ГОСТ 19656.9-79
Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты

ГОСТ 19656.9-79

Группа Э29

     
     
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ И УМНОЖИТЕЛЬНЫЕ

Методы измерения постоянной времени и предельной частоты

Semiconductor microwave varactors and multiplier diodes.
Methods of measuring time constant and limiting frequency



Дата введения 1981-01-01



Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 сентября 1979 г. N 3457 срок введения установлен с 01.01.81

Проверен в 1985 г. Постановлением Госстандарта СССР от 20.12.85 N 4271 срок действия продлен до 01.01.91**
________________
** Ограничение срока действия снято по протоколу N 3-93 Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС N 5/6, 1993 год). - Примечание изготовителя базы данных.

ВЗАМЕН ГОСТ 19656.9-74

* ПЕРЕИЗДАНИЕ. Апрель 1988 г


Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные диоды (далее - диоды) и устанавливает следующие методы измерения постоянной времени и предельной частоты: ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты:

метод четырехполюсника;

метод последовательного резонанса диода;

резонаторный метод.

Методы измерения постоянной времени и предельной частоты диода учитывают потери в измерительной диодной камере.

Общие условия должны соответствовать ГОСТ 19656.0-74.

1. МЕТОД ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИКА

1. МЕТОД ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИКА

1.1. Принцип и условия измерений

1.1.1. Постоянная времени или предельная частота диода должна определяться из измерения входного комплексного сопротивления измерительной камеры с включенным диодом с учетом коэффициентов пассивного линейного четырехполюсника, которые находят с помощью эквивалентного холостого хода (XX) и короткого замыкания (КЗ).

1.1.2. СВЧ-мощность ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, частота измерений ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, напряжение смещения ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, при которых производят измерения, должны приводиться в стандартах и технических условиях на диоды конкретных типов.

1.2. Аппаратура

1.2.1. Измерения следует производить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1.

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты


ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - генератор СВЧ мощности; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - ферритовый вентиль; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - переменный аттенюатор;
ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - измерительная линия; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - измерительный усилитель; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - измерительная камера;
ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - источник напряжения смещения (варианты I, II подачи напряжения смещения
определяются конструкцией измерительной камеры)

Черт.1


1.2.2. Эквивалентом XX является корпус диода, в котором полупроводниковая структура не подсоединена к выводу диода или отсутствует.

Эквивалентом КЗ является корпус диода, в котором осуществлено короткое замыкание в месте установки полупроводниковой структуры без изменения внутренней геометрии корпуса.

Эквиваленты XX и КЗ выполняются в соответствии со стандартами и техническими условиями на диоды конкретных типов.

1.2.3. Измерительная линия должна иметь абсолютную погрешность отсчета положения зонда не более 0,001ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - длина волны в линии передачи, в мм, на которой производят измерение.

1.2.4. Источник напряжения смещения должен удовлетворять следующим требованиям:

обеспечивать плавную установку и поддержание заданного напряжения смещения с погрешностью в пределах ±2%;

коэффициент пульсации напряжения смещения при токе нагрузки до 10 мА не должен превышать 0,1%.

1.2.5. Измерительный усилитель должен иметь чувствительность по напряжению не более 10 мкВ.

1.2.6. Измерительная камера в зависимости от диапазона частот должна обеспечивать коэффициент стоячей волны по напряжению (ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты) с эквивалентами XX и КЗ:

диапазон частот измерения, ГГц

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, не менее

40-80

20

20-40

30

10-20

50

5-10

80

менее 5

100

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты камеры с измеряемым диодом не менее 1,2 при заданном напряжении смещения.

Измерение ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты производят методом удвоенного минимума в соответствии с рекомендуемым приложением 1.

1.3. Подготовка и проведение измерений

1.3.1. Устанавливают заданный режим измерений по частоте ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и мощности ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты.

1.3.2. Находят положение минимума стоячей волны с эквивалентом XX - ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты в мм и измеряют ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты.

Находят положение плоскости отсчета ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, в мм, по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты. (1)

1.3.3. Находят положение минимума стоячей волны с эквивалентом КЗ, ближайшее к плоскости отсчета, и измеряют расстояние до плоскости отсчета ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, в мм, и ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты.

Определяют угол сдвига минимума стоячей волны по напряжению ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты относительно плоскости отсчета при напряжении ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты,


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, мм.

Если ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты45°, то проводят дополнительные измерения при ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, при котором ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты45°.

1.4. Обработка результатов

1.4.1. Определяют постоянную времени диода ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты в секундах по одной из формул:

при

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты45°


ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, (2)


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - частота измерений, Гц;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - расчетная величина, определяемая по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; (3)


при 45°ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты80°

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты45°


ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, (4)


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - коэффициенты стоячей волны по напряжению при напряжении смещения ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты соответственно;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - расстояния от плоскости отсчета до положения минимума стоячей волны по напряжению при ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты соответственно, мм;

при ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты80° и ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты45°

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, (5)


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - отношение емкостей перехода при смещении ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частотыи ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты соответственно;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - емкость перехода при смещении ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частотыи ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, измеренная по ГОСТ 18986.4-73, Ф;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - приводят в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

1.4.2. Предельную частоту ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты диода в Гц определяют по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты. (6)

1.5. Погрешность измерения постоянной времени и предельной частоты должна быть в пределах ±15% с доверительной вероятностью ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты*=0,997 и определяется по формулам (1) и (2) справочного приложения 2.

2. МЕТОД ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО РЕЗОНАНСА ДИОДА

2.1. Принцип и условия измерений

2.1.1. Постоянная времени или предельная частота на частоте последовательного резонанса диода должна определяться:

измерением частот ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты амплитудно-частотной характеристики измерительной камеры с диодом, на которых мощность в А раз больше, чем на резонансной частоте;

измерением ослабления ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты измерительной камеры с диодом на резонансной частоте ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и измерением ослабления ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты измерительной камеры без диода на той же частоте.

2.1.2. СВЧ-мощность ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, частота измерений ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, напряжение смещения ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, при которых производят измерения, должны приводиться в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

2.2. Аппаратура

2.2.1. Измерения следует производить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.2.

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты

ГКЧ - генератор качающейся частоты; ИУ - индикаторное устройство; НО1, НО2, НО3 - направленные ответвители;
АФ - фиксированный аттенюатор; Ч - частотомер; АП - переменный аттенюатор; ИК - измерительная камера;
ИС
- источник напряжения смещения; СН - согласованная нагрузка

Черт.2


2.2.2. Генератор ГКЧ и индикаторное устройство ИУ, входящие в состав автоматического измерителя ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, и ослабления, должны удовлетворять требованиям нормативно-технической документации, утвержденной в установленном порядке Госстандартом СССР.

2.2.3. Погрешность измерения частоты частотомером Ч должна быть в пределах ±0,01% - при измерении полосы частот ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и не более 0,5% - при измерении ослабления Т.

2.2.4. Направленные ответвители HO1, HO2, НО3 должны отвечать следующим требованиям:

направленность не менее 25 дБ;

переходное ослабление должно быть в пределах 10-30 дБ;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты входа и выхода не более 1,15.

2.2.5. Аттенюатор АФ должен иметь ослабление в пределах 5-10 дБ и ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты не более 1,2.

2.2.6. Переменный аттенюатор АП должен иметь пределы изменения ослабления 0-40 дБ с погрешностью установки ослабления (0,15±0,005ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты), где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - вводимое ослабление, в дБ, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты аттенюатора не более 1,25.

2.2.7. Источник напряжения смещения ИС должен удовлетворять требованиям п.1.2.3.

2.2.8. Согласованная нагрузка СН должна иметь ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты не более 1,1 в полосе резонансных частот измеряемых диодов.

2.2.9. Измерительная камера ИС при измерении полосы частот ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты должна удовлетворять следующим требованиям:

высота волновода в плоскости включения измеряемого диода должна быть равна высоте корпуса диода. В случае коаксиальной линии расстояние между внутренним и внешним проводниками должно быть равно высоте корпуса диода;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты камеры в полосе резонансных частот должен быть не более 1,2;

камера должна обеспечивать подачу на диод постоянного напряжения смещения;

значение измеряемого сигнала на частоте последовательного резонанса должно превышать уровень помех не менее чем на 3 дБ;

ослабление камеры с диодом на частоте последовательного резонанса должно быть не менее 6 дБ.

2.2.10. Измерительная камера ИК при измерении ослабления ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты должна удовлетворять следующим требованиям:

камера в плоскости включения диода должна иметь волновое сопротивление ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, которое указывается в стандартах или технических условиях на измерительную установку;

камера должна иметь элементы настройки, позволяющие осуществить последовательный резонанс камеры с диодом и без диода на частоте ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, заданной в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты камеры на частоте ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - не более 1,06 при условиях, исключающих влияние элементов настройки.

Камера должна обеспечивать выполнение условия

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты.

2.3. Подготовка и проведение измерений

2.3.1. Устанавливают заданный режим измерений по мощности ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и частоте.

2.3.2. Калибруют генератор качающейся частоты и индикаторное устройство по ослаблению в соответствии с нормативно-технической документацией.

2.3.3. Устанавливают в измерительную камеру диод и подают напряжение смещения ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты. Настраивают генератор качающейся частоты на резонансную частоту.

2.3.4. При измерении полосы частот расстраивают генератор в режиме ручной перестройки частоты в сторону верхних частот и измеряют частоту ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты на которой мощность на выходе измерительной камеры измеряется в ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты раз по сравнению с мощностью в минимуме резонансной характеристики. Аналогично при расстройке в сторону нижних частот измеряют частоту ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты. Уровень ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты отсчитывают по индикаторному устройству или аттенюатору АП.

2.3.5. При измерении ослабления настраивают измерительную камеру с диодом в резонанс на частоте ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и измеряют ослабление ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты в минимуме резонансной характеристики. Извлекают диод из камеры и настраивают измерительную камеру без диода в резонанс на частоте ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и измеряют ослабление ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты в минимуме резонансной характеристики.

2.4. Обработка результатов

2.4.1. Предельную частоту ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, в Гц, при измерении по п.2.3.4 определяют по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, (7)


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - измеренные частоты, Гц;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - уровень, показывающий, во сколько раз изменена мощность на выходе измерительной камеры при расстройке генератора до частот ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты по сравнению с мощностью на частоте последовательного резонанса диода.

2.4.2. Предельную частоту при измерении по п.2.3.5 определяют по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, (8)


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - волновое сопротивление камеры в плоскости включения диода, Ом;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - емкость перехода диода при заданном напряжении смещения, измеренная по ГОСТ 18986.4-73, Ф;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - конструктивная емкость диода указывается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Ф;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - последовательная индуктивность диода указывается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Гн;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - ослабления, измеренные по п.2.3.4, в разах;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - частота измерения, заданная в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Гц.

2.4.3. Постоянную времени ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, в секундах, определяют по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты. (9)

2.5. Погрешность измерения постоянной времени и предельной частоты должна быть в пределах ±15% с доверительной вероятностью ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,997 и определяется по формулам (3), (4) справочного приложения 2.

3. РЕЗОНАТОРНЫЙ МЕТОД

3.1.Принцип и условия измерений

3.1. Постоянную времени или предельную частоту диода следует определять измерением резонансной частоты камеры с диодом ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, частот ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, на которых мощность на выходе камеры изменяется в ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты раз по сравнению с мощностью на частоте резонанса.

3.1.2. СВЧ-мощность ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, диапазон резонансных частот, напряжение смещения ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, при которых производят измерения, должны приводиться в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

3.1.3. Частота измерений ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты должна удовлетворять условиям

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты,


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - резонансная частота измерительной камеры с диодом, Гц;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - резонансная частота измерительной камеры без диода, Гц;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - частота последовательного резонанса, Гц;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - скорость света, мм/с;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - высота корпуса диода, мм.

3.2. Аппаратура

3.2.1. Измерения следует производить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.3.

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты


ГКЧ - генератор качающейся частоты; ИУ - индикаторное устройство; НО1, НО2 - направленные ответвители;
АФ - фиксированный аттенюатор; Ч - частотомер; АП - переменный аттенюатор; ИК - измерительная камера;
ИС
- источник напряжения смещения; ДС - детекторная секция

Черт.3

3.2.2. Элементы структурной схемы должны удовлетворять требованиям пп.2.2.2-2.2.7.

3.2.3. Детекторная секция ДС должна иметь ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты не более 2 в диапазоне рабочих частот.

3.2.4. Измерительная камера ИК должна удовлетворять следующим требованиям:

обеспечивать подачу на диод постоянного напряжения смещения;

высота промежутка, в который помещают диод, должна быть равна высоте корпуса диода;

полоса пропускания камеры с диодом должна более чем в 3 раза превышать полосу пропускания камеры без диода, настроенной на ту же резонансную частоту с помощью подстроечных элементов;

значение измеряемого сигнала на резонансной частоте должно превышать уровень помех не менее чем на 3 дБ.

3.3. Подготовка и проведение измерений

3.3.1. Устанавливают заданный режим измерений по мощности и частоте.

3.3.2. Калибруют генератор качающейся частоты и индикаторное устройство по ослаблению. Конкретный порядок калибровки должен приводиться в стандартах или технических условиях на измерительную установку.

3.3.3. Устанавливают в измерительную камеру диод и подают напряжение смещения ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты.

Настраивают генератор качающейся частоты на резонансную частоту и измеряют частоту ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты.

Расстраивают генератор качающейся частоты в сторону верхних частот и измеряют частоту ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, на которой мощность на выходе измерительной камеры изменяется в ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты раз по сравнению с мощностью на резонансной частоте камеры с диодом. Аналогично при расстройке генератора качающейся частоты в сторону нижних частот измеряют частоту ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты. Значение ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты отсчитывают по индикаторному устройству и аттенюатору АП. Определяют полосу частот в Гц по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты.

3.4. Обработка результатов

3.4.1. Предельную частоту диода ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты в Гц определяют по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, (10)


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - резонансная частота камеры без диода определяется при аттестации измерительной камеры, Гц;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - последовательная индуктивность диода указывается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Гн;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - конструктивная емкость диода указывается в стандартах и технических условиях на диоды конкретных типов, Ф;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - емкость перехода диода при заданном напряжении смещения измеряется по ГОСТ 18986.4-73, Ф;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - полоса частот измерительной камеры без диода, настроенной на частоту ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты с помощью подстроечных элементов. Определение ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты в Гц производится методом, аналогичным изложенному в п.3.3.3.

3.4.2. Постоянную времени диода определяют в соответствии с п.2.4.3.

3.5. Показатели точности измерения

3.5.1. Погрешность измерения постоянной времени и предельной частоты должна быть в пределах ±15% с доверительной вероятностью ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,997 и определяется по формуле (5) справочного приложения 2.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1 (рекомендуемое). ИЗМЕРЕНИЕ K(стU) МЕТОДОМ УДВОЕННОГО МИНИМУМА

ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Рекомендуемое

     
ИЗМЕРЕНИЕ ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты МЕТОДОМ УДВОЕННОГО МИНИМУМА

1. Для измерения больших ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты может быть использован метод "удвоенного минимума", основанный на измерении поля вблизи минимума стоячей волны напряжения.

2. Измерение производится на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1.

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты


Г - генератор СВЧ мощности; АР - аттенюатор развязывающий; ИЛ - измерительная линия;
ИН
- измеряемая нагрузка; ИП - индикаторный прибор

Черт.1


3. Измерение производят следующим образом:

установить каретку измерительной линии (зонд) в минимум напряженности поля стоячей волны;

определить расстояние ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты между двумя положениями зонда по обе стороны минимума ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, в которых показания индикатора в два раза больше показания индикатора в минимуме ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты (черт.2);

вычислить ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, (1)


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - расстояние между двумя положениями зонда, мм;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - длина волны в линии передачи, на которой производят измерение, мм.

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты


Черт.2



При ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,12 и квадратичности детектора линии формулу (1) можно заменить более простой формулой

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты. (2)


При этом ошибка при вычислении не будет превышать 1%.

Относительную погрешность измерения ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты методом удвоенного минимума можно определить по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, (3)


где

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; (4)


ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; (5)


ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - относительная погрешность измерения отношения напряжений;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - относительная погрешность измерения расстояния между двумя положениями зонда;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - относительная погрешность измерения длины волны в линии.

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 (справочное). РАСЧЕТ ПОГРЕШНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ПОСТОЯННОЙ ВРЕМЕНИ И ПРЕДЕЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ

ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное

1. Метод четырехполюсника

1.1. Погрешность измерения постоянной времени, определяемой по формулам (2) и (4) настоящего стандарта, рассчитывается по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты (1)


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - определяют по формулам

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты


ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты.


ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - относительные погрешности соответствующих величин, обозначенных в соответствии с пп.1.3.2-1.3.4 настоящего стандарта.

Погрешность ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты определяется по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты,


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - определяются по формулам

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты


ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - относительные погрешности измерения ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты.

1.2. Погрешность измерения постоянной времени, определяемой по формуле (5) настоящего стандарта, рассчитывается по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты (2)


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - определяются по формулам, указанным в п.1.1 настоящего приложения.

Погрешность измерения ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты определяется по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты,


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - относительная погрешность емкостей ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты.

1.3. Пример расчета погрешности формул (1) и (2) настоящего приложения.

1.3.1. Исходные данные для расчета ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты32 мм; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,5%; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты4,3 мм; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,745%; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты80 (ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,127 мм; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты25,2%); ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты1,5%; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты3,2 мм;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты1%; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты15 (ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,68 мм; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты4,7%) ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,0124 Ом; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты7%.

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты%;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты%;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты%.

1.3.3. Подставляя полученные значения в формулу (1), получим

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты

1.3.4. Подставляя полученные значения в формулу (2), получим

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты


2. Метод последовательного резонанса диода

2.1. Погрешность измерения предельной частоты, определяемой по формуле (7) настоящего стандарта, рассчитывается по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, (3)


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - относительные погрешности измерения частоты частотомером, %;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - относительная погрешность измерения уровня ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, %.

2.2. Погрешность измерения предельной частоты, определяемой по формуле (8) настоящего стандарта, рассчитывается по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, (4)

где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - определяют по формулам

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;


ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;


ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты.


ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - относительные погрешности соответствующих величин в процентах, обозначенных в п.2.4.2.

Относительная погрешность измерения частоты мала по сравнению с остальными погрешностями, и ею можно пренебречь.

2.3. Пример расчета погрешности

2.3.1. Исходные данные для расчета формулы (3):

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты1920 МГц; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты1960 МГц;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты±0,01%;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты3,16 раза (5 дБ);

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты±15% (±0,6 дБ).


Подставляя приведенные данные в формулу (3), получим

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты

2.3.2. Исходные данные для расчета по формуле (4):

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты2 пФ; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты5%;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,4 пФ; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты5%;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты20 Ом; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты5%;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,2 нГн; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты35%;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты63; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты1000;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты10%; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты10%; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты2 ГГц.

Подставляя приведенные данные в формулу (4), получим

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты

3. Резонаторный метод

3.1. Погрешность измерения предельной частоты, определяемой по формуле (10) настоящего стандарта, рассчитывается по формуле

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, (5)


где ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - определяют по формулам:

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты;


ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты - относительные погрешности соответствующих величин в процентах, обозначенных в п.3.4.1.

Погрешности, вносимые в формулу (5) за счет погрешностей измерения ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты и ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты, малы по сравнению с остальными погрешностями, и ими можно пренебречь.

3.2. Пример расчета погрешности

3.2.1. Исходные данные для расчета формулы (5)

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты1960 МГц; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты16 МГц; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,8 пФ;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты3,16 раза (5 дБ); ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты4 МГц;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты2400 МГц; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,2 пФ; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты0,52 нГн;

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты±10ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты%; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты±15% (±0,6 дБ);

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты4,9%; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты1,2%; ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты5%.


Подставляя полученные данные в формулу (5), получим

ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной и предельной частоты



Copyright © 2024