ГОСТ 18986.9-73
Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления

ГОСТ 18986.9-73

Группа Э29

     
     
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
 

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Метод измерения импульсного прямого напряжения
и времени прямого восстановления

Semiconductor diodes.
Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time



MКC 31.080.10

Дата введения 1975-01-01


УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 13 июля 1973 г. N 1723

Ограничение срока действия снято по протоколу N 5-94 Межгосударственного совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС 11-12-94)

ВЗАМЕН ГОСТ 10965-64

ИЗДАНИЕ (май 2004 г.) с Изменениями N 1, 2, 3, утвержденными в феврале 1979 г., июне 1982 г., октябре 1989 г. (ИУС 4-79, 9-82, 1-90).


Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3198-81 в части метода измерения импульсного прямого напряжения.

(Измененная редакция, Изм. N 3).

1. УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ

1. УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ

1.1. Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18986.0-74.

1.2. Импульсное прямое напряжение и время прямого восстановления определяют по импульсу напряжения на диоде при заданных значениях параметров входного импульса в соответствии с черт.1.

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)

Входной импульс

Импульс напряжения на диоде


Черт.1

1.3. Время прямого восстановления (ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)) отсчитывают по импульсу прямого напряжения на диоде между уровнями 10 и 110% установившегося значения прямого напряжения.

2. АППАРАТУРА

2.1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.2.

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)


ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - генератор импульсов; ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - токозадающий резистор; ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - токоограничивающий резистор;
ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - измерительное устройство; ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - контакты подключения; ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - проверяемый диод

Черт.2


2.2. Если необходим согласованный тракт, то при выполнении условия

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3),


где ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - установившееся значение прямого напряжения на диоде, В;

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - значение прямого тока через диод при установившемся значении напряжения на диоде, А;

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - волновое сопротивление тракта, Ом,
измерения проводят на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.3.

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - генератор импульсов; ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - развязывающий кабель; ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - измерительное устройство;
ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - контакты подключения; ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - проверяемый диод

Черт.3


2.3. Генератор импульсов ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) должен обеспечивать на проверяемом диоде после окончания переходного процесса импульс тока заданной амплитуды. Значение амплитуды входного импульса должно быть установлено в технических условиях на диоды конкретных типов. Амплитуда импульса должна быть задана с погрешностью в пределах ±10%.

2.4. Время нарастания входного импульса ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) должно удовлетворять условию

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3),

где ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - время обратного восстановления диода, типовое значение которого указывают в технических условиях на диоды конкретных типов, с.

Конкретное значение времени нарастания входного импульса может быть указано в технических условиях на диоды конкретных типов.

Примечание. Допускается пользоваться соотношением

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3).


2.5. Длительность входного импульса прямоугольной формы ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) должна удовлетворять условию

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)

или

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3),


где ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - заряд восстановления диода, типовое значение которого указывают в технических условиях на диоды конкретных типов, К;

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - значение прямого тока через диод, при котором измеряют заряд восстановления, А.

2.6. Неравномерность вершины прямоугольного импульса на указанной длительности должна быть в пределах ±5% при токах до 0,2 А и ±10% - при токах более 0,2 А.

Выброс на вершине импульса должен быть в пределах ±7%.

2.7. Параметры входного импульса, указанные в пп.2.3-2.5, определяют осциллографическим методом на резисторе ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3), включенном между контактами ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) вместо измеряемого диода. Значение сопротивления резистора ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) должно быть равным 50 Ом или определено из условия

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3).


Типовое значение импульсного прямого напряжения указывают в технических условиях на диоды конкретных типов.

2.8. Полное выходное сопротивление генератора ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) должно быть таким, чтобы при изменении напряжения на диоде от значения ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) до установившегося значения ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) изменение амплитуды входного импульса не выходило за пределы ±10%.

При низком выходном сопротивлении генератора ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) в измерительную установку допускается включение последовательного резистора, значение сопротивления которого должно быть таким, чтобы выполнялось условие

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3).

2.9. Длина развязывающего кабеля должна быть такой, чтобы время задержки отраженной неоднородности ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) было бы больше времени прямого восстановления

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3).

2.10. Входное сопротивление измерительного устройства ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) вместе с сопротивлением резистора ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) должно быть не менее чем в 100 раз больше значения прямого сопротивления диода.

2.11. Время нарастания переходной характеристики измерительного устройства ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) совместно с резистором ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) должно быть не более одной трети значения времени нарастания входного импульса ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3).

2.12. Индуктивность между контактами ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) должна быть сведена к минимуму. Конкретное максимально допустимое значение индуктивности указывают в технических условиях на диоды конкретных типов.

2.13. Частота импульсов должна быть такой, чтобы снижение частоты не привело к изменению характеристик прямого напряжения.

3. ТРЕБОВАНИЯ К ПОДГОТОВКЕ И ПРОВЕДЕНИЮ ИЗМЕРЕНИЯ

3.1. Параметры входного импульса должны быть заданы согласно пп.2.3-2.5.

3.2. Между контактами ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) подключают короткозамыкатель, геометрические размеры которого должны быть близкими к размерам измеряемого диода.

3.3. От генератора ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) подают импульс с заданными параметрами и по измерительному прибору ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) определяют амплитуду импульса напряжения, обусловленную индуктивностью схемы, ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3).

3.4. Между контактами ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) подключают проверяемый диод и подают импульс с заданными параметрами.

3.5. По измерительному прибору ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) определяют импульсное напряжение ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3).

Если ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3), то измеренное значение напряжения принимают за истинное значение импульсного прямого напряжения диода ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3).

Если ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3), то истинное значение определяют по формуле


ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3).


По импульсу на измерительном приборе ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) определяют время прямого восстановления диода ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3).

4. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ

4.1. Погрешность измерения импульсного напряжения ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) должна быть в пределах ±15% с установленной вероятностью 0,95.

4.2. Погрешность измерения времени прямого восстановления ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) должна быть в пределах ±25% с установленной вероятностью 0,95.

4.3. Расчет погрешности измерения приведен в приложении.

Разд.1-4. (Измененная редакция, Изм. N 3).

ПРИЛОЖЕНИЕ (справочное). РАСЧЕТ ПОГРЕШНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное

1. Расчет погрешности измерения импульсного прямого напряжения

1.1. Интервал, в котором с установленной вероятностью находится погрешность измерения импульсного прямого напряжения, рассчитывают по формуле

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3),


где ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - коэффициент, характеризующий закон распределения суммарной погрешности и зависящий от установленной вероятности, ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)0,95;

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - коэффициент влияния погрешности установления входного импульса на амплитуду импульсного прямого напряжения, зависящий от соотношения ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3), принимаемый равным 0,6;

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - частная погрешность установления и поддержания амплитуды входного импульса, должна быть в пределах ±10%;

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - частная погрешность, обусловленная выбросами на вершине входного импульса, должна быть в пределах ±7%;

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - частная погрешность, обусловленная индуктивностью схемы, должна быть в пределах ±5%;

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - частная погрешность измерительного устройства, должна быть в пределах ±10%;

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)-ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - коэффициенты, характеризующие законы распределения частных погрешностей; для равномерного закона ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)1,73, для нормального закона ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)3.

Подставляя числовые значения, получают оценку интервала суммарной погрешности

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3).


Рассмотрим композиции (ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)) и (ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)). Закон распределения суммарной погрешности для ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) является композицией равномерного и нормального законов. Значение коэффициента ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) для них равно 1,84, что соответствует практически трапециевидному закону.

Закон распределения суммарной погрешности для ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) является композицией двух равномерных законов с ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)±5% и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)±10%, что образует трапециевидный закон с отношением оснований равным ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3). Для этого случая ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)1,83.

Таким образом, суммарная погрешность является композицией двух трапециевидных законов, что образует треугольный закон распределения с ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)1,91 для ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)0,95.

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)%.

2. Расчет погрешности измерения времени прямого восстановления

2.1. Интервал, в котором с установленной вероятностью находится погрешность измерения, определяют по формуле

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3),


где ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - частная погрешность отсчета интервала времени устройством ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3), должна быть в пределах ±3%;

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) и ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - частная погрешность отсчета уровня 0,1 и 1,1 устройством ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3), должна быть в пределах ±10%;

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - частная погрешность, обусловленная влиянием погрешности установления амплитуды входного импульса, должна быть в пределах ±10%;

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - коэффициент влияния погрешности установления входного импульса, равен 0,1.

Подставляя числовые значения, получают оценку интервала суммарной погрешности

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3).


Закон распределения суммарной погрешности является композицией двух равномерных законов с ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)±10%, что образует треугольный закон с ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)1,91 для ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)0,95.

Таким образом, ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)17%.

ПРИЛОЖЕНИЕ. (Введено дополнительно, Изм. N 3).



Последние документы

Copyright © 2018