатель с погрешностью в пределах ±5%. При применении генератора прямоугольных импульсов тока частоту и длительность импульсов следует выбирать из условия обеспечения квазиимпульсного режима. Конкретное значение частоты модуляции указывают в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов. Предпочтительная частота модуляции 1-8 кГц.

1.2.3. Взаимное расположение излучателя и фотоприемника должно соответствовать оптической схеме, приведенной на черт.2.

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2)

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - излучатель; ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - размер излучающей поверхности, перпендикулярной к геометрической
оси фотоприемника; ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - телесный угол излучения; ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - расстояние от излучателя до приемной
площадки фотоприемника; ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - диафрагма; ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - фотоприемник; ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - размер освещенного участка

Черт.2*

_________________
* Чертеж 2. Измененная редакция, Изм. N 2.


1.2.4. Значение телесного угла ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2), в пределах которого проводят измерения силы излучения, должно быть не более 0,1 ср. Расстояние ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) и площадь диафрагмы или значение телесного угла должны быть указаны в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. N 2).

1.2.5. Относительная спектральная чувствительность фотоприемника должна быть постоянной в диапазоне длин волн от ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) до ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2),

где ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - номинальное значение длины волны максимума излучения излучателя, нм;

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - разброс длины волны излучателя, нм;

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - ширина спектра излучения, нм.

Для исправления спектральной характеристики фотоприемника допускается применение корригирующих фильтров.

1.2.6. При использовании фотоприемника с неравномерной спектральной чувствительностью результаты измерений должны быть откорректированы расчетным путем. Расчет приведен в справочном приложении 3.

1.2.7. Измеритель тока ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) должен обеспечивать измерение тока с погрешностью в пределах ±5%.

1.3. Проведение измерений и обработка результатов

1.3.1. Излучатель подключают к контактам ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) измерительной установки (черт.1), устанавливают прямой ток через излучатель, указанный в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов, и измеряют ток измерителем тока ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2).

1.3.2. Силу излучения излучателя ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) в Вт/ср рассчитывают по формуле

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) (1)


где ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - ток в цепи фотоприемника, А;

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - коэффициент в Вт/(ср·А), учитывающий характеристики фотоприемника и конструктивные особенности измерительной установки и определяемый по формуле

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) (2)


где ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - телесный угол. в пределах которого измеряют силу излучения, ср;

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - чувствительность фотоприемника, А/Вт;

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - расстояние от излучателя до приемной площадки фотоприемника, м;

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - площадь приемной площадки фотоприемника, мГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2).

1.3.1, 1.3.2. (Измененная редакция, Изм. N 2).

1.4. Показатели точности измерений

1.4.1. Погрешность измерения силы излучения должна быть в пределах ±20% с доверительной вероятностью 0,95.

2. МЕТОД ЗАМЕЩЕНИЯ

____________________
* Наименование раздела. Измененная редакция, Изм. N 2.

2.1. Принцип и режим измерения

2.1.1. Принцип измерения основан на сравнении силы излучения проверяемого излучателя и рабочей меры с известной силой излучения, аналогичной по спектральному составу и пространственному распределению излучения проверяемому излучателю.

2.1.2. Режим измерения - по п.1.1.2.

2.2. Аппаратура

2.2.1. Измерение силы излучения проводят на установке, структурная схема которой приведена на черт.1.

2.2.2. Элементы измерительной установки - по пп.1.2.2-1.2.7.

2.3. Проведение измерений и обработка результатов

2.3.1. Рабочую меру силы излучения подключают к контактам ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) измерительной установки (черт.1), устанавливают прямой ток и отсчитывают показания ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) измерителя тока ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2).

2.3.2. Рабочую меру силы излучения заменяют проверяемым излучателем, устанавливают прямой ток и отсчитывают показания ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) измерителя тока ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2).

2.3.3. Силу излучения ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) в Вт/ср рассчитывают по формуле

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) (3)


где ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - сила излучения рабочей меры, Вт/ср;

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - расстояние от излучателя до приемной площадки фотоприемника, м;

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - расстояние от рабочей меры до приемной площадки фотоприемника, м.

2.3.2, 2.3.3. (Измененная редакция, Изм. N 2).

2.4. Показатели точности измерений

2.4.1. Погрешность измерения силы излучения должна быть в пределах ±20% с доверительной вероятностью 0,95.

Разд.1, 2. (Измененная редакция, Изм. N 1).

3. ПРЯМОЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЯРКОСТИ

3.1. Принцип и режим измерения

3.1.1. Принцип измерения основан на измерении энергетической освещенности изображения излучающей поверхности излучателя, создаваемого оптической системой.

3.1.2. Режим измерения - по п.1.1.2.

3.2. Аппаратура

3.2.1. Измерения проводят на установке, структурная схема которой приведена на черт.1.

3.2.2. Элементы измерительной установки - по пп.1.2.2, 1.2.5-1.2.7.

3.2.3. Взаимное расположение оптических элементов установки должно соответствовать черт.3 или предусмотренному в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов.

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2)

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - излучающая поверхность ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2); ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2), ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - поле зрения; ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - объектив; ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - чувствительная к излучению
поверхность фотоприемника ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2); ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - отверстие диафрагмы ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2)

Черт.3


3.2.4. В зависимости от площади излучающей поверхности излучателя, отображенной приемной системой, в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов задают диаметр поля зрения, его положение на излучающей поверхности и отношение площади излучающей поверхности к площади поля зрения.

3.2.5. Оптические элементы установки должны быть расположены так, чтобы диафрагма ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) была совмещена с плоскостью изображения излучающей поверхности. Фотоприемник должен быть расположен за диафрагмой таким образом, чтобы все излучение, проходящее через диафрагму, попадало на чувствительную поверхность фотоприемника.

3.3. Проведение измерений и обработка результатов

3.3.1. Излучатель подключают к контактам ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) измерительной установки и устанавливают прямой ток через излучатель, указанный в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов.

3.3.2. Значение энергетической яркости излучателя отсчитывают по прибору ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2), проградуированному в единицах энергетической яркости. При отсутствии такой градуировки измеренное значение энергетической яркости рассчитывают с учетом потерь на поглощение и отражение в объективе.

3.4. Показатели точности измерения

3.4.1. Погрешность измерения энергетической яркости должна быть в пределах ±30% с доверительной вероятностью 0,95.

4. КОСВЕННЫЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЯРКОСТИ

4.1. Принцип и режим измерения

4.1.1. Принцип измерения основан на определении отношения силы излучения к площади излучающей поверхности излучателя.

4.1.2. Режим измерения - по п.1.1.2.

4.2. Аппаратура

4.2.1. Измерения проводят на установке, структурная схема которой приведена на черт.1.

4.2.2. Элементы измерительной установки - по пп.1.2.2-1.2.7.

4.2.3. Площадь излучающей поверхности излучателя должна быть определена с погрешностью в пределах ±10%.

4.3. Проведение измерений и обработка результатов

4.3.1. Излучатель подключают к контактам ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) и ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) измерительной установки, устанавливают ток через излучатель, указанный в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов, измеряют ток измерителем тока ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2).

4.3.2. Расчет силы излучения - по п.1.3.2.

4.3.3. Площадь излучающей поверхности излучателя измеряют с помощью микроскопа или другого измерительного прибора с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов.

4.3.4. Энергетическую яркость ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) в ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) рассчитывают по формуле

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) (4)


где ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - сила излучения, Вт/ср;

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2) - площадь излучающей поверхности, мГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2).

4.4. Показатели точности измерений

4.4.1. Погрешность измерения энергетической яркости должна быть в пределах ±25% с доверительной вероятностью 0,95.

Разд.3, 4. (Введены дополнительно, Изм. N 1).



Последние документы

Copyright © 2018